1.8.8.4. Алюмінієвих сплавів (Al-Mg-X або Al-X-Mg,
Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe)
1.8.8.5. Магнієвих сплавів (Mg-Al-X або Mg-X-Al)
Примітка. Х - показник рівності вмісту у сплаві одного
або більше складових елементів (домішок).
1.8.9. Технологія виробництва сплавлених матеріалів 490199000
у вигляді нездріблених гранул стружки або 490600000
тонких стержнів, виготовлених у середовищі,
що контролюється, методом спінінгування,
розплавлення з обертанням або екстракцією
розплаву, які використовуються під час ви-
робництва порошку для металевих сплавів або
гранул, що вводяться, зазначених у пункті
1.1.8.
1.8.10. Технологія виробництва магнітних матеріалів 490199000
усіх типів і будь-якої форми 490600000
1.8.10.1. Технологія виробництва магнітних матеріалів
з початковою відносною проникливістю 120000
і більше і завтовшки 0,05 мм або менше
1.8.10.2. Технологія виробництва магнітострикційних
сплавів:
з магнітострикційним насиченням понад
5*10 в ступ.(-4);
з коефіцієнтом магнітомеханічного зчеплен-
ня понад 0,8
1.8.10.3. Технологія виробництва магнітного сплаву у
вигляді аморфної стружки з вмістом мінімум
75 відсотків (за масою) заліза, кобальту або
нікелю, магнітною індукцією насичення не
менше 1,6 Т, товщиною стружки не більше
0,02 мм та питомим електричним опором не
менше 2*10 в ступ.(-4) Ом/см
1.9. Технологія виробництва полімерів, пластичних мас,
хімічних волокон та ниток, каучуків та виробів з них
1.9.1. Технологія виробництва полімерів 490199000
490600000
1.9.1.1. Технологія виробництва бісмалеіміду
1.9.1.2. Технологія виробництва ароматичних поліімід-
них матеріалів з термостійкістю понад 723 К
(450гр.C)
1.9.1.3. Технологія виробництва ароматичних поліхінок-
салінів і матеріалів на їх основі
1.9.1.4. Технологія виробництва ароматичних поліефіра-
мідів, які мають температуру склування понад
503 К (230гр.C)
1.9.1.5. Технологія виробництва ароматичних поліамідів
Примітка. Технологія виробництва неплавких порошків
для формотворення під тиском або підготовки
форм із матеріалів, зазначених у пунктах
1.9.1.1., 1.9.1.3., 1.9.1.5., 1.9.1.6.,
1.9.1.13., експортному контролю не підлягає.
1.9.1.6. Технологія виробництва виробів з нефторова-
них полімерних речовин, зазначених у пунктах
1.2.1.5. - 1.2.1.10., 1.2.1.13., у вигляді
плівки, листа, стрічки або смужки:
завтовшки понад 0,254 мм;
покритих вуглецем, графітом, металами або
магнітними речовинами
1.9.1.7. Технологія виробництва термопластичних рідко-
кристалічних сополімерів, що мають температу-
ру теплової деформації понад 523 К (250гр.C),
виміряну під час навантаження 1,82 н/кв.мм,
і створених сполученням:
пара-фенілену, пара-пара-біфенілену або
2,6 нафталіну;
метилу, третинного бутилу або феніл-замі-
щеного фенілену, біфенілену або нафталіну
з будь-якою з таких кислот:
терефталевою кислотою;
6-гідрокси-2 нафтойною кислотою;
4-гідроксибензойною кислотою
1.9.1.8. Технологія виробництва поліаріленових ефір-
них кетонів:
поліефіроефірокетону;
поліефірокетон-кетону;
поліефірокетону;
поліефірокетон ефірокетон-кетону
1.9.1.9. Технологія виробництва поліаріленових ке-
тонів
1.9.1.10. Технологія виробництва поліаріленових су-
льфідів, де аріленова група є біфеніленом,
трифеніленом або їх комбінації
1.9.1.11. Технологія виробництва полібіфеніленефір-
сульфону
1.9.1.12. Технологія виробництва матеріалів-напівфабри-
катів (а саме полімерних або металоорганіч-
них матеріалів спеціального призначення):
полідіорганосіланів (для виробництва кар-
біду кремнію);
полісілазанів (для виробництва кераміки з
кремнієвими, вуглецевими або азотними
компонентами)
1.9.1.13. Технологія виробництва полібензотіазолів або
полібензоксозолів
1.9.2. Технологія виробництва речовин, що містять 490199000
фтор 490600000
1.9.2.1. Технологія виробництва необроблених сполук
фтору:
сополімерів фтористого вінілідену, які
містять 75 відсотків або більше бетакрис-
талічної структури, одержаної без витягу-
вання;
фтористих поліімідів, які містять 30
відсотків і більше зв'язаного фтору;
фтористих фосфазенових еластомерів, що
містять 30 відсотків або більше зв'язаного
фтору
1.9.2.2. Технологія виробництва фтористих еластомерних
сполучень, які містять хоча б один дивініл-
ефірний мономер
1.9.2.3. Технологія виробництва ущільнень, прокладок
сідел клапанів, трубчастих ущільнень або
діафрагм з фтореластомерів, що містять хоча
б один вініловий мономер, спеціально призна-
чений для авіаційної та аерокосмічної техні-
ки, і зазначені у пункті 1.2.2.3.
