500 кВ, і ширину імпульсу менше 0,2 мкс
1.14.7. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не для проектування рентгенівських систем з 852422100
короткоімпульсним розрядом, зазначених у 852433100
пункті 1.7.5. 852490910
852490990
Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ
2.1. Виробниче обладнання, оснащення і пристрої
2.1.1. Інструмент, прес-форми, матриці або арматура
для надпластичного деформування (НД) чи тер-
модифузійного зрощення (ДЗ) та суміжного ме-
тоду оброблення (СДДЗ) титану, алюмінію або
їх сплавів, спеціально призначених для ви-
робництва
2.1.1.1. Корпусів літаків або аерокосмічних конструк- 820730100
цій
2.1.1.2. Двигунів для літаків або аерокосмічних апа- 820730100
ратів
2.1.1.3. Компонентів, спеціально призначених для 820730100
конструкцій чи двигунів,зазначених у пунктах
2.1.1.1. і 2.1.1.2.
2.1.2. Універсальні верстати (без програмного керу-
вання) для одержання оптично якісної по-
верхні
2.1.2.1. Токарні верстати, які використовують одну 845899900
точку фрезерування і мають такі характерис-
тики:
точність положення супорта менше 0,0005 мм
на 300 мм переміщення;
повторюваність двонапрямного положення су-
порта менше 0,00025 мм на 300 мм перемі-
щення;
биття та ексцентриситет шпінделя менше
0,0004 мм за індикатором загального зчиту-
вання;
кутова девіація руху супорта (рискання,тан-
гаж та обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за індикатором за-
гального зчитування на повному переміщенні;
перпендикулярність супорта менше 0,0001 мм
на 300 мм переміщення;
2.1.2.2. Верстати з летючою фрезою,які мають биття та 845969
ексцентриситет менше 0,0004 мм за індикатором
загального зчитування, кутову девіацію руху
супорта (рискання,тангаж та обертання навко-
ло поздовжньої осі) менше 2 дугових секунд
за індикатором загального зчитування на пов-
ному переміщенні
2.1.3. Верстати з ЧПК або верстати з ручним керуван-
ням (включаючи спеціально спроектовані ком-
поненти, елементи керування або пристрої для
них), спеціально спроектовані для фрезеруван-
ня, фінішного оброблення, полірування або
хонінгування загартованих (Rc=40 або більше)
конічних чи циліндричних шестерень
2.1.3.1. Загартованих конічних шестерень з якістю 846140310
після фінішного оброблення кращою ніж клас 4 846140390
за стандартом ІСО 1328
2.1.3.2. Загартованих циліндричних чи одно- або дво- 846140710
заходових черв'ячних шестерень з модулем 846140790
більше 1,250 мм і з лицьовою шириною, що до-
рівнює 15 відсоткам модуля або більше, з
якістю після фінішного оброблення краще ніж
клас 3 за стандартом ІСО 1328
2.1.4. Обладнання, спеціально спроектоване для реа-
лізації процесу та керування процесом нане-
сення неорганічного покриття, захисних шарів
та поверхневого модифікування, а також спе-
ціально спроектовані засоби автоматизованого
регулювання, маніпулятори та компоненти ке-
рування
2.1.4.1. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845690000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
нанесення твердого покриття з пароподібних
хімічних сполук з такими двома характеристи-
ками:
процес модифікований для одного з таких
методів:
пульсуючого осадження;
керованого термоядерного розкладу;
осадження, підсиленого плазмою або за
допомогою плазми;
використовується будь-який з таких засобів:
з впровадженням високого вакууму (рівним
або меншим 0,01 Па) для ущільнення
обертанням;
з впровадженням засобів контролю за тов-
щиною шару покриття
2.1.4.2. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845610000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
іонної імплантації, яке має одну з таких ха-
рактеристик:
силу струму променя 5 мА і більше;
прискорююча напруга понад 200 КеВ;
спеціально спроектовані та оптимізовані
для роботи з прискорюючими напругами ниж-
че 10 КеВ;
мають здатність керованого запису (імплан-
тації в межах заданої області);
