наведені нижче:
Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не підлягають батареї
об'ємом 27 куб. см або менше (наприклад, стандартні вугільні
елементи або батареї R14).
a) первинні елементи і батареї із з 8506 60,
щільністю енергії понад 480 Вт x год/кг, 8506 80,
які за технічними умовами придатні для 8540 10 10 00
роботи в діапазоні температур нижчих від
243 K (-30 град. C) і вищих від 343 K
(+70 град. C);
b) підзаряджувальні елементи і батареї із з 8506 60,
щільністю енергії понад 150 Вт x год/кг 8506 80,
після 75 циклів заряду-розряду при струмі 8540 10 10 00
розряду, що дорівнює C/5 год (де C -
номінальна ємність в а x год), під час
роботи в діапазоні температур нижчих від
253 K (-20 град. C) і вищих від 333 K
(+60 град. C);
Технічна Щільність енергії розраховується множенням середньої
примітка. потужності у ватах (добуток середньої напруги у вольтах і
середнього струму в амперах) на тривалість циклу розрядження
в годинах, за якого напруга на розімкнутих клемах падає до
75 відсотків номіналу, і діленням цього добутку на загальну
масу елемента (або батареї) в кілограмах.
c) батареї, за технічними умовами з 8506 60,
"придатні для використання в космосі" та 8506 80,
радіаційно стійкі батареї на 8540 10 10 00
фотоелектричних елементах з питомою
потужністю понад 160 Вт/кв. м при робочій
температурі 301 K (+28 град. C) і
вольфрамовому джерелі, яке нагріте до
2800 K (+2527 град. C) і створює
енергетичну освітленість 1 кВт/кв. м;
2) накопичувачі великої енергії, наведені
нижче:
a) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,
повторення менше ніж 10 Гц (одноразові 8506 80,
накопичувачі), що мають усі наведені 8540 10 10 00
нижче характеристики:
1) номінальну напругу не менше ніж
5 кВ;
2) густину енергії не менше ніж
250 Дж/кг; та
3) загальну енергію не менше ніж
25 кДж;
b) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,
повторення 10 Гц і більше (багаторазові 8506 80,
накопичувачі), які мають усі наведені 8540 10 10 00
нижче характеристики:
1) номінальну напругу не менше ніж з 8507 80
5 кВ;
2) густоту енергії не менше ніж
50 Дж/кг;
3) загальну енергію не менше ніж
100 Дж; та
4) кількість циклів заряду-розряду не
менше ніж 10 000;
3) "надпровідні" електромагніти та 8505 19 90 00
соленоїди, спеціально спроектовані на
повне зарядження або розрядження менше
ніж за 1 секунду, які мають усі наведені
нижче характеристики:
Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають
"надпровідні" електромагніти або соленоїди, спеціально
спроектовані для медичної апаратури магніторезонансної
томографії (MRI).
a) максимальну енергію під час розряду
понад 10 кДж за першу секунду;
b) внутрішній діаметр струмопровідних
обмоток понад 250 мм; та
c) номінальну магнітну індукцію понад 8 Т
або "сумарну густину струму" в обмотці
понад 300 А/кв. мм
3.A.1.f. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 9031 80 31 10,
положення вала в код, які мають будь-яку з 9031 80 31 90,
наведених нижче характеристик: 8502 40
1) роздільна здатність краще 1/265000 від
повного діапазону (18 біт);
2) точність краще ніж +(-)2,5 кутових
секунд
3.A.2. Електронна апаратура загального
[3A002] призначення, наведена нижче:
3.A.2.a. Записуюча апаратура, наведена нижче, і 8520 32 99 00
спеціально призначена для неї вимірювальна
стрічка:
1) накопичувачі на магнітній плівці для
аналогової апаратури, включаючи
накопичувачі з можливістю запису цифрових
сигналів (тобто, що використовують модуль
цифрового запису високої щільності (HDDR),
які мають одну з наведених нижче
характеристик:
a) смуга частот понад 4 МГц на
електронний канал або доріжку;
b) смуга частот понад 2 МГц на
електронний канал або доріжку при
кількості доріжок понад 42; або
c) помилка непогодження змінної шкали,
виміряна із застосуванням документів
Асоціації електронної промисловості (EIA)
або IRIG, менше ніж +(-)0,1 мкс;
Примітка. Аналогові магнітофони, спеціально створені для цілей
цивільного відео, не вважаються накопичувачами на плівці.
