алюмінідів.
2.2.7.2.1.4. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей на:
суперсплави;
корозійностійкі сталі;
Примітка. MCrAlX, зазначений у пунктах 2.2.7.2.1.4.,
2.2.7.2.4.3., 2.2.7.4.1., 2.2.7.6.4., від-
повідає складній суміші покриття, де M - ек-
вівалентне кобальту, залізу, нікелю або їх
комбінації, а X - еквівалентне гафнію, ітрію,
кремнію, танталу в будь-якій кількості чи
іншим спеціально внесеним добавкам понад
0,01 відсотка за вагою у різних пропорціях і
комбінаціях, крім:
CoCrAlY- покриття, що містять менше 22 від-
сотків за вагою хрому, менше 7 відсотків за
вагою алюмінію та менше 2 відсотків за вагою
ітрію;
CoCrAlY- покриття, що містять 22-24 відсотки
за вагою хрому, 0,5-0,7 відсотка за вагою
ітрію;
NiCrAlY- покриття, що містять 21-23 відсотки
за вагою хрому, 10-12 відсотків за вагою
алюмінію та 0,9-1,1 відсотка за вагою ітрію.
2.2.7.2.1.5. технологія нанесення модифікованого оксиду
цирконію та сумішей на його основі на:
суперсплави;
корозійностійкі сталі;
2.2.7.2.1.6. технологія нанесення алюмінідів та їх сумі-
шей на суперсплави;
2.2.7.2.1.7. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на:
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід , цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
2.2.7.2.1.8. технологія нанесення тугоплавких металів та
їх сплавів на:
кераміку та металеві матричні композити;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.2.1.9. технологія нанесення вольфраму та його су-
міші на:
карбід , цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
2.2.7.2.1.10. технологія нанесення діелектричного шарового
покриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків;
2.2.7.2.1.11. технологія нанесення боридів на титанові
сплави;
Примітка. Титанові сплави, зазначені у пунктах
2.2.7.2.1.11., 2.2.7.2.1.12., 2.2.7.3.4.,
2.2.7.3.5., 2.2.7.4.3.2., 2.2.7.4.4.2.,
2.2.7.4.5.2., 2.2.7.4.6.2., 2.2.7.4.8.2.,
2.2.7.4.9.2., 2.2.7.4.10.2., 2.2.7.7.2.1.,
2.2.7.7.3.1., визначаються як аерокосмічні
сплави з найбільшим значенням міцності на
розрив у 900 МПа або більше, виміряним при
293 К (20гр.C).
2.2.7.2.1.12. технологія нанесення нітридів на титанові
сплави;
2.2.7.2.2. технологія нанесення покриття методом фізич-
ного осадження парів з іонізацією за допомо-
гою резистивного нагрівання (іонне покриття);
Примітка. Фізичне осадження з терморезистором викорис-
товує електричний опір як джерело тепла, що
здатне забезпечити контрольований та рівно-
мірний (однорідний) потік парів матеріалу
покриття.
2.2.7.2.2.1. технологія нанесення діелектричного шарового
покриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом роз-
ширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків;
2.2.7.2.3. технологія нанесення покриття методом фізич-
ного осадження парів з використанням лазер-
ного випаровування;
Примітка. Під час лазерного випаровування використо-
вується імпульсний або безперервний лазерний
промінь для нагрівання матеріалу, який фор-
мує покриття.
2.2.7.2.3.1. технологія нанесення діелектричного шарового
покриття на:
кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
кераміку та металеві матричні композити;
карбід, цементований вольфрамом;
карбід кремнію;
молібден та його сплави;
берилій та його сплави;
матеріали вікон датчиків;
2.2.7.2.3.2. технологія нанесення алмазоподібного вуглецю
на матеріали вікон датчиків;
2.2.7.2.3.3. технологія нанесення силіцидів на кераміку та
скло з малим коефіцієнтом розширення;
2.2.7.2.4. технологія нанесення покриття методом фі-
зичного осадження парів із застосуванням ка-
тодно-дугового розряду;
Примітка. Під час процесу покриття із застосуванням
катодної дуги використовується витрачений
катод як матеріал, що формує покриття, і має
сталий розряд дуги на поверхні катоду після
миттєвого контакту з заземленим пусковим
пристроєм (трігером). Контрольована дугова
ерозія поверхні катода приводить до створен-
ня високоіонізованої плазми. Анод може бути
або конічним і розміщеним на периферії като-
да крізь ізолятор, або сама камера може вико-
нувати роль анода. Для нелінійного керування
нанесенням ізоляції використовуються вироби
з регулюванням їх положення. Це визначення
не включає нанесення покриття безладною
(довільною) катодною дугою з фіксованим по-
ложенням виробу.