1.9.2.4. Технологія виробництва п'єзоелектричних по-
лімерів і сополімерів, виготовлених з фто-
ристого вінілідену у вигляді плівки або лис-
та завтовшки понад 200 мкм
1.9.3. Технологія виробництва електропровідних по- 490199000
лімерних матеріалів з питомою електричною 490600000
провідністю понад 10 сіменс/м або поверхне-
вим опором менше 10 Ом/кв.м, виконаних на
основі таких полімерів:
поліаніліну;
поліпіролу;
політеофену;
поліфенілен-вінілену;
політіофінілен-вінілену;
технологія для нанесення, експлуатації або
відновлення (ремонту) матеріалів, зазначе-
них у пункті 1.2.3.
1.9.4. Технологія виробництва ароматичних поліа- 490199000
мідних волокон 490600000
1.9.5. Технологія виробництва волокнистих або нитко- 490199000
подібних матеріалів на основі: 490600000
поліефірімідів, зазначених у пункті
1.2.1.13.;
матеріалів, зазначених у пунктах
1.2.1.15.-1.2.1.19.
1.9.6. Технологія виробництва фторсилаксанових 490199000
каучуків, працездатних при температурах ниж- 490600000
че 213 К (-60 гр.C) і понад 473 К (200гр.C)
1.9.7. Технологія виробництва герметиків на основі 490199000
рідкого тіоколу, працездатних при температу- 490600000
рах нижче 213 К (-60гр.C) і понад 423 К (150гр.C)
1.9.8. Технологія виробництва кремнійорганічних 490199000
герметиків, працездатних при температурах 490600000
213 К (-60гр.C) і понад 523 К (250гр.C)
1.9.9. Технологія виробництва органічних полімерних 490199000
фотоприймачів для просторово-часових модуля- 490600000
торів світла
1.9.10. Технологія виробництва діпараксілілену (моно- 490199000
меру Д-2) 490600000
1.10. Технологія виробництва композиційних
та керамічних матеріалів
1.10.1. Технологія виробництва матеріалів на кера- 490199000
мічній основі, некомпозиційних керамічних 490600000
матеріалів, матеріалів типу композит з ке-
рамічною матрицею, а також їх напівфабри-
катів
1.10.1.1. Основних матеріалів з простих або складних
боридів титану, які мають металеві домішки
(крім спеціальних домішок) на рівні менше
5000 часток на мільйон, при середньому
розмірі частки, рівному або меншому 5 мкм
(при цьому не більше 10 відсотків часток
розміром понад 10 мкм)
1.10.1.2. Некомпозиційних керамічних матеріалів у виг-
ляді сирих напівфабрикатів (крім абразивів)
на основі боридів титану з густиною 98
відсотків або більше від теоретичного зна-
чення
1.10.1.3. Технологія для відновлення композиційних
структур, шаруватих структур або матеріалів,
зазначених у пункті 1.3.3.