2) цифрові відеомагнітофони, які мають з 8521 10,
максимальну роздільну здатність цифрового 8521 90 00 00
інтерфейсу понад 360 Мбіт/с;
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають цифрові
стрічкові відеомагнітофони, спеціально спроектовані для
телевізійного запису з використанням форми сигналу, що може
включати форму стисненого сигналу за стандартами або
рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU),
Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно- та
телевізійних інженерів (SMPTE), Європейського союзу
радіомовлення (EBU), Європейського інституту стандартів
зв'язку (ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів у
галузі електротехніки та електроніки (IEEE), для цивільного
телебачення.
3) накопичувачі на магнітній плівці для з 8521 10
цифрової апаратури, що використовує методи
спірального сканування або фіксованих
магнітних головок, які мають одну з
наведених нижче характеристик:
a) максимальна пропускна здатність
цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с;
b) за технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають аналогові
накопичувачі на магнітній плівці, оснащені електронікою для
перетворення в цифровий запис високої щільності (HDDR) та
призначені для запису тільки цифрових даних.
4) апаратура з максимальною пропускною 8521 90 00 00
здатністю цифрового інтерфейсу понад
175 Мбіт/с, призначена для перетворення
цифрових відеомагнітофонів у пристрої
запису даних цифрової апаратури;
5) цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543
перехідні реєстратори, які мають усі
наведені нижче характеристики:
a) швидкість цифрового перетворення, що
дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій
за секунду при розрядільній здатності
10 біт або більше;
b) безперервну пропускну здатність
2 Гбіт/с і більше
Технічна Для цих приладів з паралельною шиною швидкість безперервної
примітка. пропускної здатності є добуток найбільшого обсягу слів на
кількість біт у слові.
Безперервна пропускна здатність - це найвища швидкість, з
якою прилад може виводити дані в накопичувач без втрати
інформації та водночас підтримувати швидкість вимірювання та
функцію аналого-цифрового перетворення.
6) накопичувачі для цифрової апаратури, що
використовують методи накопичення на
магнітних дисках, які мають усі з наведених
нижче характеристик:
a) швидкість цифрового перетворення, що
дорівнює або більше ніж 100 млн. операцій
за секунду та роздільну здатність 8 біт
або більше;
b) безперервна пропускна здатність
1 Гбіт/с або більше;
3.A.2.b. "Електронні збірки" "синтезаторів частоти", з 8543,
які мають "час перемикання частоти" 8570 10 90 00
з однієї на іншу менше ніж 1 мс
3.A.2.c. "Аналізатори сигналів" радіочастоти, з 8543,
наведені нижче: 8570 10 90 00
1) "аналізатори сигналів", які здатні
аналізувати частоти понад 31,8 ГГц, але не
більше ніж 37,5 ГГц, та мають ширину смуги
частот з роздільною здатністю 3 дБ (RBW),
що перевищує 10 МГц;
2) "аналізатори сигналів" здатні
аналізувати частоти понад 43,5 ГГц;
3) "динамічні аналізатори сигналів" із
"шириною смуги частот у реальному масштабі
часу" понад 500 кГц
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають
"динамічні аналізатори сигналів", які використовують тільки
фільтри із смугою пропускання фіксованих частот (відомі
також під назвою октавних або фракційних октавних фільтрів).