2.2.7.2.4.1. технологія нанесення сплавів силіцидів на
суперсплави;
2.2.7.2.4.2. технологія нанесення сплавів алюмінію на
суперсплави;
2.2.7.2.4.3. технологія нанесення MCrAlX на суперсплави;
2.2.7.2.4.4. технологія нанесення боридів на:
полімери;
органічні матричні композити;
Примітка. Зазначені у пунктах 2.2.7.2.4.4.,
2.2.7.2.4.5., 2.2.7.2.4.6. полімери містять:
поліамід, поліефір, полісульфід, полікарбо-
нати та поліуретани.
2.2.7.2.4.5. технологія нанесення карбідів на:
полімери;
органічні матричні композити;
2.2.7.2.4.6. технологія нанесення нітридів на:
полімери;
органічні матричні композити
2.2.7.3. Технологія нанесення покриття методом цемен- 490199000
тування: 490600000
Примітки: 1. Технологія для однокрокового порошкового це-
ментування твердих профілів крил експортному
контролю не підлягає.
2. Порошкове цементування - модифікація методу
нанесення покриття на поверхню або процес
нанесення суто зовнішнього покриття, коли
виріб занурено в пудру - суміш декількох
компонентів (в пакет), яка складається з:
металевих порошків, які входять до складу
покриття (звичайний алюміній,хром,кремній
або їх комбінації);
активатора (у більшості випадків гало-
генідна сіль);
інертної пудри,найчастіше оксиду алюмінію.
Виріб і порошок містяться у середені реторти
(камери), яка нагрівається від 1030 К (757гр.C)
до 1375 К (1102гр.C) на час, достатній для на-
несення покриття.
2.2.7.3.1. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на:
2.2.7.3.1.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.3.1.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.3.2. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на:
2.2.7.3.2.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.3.2.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.3.3. технологія нанесення силіцидів на :
2.2.7.3.3.1. титанові сплави;
2.2.7.3.3.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.3.4. технологія нанесення алюмінідів на титанові
сплави;
2.2.7.3.5. технологія нанесення сплавів алюмінідів на
титанові сплави;
2.2.7.3.6. технологія нанесення оксидів на тугоплавкі
метали та їх сплави
2.2.7.4. Технологія нанесення покриття методом плаз- 490199000
мового напилення: 490600000
Примітки: 1. Плазмове напилення - процес нанесення суто
зовнішнього покриття, коли плазмова гармата
(пальник напорошення), в якій створюється та
спрямовується плазма, і яка приймає пудру та
пруток (дріт) з матеріалу покриття, розплав-
ляє їх і направляє на виріб, де формується
інтегрально зв'язане покриття.
Плазмове напилення може бути побудоване на
напиленні плазмою низького тиску або висо-
кошвидкісною плазмою, яка реалізується під
водою.
2. Низький тиск означає тиск нижчий від атмос-
ферного.
3. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю
газу на зрізі сопла (пальника напилення), що
перевищує 750 м/с, розрахованій при темпера-
турі 293 К (20гр.C) і тиску 0,1 МПа.
2.2.7.4.1. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей на:
2.2.7.4.1.1. суперсплави;
2.2.7.4.1.2. алюмінієві сплави;
2.2.7.4.1.3. корозійностійкі сталі;
Примітка. Термін "алюмінієві сплави", використаний у
пунктах 2.2.7.4.1.2.,2.2.7.4.2.2., 2.2.7.4.7.,
відповідає сплавам з найбільшим значенням
міцності на розрив у 190 МПа чи більше, вимі-
ряним при температурі 293 К (20гр.C).
2.2.7.4.2. технологія нанесення модифікованого оксиду
цирконію і його сумішей на:
2.2.7.4.2.1. суперсплави;
2.2.7.4.2.2. алюмінієві сплави;
2.2.7.4.2.3. корозійностійкі сталі;
Примітка. Зазначений в пунктах 2.2.7.4.2., 2.2.7.6.5.
модифікований оксид цирконію відповідає до-
бавкам оксидів інших металів (таких, як
кальцій, магній, ітрій, гафрій рідкіснозе-
мельних оксидів тощо) в оксид цирконію
відповідно до умов стабільності визначених
кристалографічних фаз і фази зміщення. Тер-
мостійкі покриття з оксиду цирконію, мо-
дифіковані кальцієм або оксидом магнію мето-
дом змішування чи розплавлення, експортному
контролю не підлягають.
