| |катодною дугою без зміщення напруги. |
|----------------------------------------------------------------|
|5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD |
|процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується для|
|іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне |
|зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню|
|складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних |
|реагентів, випаровування твердих матеріалів у камері, а також |
|використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі |
|нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття, |
|є звичайними модифікаціями процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|c. Порошкове цементування - модифікація методу нанесення |
|покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього |
|покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), що |
|складається з: |
|1) металевих порошків, які входять до складу покриття (зазвичай |
|алюміній, хром, кремній або їх комбінація); |
|2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та |
|3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). |
|Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка |
|нагрівається від 1030 K (+757 град.C) до 1375 K (+1102 град.C) |
|на час, який достатній для нанесення покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|d. Плазмове напилення - процес нанесення зовнішнього покриття, |
|коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій утворюється і |
|керується плазма, використовує порошок або дріт з матеріалу |
|покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, в яких |
|формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення |
|може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або |
|високошвидкісною плазмою. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. Низький тиск - це тиск, нижчий за |
|примітки. |атмосферний. |
| |2. Високошвидкісна плазма визначається |
| |швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с,|
| |розрахованої при температурі 293 K |
| |(20 град.C) та тиску 0,1 МПа. |
|----------------------------------------------------------------|
|e. Осадження із суспензії - процес нанесення покриття з |
|модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або |
|керамічний порошок з органічною сполучною речовиною |
|суспензований в рідині та наноситься на підкладку за допомогою |
|напилення, занурення або фарбування з наступним повітряним або |
|пічним сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних |
|властивостей покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|f. Осадження розпиленням - процес нанесення зовнішнього |
|покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху, |
|коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в |
|напрямку до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається).|
|Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів |
|на поверхні мішені та їх осадження на підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. У таблиці наведені відомості тільки щодо |
|примітки. |тріодного, магнетронного або реактивного |
| |осадження розпиленням, які застосовуються |
| |для збільшення адгезії матеріалу покриття та|
| |швидкості його нанесення, а також щодо |
| |радіочастотного підсилення напилення, яке |
| |використовується під час нанесення |
| |пароутворювальних неметалевих матеріалів для|
| |покриття. |
| |2. Низькоенергетичні іонні промені (менше |
| |ніж 5 КеВ) можуть бути використані для |
| |прискорення (активації) процесу нанесення |
| |покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з |
|модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент |
|іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та |
|імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною |
|імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація |
|здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження |
|або осадження розпилюванням. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних |
| методів осадження покриття |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічна інформація про таблицю технічних засобів осадження |
| покриття використовується у разі потреби. |
|----------------------------------------------------------------|
|1. |Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях" |
| |для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:|
| |a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні: |
| | 1) склад розчину у ванні: |
| | a) для усунення старого та пошкодженого покриття, |
| | продуктів корозії або сторонніх відкладень; |
| | b) для приготування чистих підкладок; |
| | 2) час оброблення у ванні; |
| | 3) температура ванни; |
| | 4) кількість та послідовність циклів миття; |
| |b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення |
| | ступеня очищення або повноти очисної дози; |
| |c) параметри циклів термічного оброблення: |
| | 1) атмосферні параметри: |
| | a) склад атмосфери; |
| | b) атмосферний тиск; |
| | 2) температура термічної обробки; |
| | 3) тривалість термічної обробки; |
| |d) параметри підготовки підкладок: |
| | 1) параметри піскоструминного очищення: |
| | a) склад часток; |
| | b) розмір та форма часток; |
| | c) швидкість подачі часток; |
| | 2) час та послідовність циклів очищення після |
| | піскоструминного очищення; |
| | 3) параметри кінцевого оброблення поверхні; |
| | 4) використання зв'язувальних для посилення адгезії; |
| |e) технічні параметри маскування: |
| | 1) матеріал маски; |
| | 2) розміщення маски. |
|---+------------------------------------------------------------|
|2. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", |