придатні для імплантації високоенергетич-
ного кисню в нагрітий метал напівпровід-
никової підложки
2.1.4.3. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845610000
вальним пристроєм виробниче електронно-про-
меневе устаткування для нанесення покриття
методом фізичного осадження парів, яке
включає:
системи електроживлення з розрахунковою
потужністю понад 80 кВт;
лазерну систему керування рівнем рідини у
ванні, яка точно регулює швидкість пода-
вання вихідної речовини; або
керований комп'ютером покажчик (монітор)
швидкості, який працює на принципі фото-
люмінесценції іонізованих атомів у потоці
пару, необхідний для нормування швидкості
осадження покриття, що містить два або
більше елементів
2.1.4.4. Забезпечене програмно-керованим запам'ятову- 845690000
вальним пристроєм виробниче обладнання для
плазмового напилення, що має одну з таких
характеристик:
працює при зменшеному тиску атмосфери, що
контролюється (рівної або менше 10 кПа,
вимірюваної вище або в середині вихідного
перерізу сопла плазмового пальника) у ва-
куумній камері, здатній забезпечити зни-
ження до 0,01 Па перед початком процесу
напилення;
має у своєму складі засоби контролю за
товщиною шару покриття
2.1.4.5. Виробничі установки для металізації напилен- 845690000
ням, які мають програмно-керований запам'ято-
вувальний пристрій та здатні забезпечити
щільність струму 0,1 мА/кв.мм або більше з
продуктивністю напилення 15 мкм/год або
більше
2.1.4.6. Виробничі установки для катодно-дугового на- 851580900
пилення, які мають програмно-керований за-
пам'ятовувальний пристрій та систему електро-
магнітів для керування щільністю струму дуги
на катоді
2.1.4.7. Виробничі установки для іонної металізації, 845610000
які мають програмно-керований запам'ятову-
вальний пристрій та здатні проводити вимірю-
вання товщини підшарку покриття та керування
продуктивністю або оптичних характеристик
Примітка. Вимоги за пунктом 2.1.4.7. не поширюються на
стандартні виробничі установки для покриття,
що наноситься іонною металізацією на різаль-
ний інструмент металообробних верстатів.
2.1.4.8. Виробничі установки для сухого травлення 845690000
анізотропною плазмою, які мають програмно-
керований запам'ятовувальний пристрій:
з покасетним обробленням пластин та заван-
таженням через шлюзи, які мають одну з та-
ких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс;
спеціально спроектовані для обладнання,за-
значеного в пункті 3.4.3., що має одну з
таких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс
2.1.4.9. Виробничі установки для хімічного парофазно- 845690000
го осадження покриття плазмовою стимуляцією,
які мають програмно-керований запам'ятову-
вальний пристрій:
з покасетним обробленням пластин та заван-
таженням через шлюзи, які мають одну з та-
ких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс;
спеціально спроектовані для обладнання,
зазначеного в пункті 3.4.3., що мають одну
з таких ознак:
магнітний захист;
електронно-циклотронний резонанс
2.1.5. Спеціально розроблене обладнання,інструменти
або пристрої для виробництва чи вимірювання
параметрів лопаток газових турбін, литих ло-
патей або країв кожухів
2.1.5.1. Автоматичне вимірювальне обладнання, в якому 908180100
використовуються немеханічні методи вимірю-
вання товщини стінки несучих профілів лопатей
2.1.5.2. Інструменти, контрольне та вимірювальне об- 845610000
ладнання для лазерного, водострумного або 845630000
електроерозійного електротехнічного сверд-
лування отворів (порожнин):
глибиною у 4 рази більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,76 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менше 25о;
глибиною у 5 разів більшою їх діаметра,
діаметром менше 0,4 мм і кутами нахилу,
що дорівнюють або менше 25о
Примітка. Кут нахилу вимірюється від поверхні, яка об-
дувається потоком тангенційно в точці, де
вісь отвору перетинається з цією поверхнею.