3.A.2.d. Генератори сигналів синтезаторів частот, 8543 20 00 00
які формують вихідні частоти з керуванням
за параметрами точності, короткочасної та
довгочасної стабільності, на основі або за
допомогою внутрішньої еталонної частоти і
мають одну з наведених нижче характеристик:
1) максимальна синтезована частота понад
31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц та нормована
для генерації імпульсів тривалістю менше
ніж 100 нс;
2) максимальна синтезована частота понад
43,5 ГГц;
3) "час перемикання частоти" з однієї
заданої частоти на іншу менше ніж 1 мс;
4) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB)
краще - (126 + 20 log(10) F - 20 log(10) f)
в одиницях дБ/Гц, де F - відхилення робочої
частоти в Гц, а f - робоча частота в МГц
Технічна "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 визначається як
примітка. проміжок часу між переднім фронтом імпульсу, який досягає
90% максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який досягає 10%
максимуму.
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає обладнання, у
якому вихідна частота створюється шляхом додавання або
віднімання частот двох або більше частот кварцового
генератора чи шляхом додавання або віднімання з наступним
множенням результуючої частоти.
3.A.2.e. Мережеві аналізатори з максимальною робочою з 8543,
частотою понад 43,5 ГГц 8470 10 90 00
3.A.2.f. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 8527 90 98 00
які мають усі наведені нижче
характеристики:
1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц;
2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та
фазу
3.A.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну 8543 20 00 00
з наведених нижче характеристик:
1) довготривала стабільність (старіння)
менше (краще) 1 х 10(в ступ.(-11)/місяць;
2) за технічними умовами "придатні для
використання в космосі"
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають рубідієві
еталони, не "придатні для використання в космосі".
3.A.3 Системи терморегулювання з охолодженням
шляхом розбризкуванням, що використовують
обладнання з замкнутим контуром для
маніпулювання рідиною та її регенерації в
герметичній оболонці, в якій діелектрична
рідина розбризкується на електронні
"компоненти" з використанням спеціально
призначених розпилювачів, спректовані таким
чином, щоб підтримувати температуру
електронних "компонентів" у межах їх
робочого температурного діапазону, а також
"спеціально призначені компоненти" для них.
3.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І
ВИРОБНИЦТВА
3.B.1. Обладнання для виробництва
[3B001] напівпровідникових приладів або матеріалів,
наведене нижче, і спеціально створені
"компоненти" та оснащення для них:
3.B.1.a. Обладнання для епітаксійного вирощування,
наведене нижче:
1) обладнання, здатне виробляти будь-що з з 8419 89
наведеного нижче:
a) шар кремнію з відхиленням товщини не
більше ніж 2,5% протягом 200 мм або
більше;
b) шар будь-якого матеріалу, крім
кремнію, з відхиленням товщини не більше
ніж 2,5% протягом 75 мм або більше;
2) обладнання хімічного осадження з з 8419 89
металоорганічної парової фази (MOCVD),
спеціально розроблене для вирощування
кристалів складних напівпровідників за
допомогою хімічних реакцій між матеріалами,
зазначених у позиціях 3.C.3 або 3.C.4;
3) молекулярно-променеве обладнання 8417 80 10 00
епітаксійного вирощування, у якому
застосовані газові або твердотільні джерела
3.B.1.b. Обладнання для іонної імплантації, яке має 8456 10 10 00,
одну з наведених нижче характеристик: 8456 10 90 00
1) енергія пучка (прискорювальна напруга)
понад 1 МеВ;
2) спеціально спроектоване та оптимізоване
для функціонування при енергії пучка
(прискорювальній напрузі) менше ніж 2 кеВ;
3) здатне до безпосереднього запису;
4) призначене для високоенергетичної
імплантації кисню в нагріту "підкладку"
напівпровідникового матеріалу з енергією
пучка 65 кеВ або більше і струмом пучка
45 мА або більше
3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого з 8456 99,
