середньої вихідної потужності (в кілова-
тах) на максимальну робочу частоту
(в ГГц) перевищує 0,4;
за технічними умовами придатні для кос-
мічного використання;
3.1.2.1.2. НВЧ-прилади-підсилювачі магнетронного типу з 854041000
коефіцієнтом підсилення більше 17 дБ
3.1.2.1.3. Інтегровані катоди для електронних ламп, які 854049000
мають одну з таких ознак:
час від вмикання до виходу на номінальну
емісію менше 3 с;
щільність току при безперевній емісії та
штатних умовах функціонування більше
5А/кв.см
3.1.2.2. Інтегральні схеми або модулі мікрохвильового 854049000
діапазону, які містять твердотільні інтег-
ральні схеми і працюють на частотах понад
31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.2. не
поширюється на схеми та модулі для
устаткування, розробленого для роботи в
стандартному діапазоні частот мереж зв'язку
цивільного призначення, з частотами, які не
перевищують 31 ГГц.
3.1.2.3. Мікрохвильові транзистори, призначені для 854049000
роботи на частотах, які перевищують 31 ГГц
3.1.2.4 Мікрохвильові твердотільні підсилювачі які: 854049000
працюють на частотах більше 10,5 ГГц і мають
ширину робочої смуги частот понад пів-
октави;
працюють на частотах понад 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.2.4. не
поширюється на підсилювачі:
спеціально спроектовані для медичних цілей;
спеціально спроектовані для простих навча-
льних приладів;
які мають вихідну потужність не більше
10 Вт і спеціально спроектовані для:
промислових або цивільних систем захисту
периметра, виявлення сторонніх осіб,
охоронної сигналізації;
автодорожніх або промислових систем
керування рухом та систем обчислення;
систем виявлення екологічного
забруднення повітря або води.
3.1.2.5. Смугові або загороджувальні фільтри з елек- 854049000
тронним чи магнітним налагодженням, які
мають понад 5 налагоджувальних резонаторів,
що забезпечують налагодження в смузі частот
з відношенням максимальної та мінімальної
частот 1,5/1 менше за 10 мкс, причому смуга
частот пропускання становить понад 0,5
відсотка резонансної частоти або смуга
подавлення становить менше 0,5 відсотка
резонансної частоти
3.1.2.6. Мікрохвильові збірки, здатні працювати на 854049000
частотах, які перевищують 31 ГГц
3.1.2.7. Гнучкі хвильоводи, спроектовані для викорис- 852910700
тання на частотах більше 40 ГГц
3.1.3. Прилади на акустичних хвилях та спеціально
спроектовані для них компоненти
3.1.3.1 Прилади на поверхневих акустичних хвилях і 854160000
акустичних хвилях в тонкій підложці (тобто
прилади для оброблення сигналів, що
використовують пружні хвилі в матеріалі),
які мають одну з таких ознак:
несуча частота перевищує 1 ГГц;
несуча частота 1 ГГц і менше, частотне по-
давлення бокових пелюстків діаграми напрям-
ку перевищує 55 дБ, добуток максимального
часу затримки (в мкс) на ширину смуги
частот (в МГц) більше 100 або затримка
поширення перевищує 10 мкс
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.3.1. не
поширюється на прилади, спеціально спроекто-
вані для побутової електроніки або розваг.
3.1.3.2. Прилади на об'ємних акустичних хвилях (тобто 854160000
прилади для оброблення сигналів, які викорис-
товують пружні хвилі в матеріалі), забезпечу-
ють безпосереднє оброблення сигналів на час-
тотах більше 1 ГГц
3.1.3.3. Акустооптичні прилади оброблення сигналів, 854160000
які використовують взаємодію між акустичними
хвилями (об'ємними чи поверхневими) і світло-
вими хвилями, що забезпечує безпосереднє об-
роблення сигналів або зображення, включаючи
аналіз спектру, кореляцію або згортку
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.3.3. не
поширюється на прилади, спеціально спроекто-
вані для цивільного телебачення, відео або
широкомовної апаратури з амплітудною чи час-
тотною модуляцією.
3.1.4. Електронні прилади або схеми, які містять 854280000
елементи, виготовлені з надпровідних ма-
теріалів, спеціально спроектовані для роботи
при температурах нижче критичної хоча б для
однієї з надпровідних складових і які мають
одну з таких ознак:
наявність електромагнітного підсилення на
частотах, рівних або нижче 31 ГГц,з рівнем
шумів нижче 0,5 дБ або на частотах вище
31 ГГц;
наявність струмових перемикачів для цифро-
вих схем, які використовують надпровіднико-
ві вентилі, де добуток часу затримки на
вентиль (у секундах) на розсіювання потуж-
ності на вентиль (у ватах) нижче 10 в ступ.