2.2.7.4.3. технологія нанесення ерозійностійкого нікель-
графіту на:
2.2.7.4.3.1. суперсплави;
2.2.7.4.3.2. титанові сплави;
2.2.7.4.4. технологія нанесення ерозійностійкого нікель-
хром-алюміній-бетоніта на:
2.2.7.4.4.1. суперсплави;
2.2.7.4.4.2. титанові сплави;
2.2.7.4.5. технологія нанесення ерозійностійкого алюміній
кремній-поліефіру на:
2.2.7.4.5.1. суперсплави;
2.2.7.4.5.2. титанові сплави
2.2.7.4.6. технологія нанесення сплавів алюмінідів на:
2.2.7.4.6.1. суперсплави;
2.2.7.4.6.2. титанові сплави;
2.2.7.4.7. технологія нанесення силіцидів та їх сумі-
шей на алюмінієві сплави;
2.2.7.4.8. технологія нанесення алюмінідів на:
2.2.7.4.8.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.8.2. титанові сплави;
2.2.7.4.9. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.4.9.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.9.2. титанові сплави;
2.2.7.4.10. технологія нанесення карбідів на:
2.2.7.4.10.1. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.4.10.2. титанові сплави;
2.2.7.5. Технологія нанесення покриття методом осад- 490199000
ження суспензії: 490600000
Примітка. Осадження суспензії - це процес нанесення
покриття з модифікацією поверхні, що покри-
вається, або суто зовнішнього покриття, коли
металева чи керамічна пудра з органічним
зв'язуючим, суспензованим у рідині, з'єдну-
ються з виробом напиленням, зануренням або
фарбуванням з наступним повітряним чи пічним
осушенням і тепловим обробленням для досяг-
нення необхідних властивостей покриття.
2.2.7.5.1. технологія нанесення легкоплавких силіцидів
на тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.5.2. технологія нанесення легкоплавких алюміні-
дів (крім матеріалів для теплостійких еле-
ментів) на тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.5.3. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на:
2.2.7.5.3.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.5.3.2. керамічні та металеві матричні композити;
2.2.7.5.4. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на :
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
керамічні та металеві матричні композити;
2.2.7.6. Технологія нанесення покриття методом 490199000
металізації розпилення: 490600000
Примітки: 1. Металізація розпиленням - це процес нанесен-
ня суто зовнішнього покриття, що базується
на феномені передачі кількості руху, коли
позитивні іони прискорюються в електричному
полі у напрямку до поверхні мішені (ма-
теріалу покриття). Кінетична енергія ударів
іонів достатня для утворення на поверхні мі-
шені атомів матеріалу покриття з відповідним
розміщенням їх на виробі.
2. Враховуються лише тріодна, магнетронна чи
реактивна металізація розпиленням, які зас-
тосовуються для збільшення адгезії матеріалу
покриття та швидкості його нанесення, а та-
кож радіочастотне підсилення напилення, що
використовується під час нанесення пароутво-
рюючих неметалевих матеріалів покрить.
3. Низькоенергетичні іонні промені ( менше
5 кеВ) можуть бути використані для приско-
рення (активізації) процесу нанесення пок-
риття.
2.2.7.6.1. технологія нанесення сплавів силіцидів та
їх сумішей на суперсплави;
2.2.7.6.2. технологія нанесення сплавів алюмінідів та
їх сумішей на:
2.2.7.6.2.1. суперсплави;
2.2.7.6.2.2. титанові сплави;
2.2.7.6.3. технологія нанесення покриття на основі
алюмінідів, модифікованих благородними ме-
талами, на суперсплави
Примітка. Термін "покриття на основі алюмінідів з мо-
дифікацією благородними металами" містить
багатокрокове нанесення покриття, при якому
благородний метал або благородні метали нано-
сяться раніше будь-яким іншим процесом до
застосування методу нанесення алюмініду.