травлення анізотропною плазмою: 8456 91 00 00
1) з покасетним обробленням пластин та
завантаженням їх через завантажувальні
шлюзи, яке має одну з наведених нижче
характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 180 нм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, спеціально спроектоване для
обладнання, яке підлягає контролю за
позицією 3.B.1.e та має одну з наведених
нижче характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 180 нм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі
3.B.1.d. Обладнання для хімічного осадження з 8456 99,
з парової фази (CVD) та плазмової 8456 91 00 00
стимуляції, наведене нижче:
1) обладнання з покасетним обробленням
пластин і подачею їх через завантажувальні
шлюзи, спроектоване відповідно до технічних
умов виробника або оптимізоване для
використання у виробництві
напівпровідникових приладів з критичними
розмірами 180 нм або менше;
2) обладнання, спеціально спроектоване для
апаратури, яке підлягає контролю згідно з
позицією 3.B.1.e, і спроектоване відповідно
до технічних умов виробника або
оптимізоване для використання у виробництві
напівпровідникових приладів з критичними
розмірами 180 нм або менше
3.B.1.e. Багатокамерні системи з центральним 8456 10 10 00,
автоматичним завантаженням 8456 10 90 00,
напівпровідникових пластин, що мають усі з з 8456 99,
наведені нижче характеристики: 8456 91 00 00
1) інтерфейси для завантаження та
вивантаження пластин, до яких повинні
приєднуватісь більше ніж дві одиниці
обладнання для оброблення напівпровідників;
2) призначений для комплексної системи
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин у вакуумі
Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають автоматичні
робототехнічні системи завантаження пластин, не призначених
для роботи у вакуумі.
3.B.1.f. Обладнання літографії, наведене нижче: 9009 22 90 00
1) обладнання багаторазового суміщення та
експонування (безпосередньо на "підкладці")
або обладнання із крокового сканування для
оброблення пластин методами фотооптичної
або рентгенівської літографії, яке має
будь-яку з наведених нижче характеристик:
a) наявність джерела освітлення з
довжиною хвилі коротшою ніж 245 нм;
b) спроможність виробляти зразки з
мінімальним визначеним типовим розміром
180 нм або менше;
Технічна Мінімальний визначений типовий розмір можна розрахувати за
примітка. формулою:
(довжина хвилі випромінювання світла в нм) х (К фактор)
MRF = -------------------------------------------------------,
цифрова апертура
де К фактор = 0,45, а MRF - мінімальний визначений типовий розмір.
2) обладнання, спеціально призначене для 8456 10 10 00,
виробництва шаблонів або оброблення 8456 10 90 00
напівпровідникових приладів з використанням
сфокусованого електронного пучка, що
відхиляється, іонного пучка або "лазерного"
пучка, які мають будь-яку з наведених нижче
характеристик:
a) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;
b) здатність виробляти малюнок з
мінімальними дозволеними проектними
нормами менше ніж 1 мкм;
c) точність суміщення краще +(-)0,2 мкм
(3 сигма)
3.B.1.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 9010 90 10 00,
інтегральних схем, що підлягають контролю 9010 90 90 00
згідно з позицією 3.A.1
3.B.1.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 9010 90 10 00,
шаром. 9010 90 90 00
Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають
багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені для
виробництва запам'ятовуючих пристроїв, які не контролюються
згідно з позицією 3.A.1.
3.B.2. Обладнання для випробувань, спеціально 9031 80 39 10,
[3B002] призначене для випробувань готових 9031 80 39 90
або напівфабрикатних напівпровідникових
приладів, наведене нижче, і спеціально
створені "компоненти" та аксесуари до
нього:
3.B.2.a. Для вимірювання S-параметрів транзисторних
приладів на частотах понад 31,8 ГГц
3.B.2.b. Виключено
3.B.2.c. Для випробувань мікрохвильових інтегральних
схем, що контролюються згідно з позицією
3.A.1.b.2.