(-14) Дж;
забезпечення селекції частоти на всіх діа-
пазонах частот з використанням резонансних
контурів з добротністю більше 10000
3.1.5. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 854390900
положення вала в код, які мають роздільність
краще 1/265000 від повного діапазону
(18 біт) або точність краще +(-) 2,5 кут.с
3.1.6. Записувальна апаратура
3.1.6.1. Накопичувачі на магнітній плівці для аналого- 852039900
вої апаратури, включаючи накопичувачі з мож-
ливістю запису цифрових сигналів (тобто, що
використовують модуль цифрового запису висо-
кої щільності),які мають одну з таких ознак:
смуга частот перевищує 4 МГц на електрон-
ний канал або доріжку;
смуга частот перевищує 2 МГц на електрон-
ний канал або доріжку при кількості дорі-
жок більше 42;
помилка розузгодження змінної шкали менше
+(-) 0,1 мкс
3.1.6.2. Цифрові відеомагнітофони, які мають макси- 852110
мальну роздільну здатність цифрового інтер- 852190000
фейсу більше 180 Мбіт/с, крім спеціально
спроектованих для телевізійного запису за
стандартами або рекомендаціями для цивільно-
го телебачення
3.1.6.3. Накопичувачі на магнітній плівці для цифро- 852110
вої апаратури, які мають одну з таких ознак:
максимальна перепускна здатність цифрового
інтерфейсу більше 60 Мбіт/с та використан-
ня методів спірального сканування;
максимальна перепускна здатність цифрово-
го інтерфейсу більше 120 Мбіт/с і викорис-
тання фіксованих магнітних голівок;
за технічними умовами придатні для косміч-
ного використання
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.6.3. не
поширюється на аналогові накопичувачі на
магнітній плівці, оснащені електронікою для
перетворення в цифровий запис високої щіль-
ності та призначені для запису тільки цифро-
вих даних.
3.1.6.4. Апаратура з максимальною пропускною здат- 852190000
ністю цифрового інтерфейсу більше 60 Мбіт/с,
спроектована для перетворення цифрових ві-
деомагнітофонів у пристрої запису даних циф-
рової апаратури
3.1.7. Збірки синтезаторів частоти, які мають час 854380900
перемикання з однієї заданої частоти на іншу
менше 1 мс
3.1.8. Аналізатори сигналів: 854380900
здатні аналізувати частоти, що перевищують
31 ГГц;
динамічні аналізатори сигналів із смугою
пропускної здатності в реальному масштабі
часу, яка перевищує 25,6 кГц, крім тих,
які використовують фільтри із смугою
пропускання фіксованих частин (відомі
також як октавні або дрібнооктавні
фільтри)
3.1.9. Генератори сигналів синтезованих частот, які 854320000
формують вихідні частоти з керуванням за па-
раметрами точності, короткочасної та довго-
часної стабільності, на основі або за допо-
могою внутрішньої еталонної частоти і які
мають одну з таких ознак:
максимальна синтезована частота перевищує
31 ГГц;
час перемикання частоти з однієї заданої
частоти на іншу менше 1 мс;
фазовий шум однієї бокової смуги (ОБС) кра-
ще -(126+20lg(F)-20lg(f) в одиницях дБ/Гц,
де F - зміщення робочої частоти в Гц, а
f - робоча частота в МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.7.2. не
поширюється на апаратуру, в якій вихідна
частота створюється шляхом додавання або
віднімання частот з двох і більше кварцових
генераторів чи шляхом додавання або відні-
мання з наступним множенням результуючої
частоти.
3.1.10. Мережеві аналізатори з максимальною робочою 854380900
частотою, яка перевищує 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.10. не
поширюється на мережеві аналізатори з коли-
ванням частоти, робоча частота яких не пере-
вищує 40 ГГц і які мають шини даних для
інтерфейсу дистанційного керування.