1.10.2. Технологія виробництва тривимірно-армованих 490199000
вуглець-вуглецевих матеріалів типу КІМФ з 490600000
підвищеною ерозійною стійкістю, яка характе-
ризується швидкістю винесення маси менше
3 мм/с при температурі 3773 К (3500гр.C) і
більше та тиску 150 атм і більше
1.10.3. Технологія виробництва об'ємно-армованих 490199000
вуглець-вуглецевих матеріалів типу "ЗОРЯ" з 490600000
підвищеною ерозійною стійкістю, що характе-
ризується швидкістю винесення маси менше
0,05 мм/с при температурі 3773 К (3500гр.C) і
більше та тиску 150 атм і більше
1.10.4. Технологія виробництва жаростійких вуглеце- 490199000
вих матеріалів на робочі температури понад 490600000
2025 К (1750гр.C) з межею міцності понад
300 МПа (30 кгс/кв.мм) (для застосування у
вуглець-вуглецевих матеріалах) і понад
200 МПа (20 кгс/кв.мм) (для застосування у
вуглець-керамічних матеріалах)
1.10.5. Технологія виробництва теплоізоляційних 490199000
термостабільних (десятки тисяч годин у ді- 490600000
апазоні температур до 1025 К (750гр.C) еко-
номічно чистих матеріалів типу КГ-3 на ос-
нові графіту з густиною 0,2 г/куб.м і ко-
ефіцієнтом теплопровідності 0,1 Вт/(м.К)
1.10.6. Технологія виробництва базових матеріалів 490199000
або некомпозиційних керамічних матеріалів 490600000
1.10.6.1. Технологія виробництва базових матеріалів із
сумарними металевими домішками (включаючи
ті, що вносяться навмисно):
менше 1000 частинок на мільйон для комп-
лексних сполук та одиничних карбідів;
менше 5000 частинок на мільйон для комп-
лексних сполук або одиничних карбідів при
середньому розмірі частинки, рівному чи
меншому 5 мкм (при цьому не більше 10 від-
сотків частинок з розмірами понад 10 мкм);
містять пластинки із співвідношенням дов-
жини до товщини, що перевищує значення 5;
короткі стержні (вуса) із співвідношенням
довжини до діаметра понад 10 для діаметрів
стержнів менше 2 мкм;
довгі або рублені волокна з діаметром мен-
шим 10 мкм, з таких матеріалів:
одиночних або комплексних оксидів цир-
конію і комплексних оксидів кремнію або
алюмінію;
одиночних нітридів бору (з кубічними
формами кристалів);
одиночних або комплексних карбідів
кремнію або бору;
одиночних або комплексних нітридів кремнію
Примітка. Для цирконію зазначені межі розмірів части-
нок відповідно дорівнюють 1 мкм і 5 мкм.
1.10.6.2. Технологія виробництва некомпозиційних ке-
рамічних матеріалів (крім абразивів), зазна-
чених у пункті 1.10.6.1.
1.10.7. Технологія виробництва пінопласту з мікро- 490199000
сферами для використання під водою на морсь- 490600000
ких глибинах понад 1000 м і з густиною менше
561 кгс/куб.м
1.10.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва або використання пінопласту з мікрос- 852433100
ферами для застосування під водою на морсь- 852490910
ких глибинах понад 1000 м і густиною менше 852490990
561 кг/куб.м
1.11. Технологія виробництва рідин та
мастильних матеріалів
1.11.1. Технологія виробництва гідравлічних рідин, 490199000
які містять як основні складові будь-які з 490600000
таких речовин або матеріалів
1.11.1.1. Синтетичні вуглеводневі мастила або кремній-
вуглецеві мастила з точкою займання понад
427 К (204гр.C),точкою застигання 239 К (-34гр.C)
або нижче, коефіцієнтом в'язкості 75 обо
більше, термостабільністю при 616 К (343гр.C)
Примітка. Зазначені у пункті 1.11.1.1. кремній-вугле-
водневі мастила містять виключно кремній,
водень і вуглець.
1.11.1.2. Хлоро-фторвуглеці з температурою самозайман-
ня понад 977 К (704гр.C) з точкою застигання
219 К (-54гр.C), коефіцієнтом в'язкості 80 або
більше і точкою кипіння 473 К (200гр.C) або
більше
Примітка. Зазначені у пункті 1.11.1.2. хлоро-фтор-
вуглеці містять виключно хлор,фтор і вуглець.