2.2.7.6.4. технологія нанесення MCrAlX та їх сумішей на
суперсплави
2.2.7.6.5. технологія нанесення модифікованого оксиду
цирконію та його суміші на суперсплави
2.2.7.6.6. технологія нанесення платини та її суміші на:
2.2.7.6.6.1. суперсплави;
2.2.7.6.6.2. кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
2.2.7.6.7. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на:
2.2.7.6.7.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
2.2.7.6.7.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.7.3. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.8. технологія нанесення діелектричного шарового
покриття на:
2.2.7.6.8.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом роз-
ширення;
2.2.7.6.8.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.8.3. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.8.4. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.8.5. карбід кремнію;
2.2.7.6.8.6. молібден та його сплави;
2.2.7.6.8.7. берилій та його сплави;
2.2.7.6.8.8. матеріали вікон датчиків;
2.2.7.6.9. технологія нанесення боридів на титанові
сплави;
2.2.7.6.10. технологія нанесення нітридів на титанові
сплави;
2.2.7.6.11. технологія нанесення оксидів на:
2.2.7.6.11.1. титанові сплави;
2.2.7.6.11.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.12. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.6.12.1. титанові сплави;
2.2.7.6.12.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.13. технологія нанесення алюмінідів на:
2.2.7.6.13.1. титанові сплави;
2.2.7.6.13.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.14. технологія нанесення карбідів на:
2.2.7.6.14.1. титанові сплави;
2.2.7.6.14.2. тугоплавкі метали та їх сплави;
2.2.7.6.15. технологія нанесення тугоплавких металів та
їх сумішей на:
2.2.7.6.15.1. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.6.15.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.6.16. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на:
2.2.7.6.16.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.16.2. карбід кремнію;
2.2.7.6.17. технологія нанесення вольфраму та його сумі-
шей на:
2.2.7.6.17.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.6.17.2. карбід кремнію
2.2.7.7. Технологія нанесення покриття методом іон- 490199000
ної імплантації: 490600000
Примітка. Іонна імплантація - процес нанесення пок-
риття з модифікацією поверхні виробу, в яко-
му матеріал (сплав) іонізується, приско-
рюється системою, що володіє градієнтом по-
тенціалу, і насичується (імплантується) на
ділянку поверхні виробу.
До процесів з іонним насиченням належать
і процеси, в яких іонне насичення мимоволі
виконується з випаровуванням електронним
променем або металізацією розпиленням.
2.2.7.7.1. технологія нанесення добавок хрому, танта-
лу чи ніобію (колумбію) на жароміцні сталі;
2.2.7.7.2. технологія нанесення боридів на:
2.2.7.7.2.1. титанові сплави;
2.2.7.7.2.2. берилій та його сплави;
2.2.7.7.3. технологія нанесення нітридів на:
2.2.7.7.3.1. титанові сплави;
2.2.7.7.3.2. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.7.4. технологія нанесення карбідів на карбіди,
цементовані вольфрамом
2.2.8. Конструкція і технологія виробництва спе-
ціально розробленого обладнання, інстру-
ментів або пристроїв для виробництва чи
вимірювання параметрів лопаток газових
турбін, литих лопатей або кромок кожухів:
2.2.8.1. Конструкція і технологія виробництва авто- 490199000
матичного вимірювального обладнання, в якому 490600000
використовуються немеханічні методи вимірю-
вання товщини стін несучих профілів лопаток
2.2.8.2. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування, виробництва або ви- 852422100
користання автоматичного вимірювального об- 852423100
ладнання, зазначеного у пункті 2.1.5.1. 852490910
852490990
2.2.8.3. Конструкція і технологія виробництва інст- 490199000
рументів, фіксаційного та вимірювального об- 490600000
ладнання для лазерного, водоструминного або
електроерозійного електротехнічного сверд-
лування отворів (порожнин), зазначених у
пункті 2.1.5.2.
2.2.8.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування, виробництва або вико- 852422100
ристання інструментів, фіксаційного та вимі- 852423100
рювального обладнання для лазерного, водо- 852490910
струминного або електроерозійного електро- 852490990
технічного свердлування отворів (порожнин),
зазначених у пункті 2.1.5.2.
2.2.8.5. Конструкція і технологія виробництва ке- 490199000
рамічних стержнів (ядер, осердя) виробничо- 490600000
го обладнання або патронів (укладок)
2.2.8.6. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000
мічних стержнів (ядер, осердя) виробничого 490600000
обладнання або інструментів
2.2.8.7. Конструкція і технологія виробництва ке- 490199000
рамічних осердь для вилужування обладнання 490600000
2.2.8.8. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000
мічних патронів (оболонок) обладнання для 490600000
виготовлення воскових моделей
2.2.8.9. Конструкція і технологія виробництва кера- 490199000
мічних патронів (укладок, оболонок) вироб- 490600000
ництва для обпалювання або випалювання
(впалювання)
2.2.9. Конструкція і технологія виробництва систем 490199000
для контролю у реальному масштабі з ЧПК, 490600000
спеціально розроблених для виробництва
газотурбінних двигунів, технологічно об'єд-
наних агрегатів або компонентів, зазначених
у пункті 9.1.8.