3.1.11. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 852790990
які мають максимальну робочу частоту більше
31 ГГц і здатні одночасно вимірювати амплі-
туду та фазу
3.1.12. Атомні еталони частоти, які мають одну з та-
ких ознак:
3.1.12.1. довгочасова стабільність (старіння) менше 854320000
(краще) 1 *10 в ступ.(-11)/міс;
3.1.12.2 за технічними умовами придатні для космічно- 854320000
го використання
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.12.1. не
поширюється на рубідієві еталони, не призна-
чені для космічного використання.
3.1.13. Емулятори мікросхем, зазначених у пункті 854380900
3.1.1.1. або 3.1.1.6.
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.13. не
поширюється на емулятори, спроектовані під
сімейство, яке має хоча б один прилад, що не
підлягає експортному контролю за пунктами
3.1.1.1. або 3.1.1.6.
3.1.14. Установки для епітаксійного вирощування, ос-
нащені програмно-керованим запам'ятовуваль-
ним пристроєм
3.1.14.1. Установки для епітаксійного вирощування, 841989900
здатні витримувати товщину епітаксійного
шару з відхиленням не більше 2,5 відсотка
протягом не менше 75 мм вздовж пластини
3.1.14.2. Установки хімічного осаджування металоорга- 841989900
нічної пари, спеціально призначені для виро-
щування кристалів складних напіпровідників
за допомогою хімічних реакцій матеріалів,
зазначених у пунктах 1.6.11.- 1.6.12.
3.1.14.3. Установки молекулярно-променевої епітаксії, 841780100
які використовують газові джерела
3.1.15. Багатофункціональні іонно-променеві системи, 845610000
які фокусуються, оснащені програмно-керова-
ним запам'ятовувальним пристроєм, спеціально
спроектованим для виробництва, ремонту, ана-
лізу фізичної топології та тестування масок
або напівпровідникових приладів і які мають
одну з таких ознак:
точність керування положенням пучка на мі-
шені 0,25 мкм або краще;
роздільна здатність цифро-аналогового пе-
ретворення більше 12 біт
3.1.16. Багатокамерний центр обробки напівпровідни- 845610000
кових пластин з автоматичним завантаженням 845690000
та програмно-керованим запам'ятовувальним
пристроєм, що має пристрої для завантаження
та вивантаження пластин, до яких повинні
бути приєднані більше ніж дві установки тех-
нологічного оброблення напіпровідників, що
утворюють комплексну вакуумну систему для
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.16. не
поширюється на автоматичні робототехнічні
системи оброблення пластин, які не призначе-
ні для роботи у вакуумі.
3.1.17. Установки літографії, оснащені програмно-
керованим запам'ятовувальним пристроєм
3.1.17.1. Установки багаторазового суміщення та експо- 900922900
нування для обробки пластин методами фотооп-
тичної або рентгенівської літографії, які
мають одну з таких ознак:
наявність джерела освітлення з довжиною
хвилі коротше 400 нм;
цифрова апертура більше 0,40;
точність сполуки +(-) 0,2 мкм (3 сигма) або
краще
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.17.1. не
поширюється на установки багаторазового сумі-
щення та експонування, які мають довжину
хвилі джерела освітлення 436 нм або більше,
цифрову апертуру 0,38 або менше, діаметр
зображення 22 мм та менше.
3.1.17.2. Установки, спеціально спроектовані для вироб- 845610000
ництва масок або оброблення напіпровіднико-
вих приладів з використанням фокусованого
електронного пучка, що відхиляється, які
мають одну з таких ознак:
розмір плями менше 0,2 мкм;
здатність виробляти структуру з мінімальни-
ми розмірами менше 1 мкм;
точність суміщення краще +(-)0,2 мкм (3 сигма)
3.1.18. Маски або фотошаблони
3.1.18.1. Маски або фотошаблони для інтегральних схем, 901090000
зазначених у пункті 3.1.1.
3.1.18.2. Багатошарові маски, оснащені фазозсувним 901090000
шаром
3.1.19. Апаратура для випробувань, оснащена програм-
но-керованим запам'ятовувальним пристроєм,
спеціально спроектованим для випробувань
напівпровідникових приладів і безкорпусних
кристалів
3.1.19.1. Апаратура для виміру параметрів матриці 903180390
розсіювання на частотах більше 31 ГГц
3.1.19.2. Апаратура для випробувань інтегральних схем 903180390
та їх збірок, здатна виконувати функціо-
нальне тестування (за таблицями істинності)
з частотою тестування рядків більше 40 МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.2. не
поширюється на апаратуру, спеціально спроек-
товану для випробувань:
збірок або класу збірок для побутової
електроніки або розваг;
електронних компонентів, збірок або інтег-
ральних схем, які не підлягають експорт-
ному контролю.