2.1.5.3. Керамічні стержні (ядра, сердечники) або 690390900
патрони (вкладиші)
2.1.5.4. Керамічні стержні (ядра, сердечники) вироб- 690390900
ничого обладнання та інструментів
2.1.5.5. Керамічні сердечники для вилужувального об- 690390900
ладнання
2.1.5.6. Керамічні патрони (оболонки) для обладнання 690390900
для виготовлення воскових моделей
2.1.5.7. Керамічні патрони (вкладиші,оболонки) облад- 690390900
нання для обпалювання або випалювання (впа-
лювання)
2.1.6. Системи для контролю в реальному масштабі 903180100
часу, прилади (включаючи датчики) або облад-
нання з ЧПК, спеціально розроблені для ви-
робництва газотурбінних двигунів, техно-
логічно з'єднаних агрегатів чи компонентів,
зазначених у пункті 9.1.8.
2.1.7. Обладнання, спеціально розроблене для вироб- 845961
ництва та випробування (перевірки) кріплення 845969
лопаток газових турбін, розроблених для 902410
функціонування при швидкостях на кінцях ло-
паток, що перевищують 335 м/с, і спеціально
розроблені пристрої або деталі для них
2.1.8. Інструменти, штампи і затискні пристрої для 851580100
з'єднання в твердому стані (термодифузійного 851590000
зрощення) елементів газотурбінних двигунів
із суперсплавів і титану
2.1.9. Інструменти (оснащення) для виробництва ме- 846299100
тодом порошкової металургії та гранульованої
технології елементів роторів турбін двигунів,
здатних функціонувати на рівні 60 відсотків
або більше граничної міцності на розтягуван-
ня та температурі металу 873 К (600гр.C) чи
більше
2.1.10. Обладнання для розроблення і виробництва на-
копичувачів на магнітних та оптичних дисках
2.1.10.1. Обладнання, спеціально спроектоване для на- 845610000
несення магнітного покриття на жорсткі (не 845690000
гнучкі) магнітні або магнітооптичні носії,
зазначені в пункті 4.1.2.5.1.:
Примітка. Вимоги за пунктом 2.1.10.1. не поширюються
на обладнання для напилення загального приз-
начення.
2.1.10.2. Обладнання, яке має програмно-керований за- 847199900
пам'ятовувальний пристрій і спеціально спро-
ектоване для забезпечення якості, сортування
за якістю, прогонів або тестування жорстких
магнітних носіїв,зазначених у пункті 4.1.2.5.
2.1.10.3. Обладнання, спеціально спроектоване для ви- 903140000
робництва або юстирування головок чи головок,
складених з диском, пристосоване до твердих
магнітних та магнітнооптичних накопичува-
чів, зазначених у пункті 4.1.2.5., а також
їх електромеханічних або оптичних вузлів.
2.1.11. Обладнання для неруйнівного контролю, яке 902219000
здатне знаходити дефекти в трьох вимірах, 902229000
застосовуючи методи ультразвукової або рент- 903180390
генівської томографії
2.2. Програмне забезпечення і технологія виробничих процесів
2.2.1. Виробничі процеси металообробки
2.2.1.1. Технологія проектування верстатів (інстру- 490199000
менту), прес-форм або затискних пристроїв, 490600000
спеціально спроектованих для таких процесів:
надпластичного деформування;
термодифузійного зрощування;
гідравлічного пресування прямої дії
2.2.1.2. Технічні дані, які включають параметри або 490199000
методи реалізації процесу і використані для 490600000
керування:
2.2.1.2.1. надпластичним деформуванням алюмінієвих, ти-
танових сплавів або суперсплавів, включаючи
підготовку поверхні, ступінь деформації,
температуру та тиск;
Примітка. До суперсплавів належать сплави на основі ні-
келю, кобальту або заліза, які зберігають ви-
соку міцність при температурах понад 922 К
(649гр.C) у важких умовах функціонування та
навколишнього природного середовища.