3.C. МАТЕРІАЛИ
3.C.1. Гетероепітаксійні матеріали, які 3818 00 90 00
[3C001] складаються з підкладки та кількох
послідовно нанесених епітаксійних шарів,
які мають будь-яку з наведених нижче
складових:
a) кремній;
b) германій;
c) карбід кремнію;
d) сполуки III/V на основі галію або
індію.
Технічна Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні або
примітка. складні монокристалічні продукти, складені з елементів
IIIA (A3) та VA (B5) груп періодичної системи елементів
Менделєєва (наприклад, арсенід галію, арсенід
галію-алюмінію, фосфід індію тощо).
3.C.2. Матеріали резистів і підкладки, наведені
[3C002] нижче, покриті резистами, що підлягають
контролю:
3.C.2.a. Позитивні резисти, призначені для 8541 40 99 00
напівпровідникової літографії, спеціально
пристосовані для використання при довжині
хвилі менше ніж 350 нм
3.C.2.b. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00
при експонуванні електронними та іонними
пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/кв. мм або
краще
3.C.2.c. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00
при експонуванні рентгенівськими променями,
з чутливістю 2,5 мДж/кв. мм або краще
3.C.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 8541 40 99 00
формування малюнка, уключаючи силіційовані
резисти
Технічна Методи силіціювання - це процеси, які включають
примітка. оксидування поверхні резисту для підвищення якості мокрого
та сухого проявлення.
3.C.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:
[3C003]
3.C.3.a. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, з 2931 00 95,
галію або індію, які мають чистоту 2931 00 95 00
металевої основи понад 99,999 відсотка
3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та з 2931 00 95
органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту
основи неорганічного елемента понад
99,999 відсотка
Примітка. Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті сполуки,
металеві, частково металеві або неметалеві елементи яких
безпосередньо пов'язані з вуглецем органічної частки
молекули.
3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку або сурми, які 2848 00 00 00,
[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотка навіть 2850 00 10 00
після розведення інертними газами або
воднем
Примітка. Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають гідриди, що
містять 20 відсотків або більше молей інертних газів чи
водню.
3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D001] створене для "розроблення" або
"виробництва" обладнання, що підлягає
контролю згідно з позиціями 3.A.1.b-3.A.1.g
або 3.B
3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D002] прфзначене для "використання" будь-якого з
наведеного ніжче обладнання:
a) обладнання, що підлягає контролю згідно
з позиціями 3.B.1.a-3.B.1.f; або
b) обладнання, що підлягає контролю згідно
з позицією 3.B.2
3.D.3. "Програмне забезпечення" для заснованого на з 8524
[3D003] фізичних процесах моделювання, спеціально
призначене для "розроблення" процесів
літографії, травлення або осадження з
метою втілення маскувальних шаблонів у
конкретні топологічні малюнки провідників,
діелектриків або напівпровідникових
матеріалів
Технічна Термін "заснований на фізичних процесах" в позиції 3.D.3.
примітка. означає використання розрахунків з метою визначення
послідовності причин ти наслідків фізичного характеру, які
визначаються фізичними властивостями (наприклад,
температурою, тиском, коефіцієнтами дифузії і властивостями
напівпровідникових матеріалів).
Примітка. Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для
проектування напівпровідникових приладів або інтегральних
схем розглядаються як "технологія".
3.D.4. Програмне забезпечення, спеціально
призначене для "розроблення" обладнання, що
підлягає контролю згідно з позицією 3.A.3.
3.E. ТЕХНОЛОГІЯ
3.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,
[3E001] загальних приміток для "розроблення" або 3706, 8524,
"виробництва" обладнання чи матеріалів, що 4901 99 00 00,
підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 4906 00 00 00
3.B або 3.C
Примітка. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія"
для "виробництва" обладнання або "компонентів", які
контролюються згідно з позицією 3.A.3.