3.1.19.3. Апаратура для випробувань мікрохвильових 903180390
інтегральних схем на частотах, що перевищу-
ють 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.3. не
поширюється на апаратуру, спеціально спроек-
товану для випробувань мікрохвильових інтег-
ральних схем, для устаткування, за технічни-
ми умовами, призначеного або придатного для
роботи в стандартному цивільному діапазоні
на частотах, які не перевищують 31 ГГц.
3.1.19.4. Електронно-променеві системи, спроектовані 903180390
для роботи при енергії нижче 3 кеВ або ла-
зерні променеві системи для безконтактного
зондування заживлених напівпровідникових
приладів, які мають одночасно стробоскопіч-
ний режим і затінення променя або детекторне
стробування і електронний спектрометр для
вимірювання напруги менше 0,5 В
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.1.19.4. не
поширюється на скануючі електронні мікроско-
пи, крім тих, які спеціально спроектовані та
оснащені для безконтактного зондування за-
живлених напівпровідникових приладів.
3.2. Програмне забезпечення і технологія
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктами 3.2.1. -
3.2.5. не поширюється на конструкцію і тех-
нологію виробництва:
мікрохвильових транзисторів, що працюють
на частотах нижче 31 ГГц;
інтегральних схем, зазначених у пункті
3.1.1., які використовують проектні норми
1 мкм та вище і не мають багатошарових
структур.
2. Не контролюється експорт багатошарової техно-
логії приладів, які містять максимум два ме-
талевих прошарки і два прошарки полікремнію.
3.2.1. Конструкція і технологія виробництва інтег-
ральних схем
3.2.1.1. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000
процесорних мікросхем, мікрокомп'ютерних мік- 490600000
росхем та мікросхем мікроконтролерів, які
мають одну з таких характеристик:
розрядність зовнішньої шини даних переви-
щує 32 біти або розрядність доступу до
арифметико-логічного пристрою перевищує
32 біти;
тактова частота перевищує 40 МГц;
зовнішня шина даних має розрядність 32 бі-
ти і більше, а продуктивність дорівнює
12,5 млн. команд за секунду і більше;
процесор паралельного типу, оснащений для
зовнішнього підключення більше ніж однієї
шини даних чи команд або послідовним пор-
том зв'язку з пропускною здатністю більше
2,4 Мбайт/сек.
Примітки: 1. Експортний контроль за пунктом 3.2.1.1. не
поширюється на конструцію і технологію ви-
робництва кремнієвих мікрокомп'ютерних
мікросхем і мікросхем мікроконтролерів, які
мають довжину операнду (даних) 8 біт і менше.
2. Експортний контроль за пунктом 3.2.1.1. не
поширюється на конструцію і технологію ви-
робництва цифрових сигнальних процесорів,
цифрових матричних процесорів та цифрових
співпроцесорів.
3.2.1.2. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000
ральних схем пам'яті: 490600000
3.2.1.2.1. конструкція і технологія виробництва напів-
постійних запам'ятовувальних пристроїв, які
електрично перепрограмовуються, з ємністю
пам'яті понад 256 Кбіт на один корпус і ма-
ють максимальний час доступу менше 80 нс або
ємність пам'яті понад 1 Кбіт на один корпус;
3.2.1.2.2. конструкція і технологія виробництва статич-
них запам'ятовувальних пристроїв з довільною
вибіркою з ємністю пам'яті, що перевищує
1 Мбіт на один корпус або перевищує 256 кбіт
на один корпус, і які мають максимальний час
доступу менше 25 нс;
3.2.1.2.3. конструкція і технологія виробництва інтег-
ральних схем пам'яті, виготовлених на основі
складного напівпровідника
3.2.1.3. Конструкція і технологія виробництва елек- 490199000
тронно-оптичних або оптичних інтегральних 490600000
схем для оброблення сигналів, які мають:
один внутрішній лазерний діод або більше;
один внутрішній світлочутливий елемент або
більше;
оптичні хвильоводи
3.2.1.4. Конструкція і технологія виробництва базових 490199000
матричних кристалів, які програмуються у ко- 490600000
ристувача і мають одну з таких характеристик:
еквівалентну кількість вентилів більше
30000 (в перерахунку на двовходові);
типовий час затримки поширення сигналу в
базовому вентилі менше 0,4 нс
3.2.1.5. Конструкція і технологія виробництва логіч- 490199000
них матриць, які програмуються у користувача 490600000
і мають одну з таких характеристик:
еквівалентна кількість вентилів більше
30000 (в перерахунку на двовходові);
частота перемикання перевищує 100 МГц
3.2.1.6. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000
ральних схем нейтронних мереж 490600000