2.2.1.2.2. термодифузійним зрощуванням суперсплавів чи
титанових сплавів, включаючи:
підготовку поверхні;
температуру;
тиск;
2.2.1.2.3. гідравлічним пресуванням прямої дії алюмі-
нієвих або титанових сплавів, включаючи:
тиск;
час циклу;
2.2.1.2.4. гарячою ізостатичною деформацією алюмінієвих
і титанових сплавів або суперсплавів, вклю-
чаючи:
температуру;
тиск;
час циклу
2.2.2. Конструкція і технологія виробництва гідрав- 490199000
лічних витяжних формувальних машин і матриць 490600000
для виготовлення легких корпусних конструкцій
2.2.3. Конструкція і технологія виготовлення універ-
сальних верстатів (без програмного керування)
для придбання оптичних якісних поверхонь
2.2.3.1. Токарних верстатів, які використовують єдину 490199000
точку фрезерування і мають такі характе- 490600000
ристики:
точність положення супорта менше 0,0005 мм
на 300 мм пересування;
повторення двонапрямного положення супорта
менше 0,0005 мм на 300 мм пересування;
биття та ексцентриситет шпінделя менше
0,0004 мм за показниками індикатора загаль-
ного зчитування;
кутова девіація руху супорта (рискання,
тангаж і обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за показниками інди-
катора загального зчитування на повному
пересуванні;
перпендикулярність супорта менше 0,01 мм на
300 мм пересування
2.2.3.2. Верстатів з летючою фрезою, які мають биття 490199000
та ексцентриситет менше 0,0004 мм за показ- 490600000
никами індикатора загального зчитування та
кутову девіацію руху супорта (рискання,тан-
гаж і обертання навколо поздовжньої осі)
менше 2 дугових секунд за показниками інди-
катора загального зчитування на повному пе-
ресуванні
2.2.4. Конструкція і технологія виробництва верста- 490199000
тів з ЧПК або верстатів з ручним керуванням, 490600000
включаючи спеціально спроектовані компоненти,
елементи керування та пристрої для них, спе-
ціально спроектованих для фрезерування, фі-
нішного оброблення, полірування та хонінгу-
вання загартованих (Rc=40 чи більше) коніч-
них або циліндричних шестерень згідно з
пунктом 2.1.3.
2.2.5. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи застосування програмно-керованих 852423100
верстатів, зазначених у пункті 2.1.3. 852490910
852490990
2.2.6. Конструкція і технологія виробництва облад-
нання, спеціально спроектованого для реалі-
зації та керування процесом нанесення неор-
ганічного покриття, захисних шарів, поверх-
невого модифікування, а також спеціально
спроектованих засобів автоматизованого регу-
лювання, приладів, маніпуляторів і компонен-
тів керування
2.2.6.1. Конструкція і технологія виробництва при- 490199000
ладів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для нанесення
твердого покриття з кулястих хімічних сполук,
зазначених у пункті 2.1.4.1.
2.2.6.2. Програмне забезпечення,спеціально розроблене 852421100
або модифіковане для проектування,виробницт- 852422100
ва чи використання приладів для нанесення 852423100
покриття з пароподібних хімічних сполук, 852490910
зазначених у пункті 2.1.4.1. 852490990
2.2.6.3. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для іонної
імплантації, зазначених у пункті 2.1.4.2.
2.2.6.4. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для іонної 852423100
імплантації, зазначених у пункті 2.1.4.2. 852490910
852490990
2.2.6.5. Конструкція і технологія виробництва елект- 490199000
ронно-променевих приладів, які обладнані 490600000
програмно-керованим запам'ятовувальним прист-
роєм, електронно-променевих пристроїв для на-
несення покриття методом фізичного осадження
парів, зазначених у пункті 2.1.4.3.