1.11.2. Технологія виробництва мастильних матеріалів, 490199000
що містять як основні складові такі речовини 490600000
і матеріали
1.11.2.1. Феніленові або алкілфеніленові ефіри або
тіоефіри або їх суміші, які містять більш
ніж дві ефірні або тіоефірні функції або
суміші
1.11.2.2. Фторовані рідини, які містять кремній і ха-
рактеризуються кінематичною в'язкістю менше
5000 кв.мм/с (5000 сантістоксів) при темпе-
ратурі 298 К (25гр.C)
1.11.3. Технологія виробництва зволожувальних і фто- 490199000
рованих рідин з показником чистоти понад 490600000
99,8 відсотка, що містять менше ніж 25 час-
тинок розміром 200 мкм або більше на 100 мл,
і виготовлених щонайменше на 85 відсотків з
таких речовин і матеріалів
1.11.3.1. Дібромтетрафторетану
1.11.3.2. Поліхлортрифторетилену (тількі маслянисті і
воскоподібні модифікації)
1.11.3.3. Полібромтрифторетилену
1.12. Технологія виробництва фармацевтичних
препаратів та токсичних речовин
1.12.1. Технологія виробництва поліанатоксинів 490199000
490600000
1.12.2. Технологія виробництва вакцини інактивованої, 490199000
концентрованої, очищеної для профілактики 490600000
венесуельського енцефаліту на основі
оригінального штаму СМ-27
1.12.3. Технологія виробництва дивакцини інактивова- 490199000
ної культуральної, очищеної для профілактики 490600000
східного і західного енцефаліту коней
1.12.4. Технологія виробництва препаратів групи 490199000
холінестераз для визначення фосфорорганічних 490600000
ОР та інформація з використання препаратів
1.12.5. Технологія одержання і використання імуно- 490199000
глабулінів полігрупових люмінесціючих ри- 490600000
кетсіозних, які дають змогу проводити інди-
кацію рикетсій групи висипного тифу, кліщо-
вої плямистої лихоманки та курикетсіозу під
час імунофлуоресцентного аналізу
1.12.6. Діагностикум, технологія одержання та вико- 490199000
ристання культурального, полівалентного 490600000
діагностикуму геморагічної лихоманки з нир-
ковим синдромом для непрямого методу імуно-
флюоресценсії
1.12.7. Гібридомна технологія одержання імунодіа- 490199000
гностикуму моноклонального люмінесціюючого 490600000
до вірусу кліщового енцефаліту та інформація
про використання діагностикуму
1.12.8. Інформація про синтез і оцінка фізико-хіміч- 490199000
них токсикологічних характеристик нейроток- 490600000
сикантів надвисокої токсичності з середньою
летальною дозою менше 0,1 мк/кг з метою по-
шуку нейротоксикантів високої ефективності
1.13. Технологія виробництва електротехнічних матеріалів
1.13.1. Технологія виготовлення і нанесення радіо- 490199000
поглинаючих покриттів типу ФП-1 і ФП-3 з 490600000
коефіцієнтом відбиття менше 15 відсотків при
температурі до 623 К (350гр.C)
1.13.2. Технологія виробництва багатошарових струк- 490199000
тур кадмій-ртуть-телур (КРТ) з використанням 490600000
вакуумного синтезу
1.13.3. Технологія виробництва матеріалів для оптич- 490199000
них датчиків 490600000
1.13.3.1. Технологія виробництва елементарного телуру
(Те) чистотою рівною чи більшою 99,9995
відсотка
1.13.3.2. Технологія виробництва монокристалів телуриду
кадмію (CdTe) будь-якої чистоти, включаючи
епітаксійні пластини
1.13.3.3. Технологія виробництва заготовок оптичних
волокон, спеціально призначених для вироб-
ництва волокон з високим двопроменезаломлен-
ням, які використовуються в оптоволоконних
датчиках, зазначених у пункті 6.1.2.5.