3.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3
[3E002] загальних приміток інша, ніж та, що
контролюється згідно з позицією 3.E.1 для
"розроблення" або "виробництва" "мікросхем
мікропроцесорів", "мікросхем
мікрокомп'ютерів" та мікросхем
мікроконтролерів, що мають "сукупну
теоретичну продуктивність" ("CTP"), яка
дорівнює 530 млн. теоретичних операцій за
секунду (мегатопсів) або більше, а також
арифметично-логічний пристрій з шириною
доступу 32 біта або більше
Примітка. Згідно з позиціями 3.E.1 та 3.E.2 контролю не підлягає
"технологія" для "розроблення" або "виробництва"
інтегральних схем, що підлягають контролю згідно з позиціями
3.A.1.a.3-3.A.1.a.12 і мають усі наведені нижче
характеристики:
1) використовують "технології" 0,5 мкм або вище;
2) не містять багатошарові структури.
Технічна Термін "багатошарові структури" у підпункті 2 примітки не
примітка. включає прилади, які містять максимум два шари металу та два
шари полікремнію.
3.E.3. Інші "технології" для "розроблення" або з 3705,
[3E003] "виробництва": 3706, 8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00
3.E.3.a. Вакуумних мікроелектронних приладів
3.E.3.b. Напівпровідникових приладів на
гетероструктурах таких, як транзистори з
високою рухливістю електронів (НЕМТ),
біполярні транзистори на гетероструктурі
(НВТ), приладів з квантовими ямами або
приладів на надрешітках
Примітка. Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає технологія
для транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), які
працюють на частотах нижче ніж 31,8 ГГц, та біополярних
транзисторів на гетероструктурі (HBT), які працюють на
частотах нижче 31,8 ГГц.
3.E.3.c. "Надпровідних" електронних приладів
3.E.3.d. Підкладок із плівок алмазу для електронних
"компонентів"
3.E.3.e. Підкладок, що мають структуру типу
"кремній-на-діелектрику" (SOI) для
інтегральних схем, у яких ізолятором є
двоокис кремнію
3.E.3.f. Кремній-вуглецевих підкладок для
"компонентів" електронних схем
3.E.3.g. Електронних вакуумних ламп, які працюють на
частоті 31,8 ГГц або вище.
----------------------------------------------------------------------
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
----------------------------------------------------------------------
Номер | Найменування | Код товару
позиції | | згідно з
| | УКТЗЕД
| |( 2371а-14,
| | 2371б-14,
| | 2371в-14,
| | 2371г-14 )
----------------------------------------------------------------------
4. КОМП'ЮТЕРИ
Примітки. 1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне
забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку або
в "локальних мережах", підлягають контролю з урахуванням
критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
2. Блоки управління, які безпосередньо з'єднуються між собою
шини або канали центральних процесорів, "оперативну
пам'ять" або контролери накопичувачів на дисках, не
розглядаються як телекомунікаційне обладнання, писане в
частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
Особлива Щодо контрольного статусу "програмного забезпечення",
примітка. спеціально призначеного для комутації пакетів, див. позицію
5.D.1 частини 1 розділу 5 (Зв'язок).
3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне
забезпечення", що виконують функції криптографії,
криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або
підлягаючого сертифікації "багаторівневого захисту" або
ізолювання користувача, або такі, що обмежують
електромагнітну сумісність (ЕМС), підлягають контролю з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5
(Захист інформації).
4.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ
4.A.1. Електронні комп'ютери і "супутнє з 8471
[4A001] обладнання", наведені нижче, та
"електронні збірки" і спеціально призначені
"компоненти":
4.A.1.a. Спеціально призначені і мають будь-яку з
наведених нижче характеристик:
1) розраховані для функціонування при
температурі навколишнього середовища нижче
228 K (-45 град. C) або понад 358 K
(+85 град. C);
Примітка. Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають комп'ютери,
спеціально призначені для використання в цивільних
автомобілях або залізничних поїздах.