2.2.6.6. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання електронно-променевих 852423100
приладів для нанесення покриття методом фі- 852490910
зичного осадження парів, зазначених у пункті 852490990
2.1.4.3.
2.2.6.7. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для плазмового
напилення, зазначених у пункті 2.1.4.4.
2.2.6.8. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для плазмо- 852423100
вого напилення, зазначених у пункті 2.1.4.4. 852490910
852490990
2.2.6.9. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів для металізації напиленням, обладнаних 490600000
програмно-керованим запам'ятовувальним прист-
роєм і здатних забезпечити щільність струму
0,1 мА/мм або більше з продуктивністю напи-
лення 15 мкм за годину або більше
2.2.6.10. Програмне забезпечення, спеціально створене 852421100
або модифіковане для розроблення,виробництва 852422100
чи використання приладів металізації напи- 852423100
ленням, зазначених у пункті 2.1.4.5. 852490910
852490990
2.2.6.11. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для катодно-ду-
гового напилення, що мають систему електро-
магнітів для керування щільністю струму дуги
на катоді
2.2.6.12. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для катодно- 852423100
дугового напилення, зазначених у пункті 852490910
2.1.4.6. 852490990
2.2.6.13. Конструкція і технологія виробництва прила- 490199000
дів, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для іонної ме-
талізації, зазначених у пункті 2.1.4.7.
Примітка. Експортний контроль не поширюється на конст-
рукції та технології виробництва стандарт-
них приладів для покриття, створених іонною
металізацією на різальному інструменті ме-
талообробних верстатів.
2.2.6.14. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання приладів для іонної 852423100
металізації, зазначених у пункті 2.1.4.7. 852490910
852490990
2.2.6.15. Конструкція і технологія виробництва прист- 490199000
роїв, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для сухого трав-
лення анізотропною плазмою, зазначених у
пунктах 2.1.4.8.
2.2.6.16. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи використання пристроїв для сухого 852423100
травлення анізотропною плазмою, зазначених у 852490910
пункті 2.1.4.8. 852490990
2.2.6.17. Конструкція і технологія виробництва прист- 490199000
роїв, обладнаних програмно-керованим за- 490600000
пам'ятовувальним пристроєм, для хімічного
парофазового осадження покриття плазмовою
стимуляцією, зазначених у пункті 2.1.4.9.
2.2.6.18. Програмне забезпечення, спеціально розробле- 852421100
не або модифіковане для проектування, вироб- 852422100
ництва чи застосування пристроїв для хіміч- 852423100
ного парофазового осадження покриття, зазна- 852490910
чених у пунктах 2.1.4.9. 852490990
2.2.7. Процеси нанесення покриття та модифікації
поверхні
2.2.7.1. Технології нанесення "твердого" покриття із 490199000
пароподібних хімічних сполук: 490600000
Примітки: 1. Нанесення "твердого" покриття з пароподібних
хімічних сполук - це процес нанесення суто
зовнішнього покриття з модифікацією поверх-
ні, що покривається, коли метал, сплав,
композит, діелектрик чи кераміка нано-
сяться на нагрітий виріб. Газоподібні
продукти (пари, реактанти) розкладаються
або з'єднуються на поверхні виробу, внаслі-
док чого на ній створюються бажані елементи,
сплави або компаунди. Енергія для такого
розкладання або хімічної реакції може бути
забезпечена нагріванням виробу, світінням
плазмового розряду або променем лазера.
2. Нанесення "твердого" покриття осадження хі-
мічних сполук з парової фази включає такі
процеси:
безпорошкове нанесення покриття прямим
газовим потоком,
пульсуюче хімічне осадження парів,
кероване термічне нанесення покриття з
ядерним дробленням, а також із застосу-
ванням потужного потоку плазми чи ре-
алізації хімічного осадження парів з її
участю.
3. Порошкове нанесення означає занурення виробу
в порошок з кількох складових.