1.13.4. Технологія виробництва оптичних матеріалів 490199000
490600000
1.13.4.1. Технологія виробництва селеніду цинку (ZnSe)
та сульфіду цинку (ZnS) у вигляді пластин-
підкладок, виготовлених хімічним осадженням
парів, об'ємом понад 100 куб.см чи діаметром
понад 80 мм при товщині рівній чи більшій
20 мм
1.13.4.2. Технологія виробництва зливків електрооптич-
них матеріалів:
арсеніду титанату калію (КТА);
змішаного селеніду срібла чи галію
(Ag aSe2);
змішаного селеніду талію чи миш'яку
(Tl3AsSl3), також відомого як TAS
1.13.4.3. Технологія виробництва нелінійних оптичних
матеріалів, які мають піддатливість третього
порядку (3) рівну чи меншу 1 Вт/кв.м, час
відгуку менше 1 мс
1.13.4.4. Технологія виробництва пластинчатих підкладок
карбіду кремнію чи осаджених матеріалів бе-
рилію/берилію (Ве/Ве) понад 300 мм в діамет-
рі чи довжини найбільшої осі
1.13.4.5. Технологія виробництва матеріалів з малим
оптичним поглинанням:
1.13.4.5.1технологія виробництва складних сполук фтору,
які містять інградієнти з чистотою 99,999
відсотка чи більше
Примітка. За пунктом 1.13.4.5.1. підлягають експортно-
му контролю тільки фториди цирконію або
алюмінію та подібні сполуки.
1.13.4.5.2технологія виробництва об'ємного скла із
сполук, зазначених у пункті 1.13.4.5.1., які
містять фтор
1.13.4.6. Технологія виробництва скла, яке містить
розплави кремнію та скла з фосфатів, фтор-
фосфатів, фториду цирконію (ZrF4) та фториду
гафнію (HfF4) з концентрацією гідроксильних
іонів (ОН-) менше 5 проміле, інтегральними
рівнями чистоти металів менше 1 проміле, ви-
сокою однорідністю (варіацією показника за-
ломлення менше 5*10 в ступ.(-6)
1.13.4.7. Технологія виробництва синтетичного алмазного
матеріалу з поглинанням менше 10 в ступ.(-5)
см на довжині хвилі понад 200 нм, але не більше
14000 нм
1.13.4.8. Технологія виробництва оптоволоконних заго-
товок, виготовлених з об'ємних сполук фто-
ридів, які містять інгредієнти з чистотою
99,999 відсотка або краще, спеціально роз-
роблені для виробництва фторидних волокон,
зазначених у пункті 6.1.5.4.
1.13.5. Технологія виробництва матеріалів для крис- 490199000
талічних основ лазерів: 490600000
сапфіру з імплантованим титаном;
олександриту
1.13.6. Технологія виробництва матеріалів резистів і 490199000
підкладок, які покриті резистами 490600000
1.13.6.1. Технологія виробництва позитивних резистів
із спектральною чутливістю, оптимізованою на
випромінювання з довжиною хвилі менше 370 нм
1.13.6.2. Технологія виробництва резистів, що ви-
користовуються для експонування електронними
та іонними пучками, з чутливістю не гірше
0,01 мкКл/кв.мм
1.13.6.3. Технологія виробництва резистів, що ви-
користовуються для експонування рентгенівсь-
кими променями, з чутливістю не гірше
2,5 мДж/кв.мм
1.13.6.4. Технологія виробництва резистів, що оп-
тимізовані під технологію формування малюнку,
із силіційованими резистами включно
1.13.7. Технологія виробництва металоорганічних спо- 490199000
лук алюмінію, галію чи індію, які мають чис- 490600000
тоту (металевої основи) понад 99,999 відсот-
ка
1.13.8. Технологія виробництва гідридів фосфору, 490199000
миш'яку чи сурми, які мають чистоту понад 490600000
99,999 відсотка навіть після розведення
нейтральними газами
Примітка. Технологія виробництва гідридів, що містять
20 або більше мольних відсотків інертних
газів чи водню, не підлягає експортному
контролю відповідно до пункту 1.13.8.
1.13.9. Технологія виробництва заготовок скла чи 490199000
будь-яких інших матеріалів,оптимізованих для 490600000
виробництва оптичних волокон, зазначених у
пункті 6.1.5.