2.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування, виробництва чи вико- 852422100
ристання систем контролю приладами або об- 852423100
ладнанням з ЧПК, зазначених у пункті 2.1.6. 852490910
852490990
2.2.11. Конструкція і технологія виробництва облад- 490199000
нання, спеціально розробленого для вироб- 490600000
ництва, випробувань або перевірки кріплень
лопаток газових турбін, розроблених для функ-
ціонування при швидкостях на кінцях лопаток,
які перевищують 335 м/с, і спеціально розроб-
лені пристрої або деталі до них
2.2.12. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування, виробництва чи вико- 852422100
ристання обладнання для виробництва та випро- 852423100
бування кріплень лопаток газових турбін, 852490910
зазначених у пункті 2.1.7. 852490990
2.2.13. Конструкція і технологія виробництва інст- 490199000
рументів, штампів і затискних пристроїв для 490600000
з'єднання в твердому стані (термодифузійним
зрощуванням) елементів газотурбінних дви-
гунів із суперсплавів і титану
2.2.14. Програмне забезпечення для проектування та 852421100
виробництва інструментів, штампів і затиск- 852422100
них пристроїв, зазначених у пункті 2.1.8. 852423100
852490910
852490990
2.2.15. Конструкція і технологія виробництва ін- 490199000
струментів (обладнання) для виробництва ме- 490600000
тодом порошкової металургії та гранульної
технології елементів роторів турбін дви-
гунів, здатних функціонувати при напрузі на
рівні 60 відсотків або більше граничної
міцності на разтягування та температурі ме-
талу 873 К (600гр.C) чи більше
2.2.16. Програмне забезпечення для проектування, 852421100
виробництва та використання інструментів 852422100
(оснащення), зазначених у пункті 2.1.9. 852423100
852490910
852490990
2.2.17. Конструкція і технологія виробництва облад-
нання для розроблення та виробництва накопи-
чувачів на магнітних і оптичних дисках
2.2.17.1. Конструкція і технологія виробництва об- 490199000
ладнання, спеціально спроектованого для на- 490600000
несення магнітного покриття на магнітні,
оптичні або магнітооптичні носії, зазначені
у пункті 4.1.2.5.1.
Примітка. Вимоги за пунктом 2.2.17.1. не поширюються
на конструкції та технології обладнання для
напилення загального призначення.
2.2.17.2. Конструкція і технологія виробництва облад- 490199000
нання, яке має програмно-керований за- 490600000
пам'ятовувальний пристрій, спеціально спро-
ектований для забезпечення якості, сортуван-
ня за якістю, прогонів або тестування твер-
дотільних магнітних носіїв, зазначених у
пункті 4.1.2.5.2.
2.2.17.3. Конструкція і технологія виробництва об- 490199000
ладнання, спеціально спроектованого для ви- 490600000
робництва або юстирування голівок чи голі-
вок складених з диском, стосовно підлеглих
експортному контролю твердотільних магнітних
та магнітооптичних накопичувачів, а також
електромеханічних або оптичних вузлів, заз-
начених у пункті 4.1.2.5.
2.2.18. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене або модифіковане для проектування, ви- 852422100
робництва чи використання обладнання для 852423100
розроблення та виробництва накопичувачів на 852490910
магнітних та оптичних дисках, зазначених у 852490990
пункті 2.1.10.
2.2.19. Конструкція і технологія для виробництва 490199000
обладнання для неруйнівного контролю, здатне 490600000
знаходити дефекти в трьох вимірах, викорис-
товуючи методи ультразвукової або рент-
генівської томографії та спеціально створене
для композитних матеріалів
2.2.20. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування вироб- 852422100
ництва чи використання в обладнанні для не- 852423100
руйнуючого контролю, зазначеного у пункті 852490100
2.1.11. 852490900
Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА
3.1. Вироби, обладнання і компоненти
3.1.1. Інтегральні схеми
Примітки: 1. Необхідність експортного контролю на готові
пластини або напівфабрикати, на яких відтво-
рена конкретна функція, оцінюється за пара-
метрами, зазначеними в пункті 3.1.1.
2. Поняття "інтегральні схеми" включає такі
типи:
твердотільні інтегральні схеми;
гібридні інтегральні схеми;
багатокристалічні інтегральні схеми;
плівкові інтегральні схеми, а також ці
схеми з інтегральними схемами типу
"кремній на сапфіри";
оптичні інтегральні схеми.