3.2.1.7. Конструкція і технологія виробництва інтег- 490199000
ральних схем, які виготовляються на замовлен- 490600000
ня і мають одну з таких характеристик:
кількість виводів більше 144;
типовий час затримки поширення сигналу в
базовому вентилі менше 0,4 нс;
робоча частота більше 3 ГГц
3.2.1.8. Конструкція і технологія виробництва цифро- 490199000
вих інтегральних схем, що відрізняються від 490600000
зазначених у пунктах 3.1.1.1. - 3.1.1.7.,
створених на основі будь-якого складного
напівпровідника і мають одну з таких харак-
теристик:
еквівалентна кількість вентилів більше 300
(в перерахунку на двовходові);
частота перемикання перевищує 1,2 ГГц
3.2.2. Конструкція і технологія виробництва приладів
мікрохвильового або міліметрового діапазону
3.2.2.1. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000
ронних вакуумних ламп і катодів: 490600000
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.1. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва ламп, призначених для роботи в
стандартному діапазоні цивільної телекомуні-
кації з частотами, що не перевищують 31 ГГц.
3.2.2.1.1. конструкція і технологія виробництва ламп
бігучої хвилі імпульсної та безперервної
дії, які мають одну з таких характеристик:
працюють на частотах більше 31 ГГц;
містять елемент підігрівання катоду з ча-
сом вимикання до виходу лампи на номіналь-
ну радіочастотну потужність менше 3 с;
містять сполучені резонатори або їх мо-
дифікації;
містять спіраль або її модифікації, які
мають одну з таких ознак:
миттєва ширина смуги частот дорівнює
пів-октави чи більше і добуток номіналь-
ної середньої вихідної потужності (в
кВт) на максимальну робочу частоту (в
ГГц) перевищує 0,2;
миттєва ширина смуги частот дорівнює
менше ніж пів-октави та добуток номі-
нальної середньої вихідної потужності (в
кВт) і максимальної робочої частоти (в
ГГц) перевищує 0,4;
за технічними умовами придатні для кос-
мічного використання;
3.2.2.1.2. конструкція і технологія виробництва НВЧ-
приладів - підсилювачів магнетронного типу з
коефіцієнтом підсилення більше 17 дБ;
3.2.2.1.3. конструкція і технологія виробництва ім-
пресійованих катодів для електронних ламп,
які мають одну з таких ознак:
час від включення до виходу на номінальну
емісію менше 3 с;
щільність току під час безперервної емісії
та штатних умов функціонування більше
5 А/кв.см
3.2.2.2. Програмне забезпечення, спеціально розроб- 852421100
лене для проектування чи виробництва елект- 852422100
ронних вакуумних ламп та катодів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.2.1. 852490910
852490990
3.2.2.3. Конструкція і технологія виробництва ін- 490199000
тегральних схем або модулів мікрохвильового 490600000
діапазону, які мають твердотільні інтегральні
схеми і працюють на частотах понад 31 МГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.3. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва схем і модулів для устаткування,
розробленого або пристосованого для роботи в
стандартному діапазоні частот цивільної те-
лекомунікації з частотами, що не перевищують
31 ГГц.
3.2.2.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва інтег- 852422100
ральних схем та модулів мікрохвильового ді- 852423100
апазону, зазначених у пункті 3.1.2.2. 852490910
852490990
3.2.2.5. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000
рохвильових транзисторів,призначених для ро- 490600000
боти на частотах, що не перевищують 31 ГГц
3.2.2.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових транзисторів, призначених для ро- 852423100
боти на частотах, що не перевищують 31 ГГц 852490910
852490990
3.2.2.7. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000
хвильових твердотільних підсилювачів, які: 490600000
працюють на частотах більше 10,5 ГГц і ма-
ють ширину робочої смуги частот більше ніж
пів-октави;
працюють на частотах більше 31 ГГц
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.2.7. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва підсилювачів:
спеціально розроблених для медичних потреб;
спеціально спроектованих для простих нав-
чальних приладів;
з вихідною потужністю до 10 Вт і спеціально
спроектованих для:
промислових або цивільних систем захисту
периметра, виявлення сторонніх осіб або
захисної сигналізації;
автодорожніх або промислових систем ке-
рування рухом та систем підрахування;
систем виявлення екологічного забруднен-
ня повітря або води.