1.13.10. Технологія нанесення покриттів на оптичні 490199000
волокна, спеціально призначені для підводно- 490600000
го використання
1.13.11. Технологія виробництва надпровідних компо- 490199000
зитних матеріалів довжиною понад 100 м або 490600000
масою понад 100 г
1.13.11.1.Технологія виробництва багатожильних над-
провідних композитних матеріалів, які
містять одну ніобієву нитку або більше:
покладених у матрицю не з міді і не на ос-
нові матеріалу, який містить мідь;
з площею поперечного перерізу менше
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм (6 мкм з діаметром
у разі, коли нитка має круглий перетин)
1.13.11.2.Технологія виробництва надпровідних компо-
зитних матеріалів не з ніобій-титану, які
складені з однієї і більше надпровідних ни-
ток:
з критичною температурою при нульовій
магнітній індукції,яка не перевищує 9,85 К
(-263,31гр.C),але не нижчою 24 К (-249,16гр.C);
з площею поперечного перетину менше
0,28*10 в ступ.(-4) кв.мм;
які залишаються у стані надпровідності при
температурі 4,2 К (-268,96 гр.C), при пере-
буванні у магнітному полі з магнітною
індукцією 12 Т
1.13.12. Інформація про результати випробувань та роз- 490199000
роблень високотемпературних надпровідників з 490600000
критичним магнітним полем, з магнітною
індукцією понад 150 Т і критичним струмом
понад 1000 МА/кв.м при температурі 77 К
(-196гр.C) для техніки магнітного прискорення
об'єктів
1.13.13. Інформація про конструкційні і технологічні 490199000
рішення у галузі створення імпульсних джерел 490600000
елекроенергії на основі формуючих ліній з
потужністю, що перевищує 100 ТВт при енер-
гії, яка перевищує 5 МДж
1.13.14. Інформація про конструкційні і технологічні 490199000
рішення у галузі створення імпульсних джерел 490600000
електроенергії на основі уніполярних генера-
торів, призначених для повільного відбору
потужності (понад 1 с) із запасом енергії по-
над 100 МДж та швидкого відбору потужності
(менше ніж 1 мс) із запасом енергії 1 МДж
1.14. Технологія виробництва функціональних
виробів та вузлів
1.14.1 Конструкція і технологія виробництва анти-
фрикційних підшипників або систем підшипни-
ків та їх компонентів
Примітка. Експортний контроль не поширюється на
конструкцію і технологію виробництва шарико-
підшипників з допусками, встановленими ви-
робниками відповідно до стандартів ІСО 3290
клас 5 або гірше.
1.14.1.1 Конструкція і технологія виробництва куль- 490199000
кових або роликових підшипників (крім ко- 490600000
нічних роликових підшипників), що мають до-
пуски, які встановлює виробник відповідно до
стандарту ІСО, і будь-яку з таких характерис-
тик:
кільця, шарики або ролики з мідно-нікельово-
го сплаву або берилію;
виготовлені для застосування при рабочих
температурах понад 573 К (300гр.C) або із зас-
тосуванням спеціальних матеріалів чи
спеціального теплового оброблення;
з елементами змащення або компонентом, що
модифікує цей елемент, який згідно із спе-
цифікацією виробника спеціально спроектова-
ний для підшипників, які працюють при швид-
костях, що відповідають значенню КСВ понад
2,3*10 в ступ.(6)
1.14.1.2. Конструкція і технологія виробництва інших 490199000
кулькових або роликових підшипників (крім 490600000
конічних роликових підшипників), що мають
допуски, які встановлює виробник відповідно
до стандарту ІСО клас 2 або краще (чи
національними еквівалентами)
1.14.1.3. Конструкція і технологія виробництва коніч- 490199000
них роликових підшипників, які мають будь- 490600000
яку з таких характеристик:
з елементами змащення або компонентом, що
модифікує цей елемент, який згідно із спе-
цифікацією виробника спеціально спроекто-
ваний для підшипників, які працюють при
швидкостях, що відповідають значенню КСВ
понад 2,3*10 в ступ.(6);
виготовлені для застосування при робочих
температурах нижче 219 К (-54гр.C) або вище
423 К (150гр.C)
1.14.1.4. Конструкція і технологія виробництва тонко- 490199000
стінних підшипників з газовим змащенням, ви- 490600000
готовлених для застосування при робочих тем-
пературах 561 К (288гр.C) чи вище та із здат-
ністю витримувати одиничне навантаження, що
перевищує 1 МПа
1.14.1.5. Конструкція і технологія виробництва актив- 490199000
них магнітних підшипникових систем 490600000
1.14.1.6. Конструкція і технологія виробництва під- 490199000
шипників ковзання серійного виготовлення, що 490600000
самоцентруються або встановлюються на шийку
валу, виготовлених для використання при ро-
бочих температурах нижче 219 К (-54гр.C) або
понад 423 К (150гр.C)
1.14.1.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування чи ви- 852422100
робництва підшипників, зазначених у пункті 852433100
1.7.1. 852490910
852490990
1.14.2. Конструкція і технологія виробництва батарей
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-
рукцію і технологію виробництва батарей
об'ємом 26 куб.см і менше (наприклад, стан-
дартні вугільні елементи), зазначених у
пункті 1.14.2.