3.1.1.1. Мікропроцесорні мікросхеми, мікрокомп'ютерні
мікросхеми і мікросхеми мікроконтролерів,
які мають одну з таких характеристик:
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктом 3.1.1.1. не
поширюється на кремнієві мікрокомп'ютерні
мікросхеми та мікросхеми мікроконтролерів,
які мають довжину операнду (даних) 8 біт і
менше.
2. Пункт 3.1.1.1. містить цифрові сигнальні
процесори, цифрові матричні процесори і
цифрові співпроцесори.
3.1.1.1.1. розрядність зовнішньої шини даних перевищує 854211870
32 біта або розрядність доступу до арифметич-
но-логічного пристрою перевищує 32 біта;
3.1.1.1.2. тактова частота перевищує 40 МГц; 8542
3.1.1.1.3. зовнішня шина даних має розрядність 32 біта
і більше,а продуктивність дорівнює 12,5 млн.
команд за секунду і більше; 854211870
Примітка. Якщо продуктивність не визначена, слід ко-
ристуватися величиною, зворотною середній
тривалості команди (в мікросекундах).
3.1.1.1.4. процесор паралельного типу, оснащений для 854211760
зовнішнього підключення більше ніж однією
шиною даних або команд чи послідовним пор-
том зв'зку з пропускною здатністю понад
2,4 Мбайт/с
3.1.1.2. Інтегральні схеми пам'яті:
3.1.1.2.1. електрично перепрограмовані напівпостійні 854211720
запам'ятовувальні пристрої з довільною ви-
біркою з ємністю пам'яті,що перевищує 1 Мбіт
на один корпус або 256 Кбіт на один корпус,
і які мають максимальний час доступу 80 нс
3.1.1.2.2. статичні запам'ятовувальні пристрої з довіль- 854211550
ною вибіркою з ємністю пам'яті, що перевищує
1 Мбіт на один корпус або 256 Кбіт на один
корпус, і які мають максимальний час доступу
25 нс
3.1.1.2.3. інтегральні схеми пам'яті, виготовлені на 854211760
основі складного напівпровідника
3.1.1.3. Електроннооптичні або оптичні інтегральні 85429
схеми для обробки сигналів, які мають:
один внутрішній лазерний діод або більше;
один внутрішній світлочутливий елемент або
більше;
оптичні хвильоводи
3.1.1.4. Програмовані у користувача базові матричні 854211300
кристали,які мають одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
30000 (в переліку на двовходові);
типовий час затримки поширення сигналу
в базовому вентилі менше 0,4 нс
3.1.1.5. Програмовані у користувача логічні матриці, 854211910
які мають хоча б одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
5000 (в переліку на двовходові);
частота перемикання перевищує 100 МГц
3.1.1.6. Інтегральні схеми для нейронних мереж 854219
3.1.1.7. Замовні інтегральні схеми, які мають одну з 854219
таких характеристик:
кількість виводів більше 144;
типовий час затримки поширення сигналу
в базовому вентилі менше 0,4 нс;
робоча частота більше 3 ГГц
3.1.1.8. Цифрові інтегральні схеми, що відрізняються 854211990
від зазначених у пунктах 3.1.1.1. - 3.1.1.7.,
створені на основі будь-якого складного
напівпровідника і мають хоча б одну з таких
характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше 300
(в переліку на двовходові);
частота перемикання понад 1,2 ГГц
3.1.2. Прилади мікрохвильового та міліметрового
діапазону
3.1.2.1. Електронні вакуумні лампи та катоди:
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.1. не
поширюється на лампи, призначені для роботи
у стандартному діапазоні частот цивільної
комунікації, з частотами, які не перевищують
31 ГГц.
3.1.2.1.1. Лампи біжучої хвилі імпульсної або безперерв- 854049000
ної дії:
які працюють на частотах більше 31 ГГц;
які мають елемент підігріву катоду з
часом від включення до виходу лампи на
номінальту радіочастотну потужність менше
3 с;
із сполученими резонаторами або їх модифі-
каціями;
із спіраллю або її модифікацією, які мають
одну з таких ознак:
миттєва ширина смуги частот дорівнює
пів-октави та більше і добуток номіналь-
ної середньої вихідної потужності (в
кіловатах) на максимальну робочу частоту
(в ГГц) перевищує 0,2;
миттєва ширина смуги частот дорівнює
меньше пів-октави і, добуток номінальної