3.2.2.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових твердотільних підсилювачів, заз- 852423100
начених у пункті 3.1.2.4. 852490910
852490990
3.2.2.9. Конструкція і технологія виробництва смуго- 490199000
вих або загороджувальних фільтрів з елект- 490600000
ронним або магнітним налагодженням, які ма-
ють більше 5 налагоджувальних резонаторів,що
забезпечують налагодження в смузі частот з
відношенням максимальної та мінімальної час-
тот 1,5 менше 10 мкс,причому смуга пропускан-
ня становить більше 0,5 відсотка резонансної
частоти або смуга подавлення становить менше
0,5 відсотка резонансної частоти;
3.2.2.10. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва смугових 852422100
або загороджувальних фільтрів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.2.5. 852490910
852490990
3.2.2.11. Конструкція і технологія виробництва мікро- 490199000
хвильових збірок, здатних працювати на 490600000
частотах, що перевищують 31 ГГц
3.2.2.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва мікро- 852422100
хвильових збірок, здатних працювати на часто- 852423100
тах, що перевищують 31 ГГц 852490910
852490990
3.2.2.13. Конструкція і технологія виробництва гнучких 490199000
хвильоводів, спроектованих для використання 490600000
на частотах більше 40 ГГц
3.2.2.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва гнучких 852422100
хвильоводів, спроектованих для використання 852423100
на частотах більше 40 ГГц 852490910
852490990
3.2.3. Конструкція і технологія виробництва прила-
дів на акустичних хвилях і спеціально спро-
ектованих для них компонентів
3.2.3.1. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів на поверхневих акустичних хвилях в тон- 490600000
кій підложці (тобто приладів для оброблення
сигналів, що використовують пружні хвилі в
матеріалі), які мають одну з таких ознак:
несуча частота перевищує 1 ГГц;
несуча частота 1 ГГц і менше, частотне
приглушення бокових пелюстків діаграми
направленості перевищує 55 дБ, добуток
максимального часу затримки (в мкс) і сму-
ги частот (в МГЦ) більше 100 або затримка
поширення перевищує 10 мкс
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.3.1. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва приладів, спеціально спроектованих
для побутової електроніки і розваг.
3.2.3.2. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва приладів 852422100
на поверхневих акустичних хвилях у тонкій 852423100
підложці, зазначених у пункті 3.1.3.1. 852490910
852490990
3.2.3.3. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів на об'ємних акустичних хвилях (тобто 490600000
приладів для оброблення сигналів, що вико-
ристовують пружні хвилі в матеріалі), які
забезпечують безпосереднє оброблення сиг-
налів на частотах більше 1 ГГц
3.2.3.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва при- 852422100
ладів на об'ємних акустичних хвилях, зазна- 852423100
чених у пункті 3.1.3.2. 852490910
852490990
3.2.3.5. Конструкція і технологія виробництва акус- 490199000
тичних приладів оброблення сигналів, що ви- 490600000
користовують взаємодію між акустичними
(об'ємними чи поверхневими) і світловими
хвилями, яка забезпечує безпосереднє оброб-
лення сигналів або зображення, включаючи
аналіз спектра, кореляцію або згортку
Примітка. Експортний контроль за пунктом 3.2.3.5. не
поширюється на конструкцію і технологію ви-
робництва приладів, спеціально спроектованих
для цивільного телебачення, відео або
широкомовної апаратури з амплітудною чи час-
тотною модуляцією.
3.2.3.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування чи виробництва акустич- 852422100
них приладів оброблення сигналів, зазначених 852423100
у пункті 3.1.3.3. 852490910
852490990
3.2.4. Конструкція і технологія виробництва елект-
ронних приладів або схем, що містять елемен-
ти, виготовлені з надпровідних матеріалів,
спеціально спроектованих для роботи при тем-
пературі нижче критичної, хоча б однієї з
надпровідних складових, які мають одну з та-
ких ознак:
наявність електромагнітного підсилення на 490199000
частотах рівних або нижче 31 ГГц з рівнем 490600000
шумів нижче 0,5 дБ чи на частотах більше
31 ГГц;
наявність струмових перемикачів для цифро- 490199000
вих схем, що використовують надпровідні 490600000