1.14.2.1. Конструкція і технологія виробництва первин- 490199000
них елементів та батарей з густиною енергії 490600000
понад 350 Вт.г/кг, придатних за технічними
умовами для роботи в діапазоні температур
від 243 К (-30гр.C) і нижче до 343 К (70гр.C) і
вище
1.14.2.2. Конструкція і технологія виробництва підза- 490199000
ряджуваних елементів і батарей з густиною 490600000
енергії понад 150 Вт.г/кг після 75 циклів
заряду - розряду при струмі розряду, що до-
рівнює С/5г (тут С - номінальна ємність в
А.г), при роботі в діапазоні температур від
253 К (-20гр.C) і нижче до 333 К (60гр.C) і вище
1.14.2.3. Конструкція і технологія виробництва радіа- 490199000
ційно стійких батарей на фотоелектричних 490600000
елементах з питомою потужністю понад
160 Вт/кв.м при робочій температурі 301 К
(28гр.C) і вольфрамовому джерелі, нагрітому до
2800 К (2527гр.C), створює енергетичну освітле-
ність 1 кВт/кв.м, здатних за технічними умо-
вами для космічного використання
1.14.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування батарей, зазначених у 852422100
пункті 1.7.2. 852433100
852490910
852490990
1.14.3. Конструкція і технологія виробництва накопи-
чувачів енергії
1.14.3.1. Конструкція і технологія виробництва накопи- 490199000
чувачів енергії з частотою повторення менше 490600000
10 Гц (одноразових накопичувачів), які мають
номінальну напругу не менше 5 кВ, густину
енергії не менше 250 Дж/кг та загальну
енергію не менше 25 кДж
1.14.3.2. Конструкція і технологія виробництва накопи- 490199000
чувачів енергії з частотою повторення менше 490600000
10 Гц і більше (багаторазових накопичувачів),
що мають номінальну напругу не менше 5 кВ,
густину енергії не менше 50 Дж/кг, загальну
енергію не менше 100 Дж та кількість циклів
заряду-розряду не менше 10000
1.14.3.3. Конструкція і технологія виробництва схем 490199000
або систем для накопичення електромагнітної 490600000
енергії, які містять компоненти з понадпро-
відних матеріалів, спеціально спроектованих
для роботи при температурах нижче критичної
температури хоча б з однією з надпровідних
складових, що мають робочі резонансні часто-
ти понад 1 МГц, густину енергії, що накопи-
чується, не менше 1 МДж/куб.м і час розряду
менше 1 мс
1.14.3.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування накопичувачів енергії, 852422100
зазначених у пункті 1.7.3. 852433100
852490910
852490990
1.14.4. Конструкція і технологія виробництва над- 490199000
провідних електромагнітів або соленоїдів, 490600000
спеціально спроектованих на повний заряд або
розряд менше ніж за хвилину, що мають макси-
мальну енергію в розряді, поділену на три-
валість розряду понад 500 кДж/хв., внутріш-
ній діаметр струмопровідних обмоток понад
250 мм і номінальну магнітну індукцію понад
8 Т або сумарну густину струму в обмотці
більше 300 А/кв.мм
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-
рукцію і технологію виробництва надпровід-
них електромагнітів або соленоїдів, спе-
ціально спроектованих для медичної апаратури
магніторезонансної томографії.
1.14.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування надпровідних електро- 852422100
магнітів або соленоїдів, зазначених у пункті 852433100
1.7.4. 852490910
852490990
1.14.6. Конструкція і технологія виробництва рентге- 490199000
нівських систем з короткоімпульсним розря- 490600000
дом, які мають пікову потужність, що переви-
щує 500 МВт, вихідну напругу, що перевищує