4. Газоподібні продукти (пари, реактанти), що
використовуються в безпорошковому процесі,
застосовують з кількома базовими реакціями
і параметрами, такими, як порошкова цемента-
ція, крім випадку, коли на виріб наноситься
покриття без контакту із сумішшю порошка.
2.2.7.1.1. технологія нанесення алюмінідів на внутрішні
поверхні виробів із суперсплавів;
2.2.7.1.2. технологія нанесення силіцидів на:
2.2.7.1.2.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом розши-
рення;
2.2.7.1.2.2. вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
Примітка. Скло з малим коефіцієнтом розширення, зазна-
чене в пунктах 2.2.7.1.2.1., 2.2.7.1.3.,
2.2.7.1.4.1., 2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1.,
2.2.7.2.3.1., 2.2.7.2.3.3., 2.2.7.6.6.2.,
2.2.7.6.7.1., 2.2,7.6.8.1., визначається
як скло, що має коефіцієнт температурного
розширення в 1*10 в ступ.(-7) К в ступ.(-1)
чи менше, виміряний при 293К (20гр.C).
2.2.7.1.3. технологія нанесення карбідів на кераміку та
скло з малим коефіцієнтом розширення;
2.2.7.1.4. технологія нанесення діелектричних шарів
покриття на:
2.2.7.1.4.1. кераміку та скло з малим коефіцієнтом
розширення;
2.2.7.1.4.2. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.1.4.3. карбід, цементований вольфрамом;
Примітка. Карбід, цементований вольфрамом, зазначений
у пунктах 2.2.7.1.4.3., 2.2.7.1.5.2.,
2.2.7.1.7.1., 2.2.7.2.1.7., 2.2.7.2.1.9.,
2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1., 2.2.7.2.3.1.,
2.2.7.6.8.4., 2.2.7.6.16.1., 2.2.7.6.17.1.,
2.2.7.7.3.2., 2.2.7.7.4., не включає мате-
ріали, які застосовують для різання та фор-
мування металу, складені з карбіду вольфра-
му (кобальт, нікель), карбіду титану (ко-
бальт, нікель), хрому карбідонікель-хрому
та хрому карбіду нікелю.
2.2.7.1.4.4. молібден та його сплави;
2.2.7.1.4.5. берилій та його сплави;
2.2.7.1.4.6. матеріали вікон датчиків;
Примітки: 1. Матеріали вікон датчиків, зазначених у пунк-
тах 2.2.7.1.4.6., 2.2.7.2.1.10., 2.2.7.2.2.1.,
2.2.7.2.3.1., 2.2.7.2.3.2., такі:
алюмін (окис алюмінію), кремній, германій,
сульфід цинку, селенід цинку,арсенід галію;
галогеніди металів: йодистий калій, фто-
ристий калій;
матеріали вікон датчиків діаметром понад
40 мм з бромистого талію та хлоробромистого
талію.
2. Діелектричні шарові покриття, зазначені у
пунктах 2.2.7.1.4.6., 2.2.7.2.1.10.,
2.2.7.2.2.1., 2.2.7.2.3.1., 2.2.7.6.8.,
визначаються як багатошарові ізолюючі ма-
теріали, в яких інтерференційні властивості
конструкції сполучаються з різними індекса-
ми перевідбиття, що використовуються для
відбиття, передачі чи поглинання різних
діапазонів довжини хвиль. Діелектричні шари
визначаються за кількістю більше ніж чотири
чи за якістю як композит: діелектрик/метал.
2.2.7.1.5. технологія нанесення карбідів та їх сумішей
на:
2.2.7.1.5.1. кераміку та металеві матричні композити;
2.2.7.1.5.2. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.1.5.3. карбід кремнію
Примітка. Суміші, зазначені у пунктах 2.2.7.1.5.,
2.2.7.2.1.1. - 2.2.7.2.1.9., 2.2.7.3.1.,
2.2.7.3.2., 2.2.7.4.1., 2.2.7.4.2.,
2.2.7.4.7., 2.2.7.5.3., 2.2.7.6.1.-
2.2.7.6.7., 2.2.7.6.15. - 2.2.7.6.17,
включають інфільтруючий матеріал, композиції,
які вирівнюють температуру процесу, присадки,
багаторівневі матеріали та реалізуються одним
чи кількома процесами нанесення покриття.
2.2.7.1.6. технологія нанесення тугоплавких металів та
їх сплавів на кераміку та металеві матричні
композити;
Примітка. Тугоплавкі метали, зазначені у пунктах
2.2.7.2.6., 2.2.7.2.1.8., 2.2.7.3.3.2.,
2.2.7.3.6., 2.2.7.4.8.1., 2.2.7.4.9.1.,
2.2.7.4.10.1., 2.2.7.6.14.2., 2.2.7.6.15.,
складаються з таких металів та їх сплавів:
ніобію (колумбію - в США), молібдену, воль-
фраму,танталу.
2.2.7.1.7. технологія нанесення вольфраму та його
суміші на:
2.2.7.1.7.1. карбід, цементований вольфрамом;
2.2.7.1.7.2. карбід кремнію
2.2.7.2. Технологія нанесення покриття методом фізич- 490199000
ного осадження парів термовипаровуванням: 490600000
Примітки: 1. Фізичне осадження парів випаровуванням (тер-
мовипаровуванням) - це процес суто зов-
нішнього покриття у вакуумі з тиском, меншим
0,1 Па, коли джерело теплової енергії вико-
ристовується для перетворення у пар матеріа-
лу, що наноситься. Внаслідок цього процесу
конденсат або покриття осідає на відповідні
частини поверхні виробу. Гази,що утворюються
у вакуумній камері в процесі осадження, пог-
линаються у більшості модифікацій процесу
елементами складної суміші (компаундами)
покриття. Використання іонного чи електрон-
ного випромінювання або плазми для активіза-
ції чи участі у нанесенні покриття властиве
більшості модифікацій процесу фізичного осад-
ження парів термовипаровуванням.Застосування
моніторів для забезпечення вимірювання у ході
процесу оптичних характеристик або товщини
покриття може бути реалізоване у майбутньому
для процесів такого типу.
2. Іонне плакування - спеціальна модифікація
генерального процесу фізичного осадження па-
рів термовипаровуванням, в якій плазмове чи
іонне джерело використовується для іонізації
матеріалу покриття, що наноситься, а негатив-
ний заряд виробу сприяє осіданню складових
покриття з плазми. Введення активних реаген-
тів, випаровування твердих матеріалів у ка-
мері, а також використання моніторів, які
забезпечують вимірювання (у процесі нанесен-
ня покриття) оптичних характеристик і товщи-
ни покриття, властиві звичайним модифікаціям
процесу фізичного осадження парів термовипа-
ровуванням.
2.2.7.2.1. технологія нанесення покриття методом елек-
тронно-променевого фізичного осадження парів:
Примітка. Під час електронно-променевого фізичного
осадження використовується електронний про-
мінь для нагрівання та випаровування мате-
ріалу, який наноситься на виріб.
2.2.7.2.1.1. технологія нанесення сплавів силіцидів та їх
сумішей на суперсплави;
2.2.7.2.1.2. технологія нанесення силіцидів та їх сумішей
на:
суперсплави;
кераміку та металеві матричні композити;
вуглець-вуглецеві композиційні матеріали;
2.2.7.2.1.3. технологія нанесення сплавів алюмінідів та
їх сумішей на суперсплави;
Примітка. Термін "покриття сплавів на основі алюміні-
дів", використаний у пунктах 2.2.7.2.1.3.,
2.2.7.2.4.2., 2.2.7.4.6., включає одиничне
або багатошарове нанесення покриття, в якому
на елемент чи елементи осідає покриття рані-
ше або протягом процесу алітування, навіть
якщо на ці елементи були осаджені покриття
іншим процесом. Проте це виключає багатора-
зове використання однокрокового процесу
порошкового алітування для отримання сплавів