| |які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у |
| |таблиці: |
| |a) атмосферні параметри: |
| | 1) склад атмосфери; |
| | 2) атмосферний тиск; |
| |b) часові параметри; |
| |c) температурні параметри; |
| |d) параметри товщини; |
| |e) коефіцієнт параметрів заломлення; |
| |f) контроль складу покриття. |
|---+------------------------------------------------------------|
|3. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", |
| |які використовуються після нанесення покриття на підкладку, |
| |зазначену в таблиці: |
| |a) параметри дробоструминної обробки: |
| | 1) склад дробу; |
| | 2) розмір дробу; |
| | 3) швидкість подавання дробу; |
| |b) параметри очищення після обробки дробом; |
| |c) параметри циклу термічної обробки: |
| | 1) атмосферні параметри: |
| | a) склад атмосфери; |
| | b) атмосферний тиск; |
| | 2) температурно-часові цикли; |
| |d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання |
| | покритих підкладок. |
|---+------------------------------------------------------------|
|4. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" |
| |для визначення технічних прийомів, які гарантують якість |
| |покриття підкладок, зазначених у таблиці: |
| |a) критерії статистичного відбіркового контролю; |
| |b) мікроскопічні критерії для: |
| | 1) збільшення покриття; |
| | 2) рівномірності товщини покриття; |
| | 3) цілісності покриття; |
| | 4) складу покриття; |
| | 5) зчеплення покриття та підкладки; |
| | 6) мікроструктурної однорідності; |
| |c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей |
| | (вимірювані як функція довжини хвилі): |
| | 1) відбивна властивість; |
| | 2) прозорість; |
| | 3) поглинання; |
| | 4) розсіювання. |
|---+------------------------------------------------------------|
|5. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" |
| |та параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з |
| |процесами видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці: |
| |a) для хімічного осадження з парової фази (CVD): |
| | 1) склад та формування джерела покриття; |
| | 2) склад несучого газу; |
| | 3) температура підкладки; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 5) контроль газу та маніпулювання деталями; |
| |b) для термічного випарювання - фізичного осадження з |
| | парової фази (PVD): |
| | 1) склад зливка або джерела матеріалу покриття; |
| | 2) температура підкладки; |
| | 3) склад активного газу; |
| | 4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування |
| | матеріалу; |
| | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 6) маніпуляція променем та деталлю; |
| | 7) параметри "лазера": |
| | a) довжина хвилі; |
| | b) щільність потужності; |
| | c) тривалість імпульсу; |
| | d) періодичність імпульсів; |
| | e) джерело; |
| |c) для твердофазного осадження: |
| | 1) склад обмазки та формування; |
| | 2) склад несучого газу; |
| | 3) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| |d) для плазмового напилення: |
| | 1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів; |
| | 2) склад та параметри газу, що подається; |
| | 3) температура підкладки; |
| | 4) параметри потужності плазмової гармати; |
| | 5) дистанція напилення; |
| | 6) кут напилення; |
| | 7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку; |
| | 8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями; |
| |e) для осадження розпиленням: |
| | 1) склад та спосіб виробництва мішені; |
| | 2) геометричне регулювання положення деталей та мішені; |
| | 3) склад хімічно активного газу; |
| | 4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення); |
| | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 6) потужність тріода; |
| | 7) маніпулювання деталлю; |
| |f) для іонної імплантації: |
| | 1) контроль променя та маніпулювання деталлю; |
| | 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| | швидкості осадження; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| |g) для іонного покриття: |
| | 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; |
| | 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| | швидкості осадження; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість |
| | випаровування; |
| | 6) температура підкладки; |
| | 7) параметри електричного зміщення підкладки. |
------------------------------------------------------------------
Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14 ), |
| | | ( 2371б-14 ), |
| | | ( 2371в-14 ), |
| | | ( 2371г-14 ) |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3. |ЕЛЕКТРОНІКА | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та "компонентів", |
| | зазначених у позиції 3.A, інших, ніж описані у |
| | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, |
| | які спеціально призначені або мають такі |
| | функціональні характеристики, як і інше |
| | обладнання, визначається контрольним статусом |
| | іншого обладнання. |
| |2. Контрольний статус інтегральних схем, зазначених|
| | у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12,|
| | програми яких не можуть бути змінені або які |
| | призначені для виконання конкретних функцій для |
| | іншого обладнання, визначається контрольним |
| | статусом іншого обладнання. |
| |3. Контрольний статус обладнання та "компонентів", |
| | зазначених у розділі 3, які спеціально |
| | розроблені або безпосередньо можуть бути |
| | використані для виконання функцій "захисту |
| | інформації", визначається з урахуванням |
| | критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 |
| | (Захист інформації). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Особлива |Якщо виробник або заявник не може визначити статус |
|примітка. |контролю за іншим обладнанням, то цей статус |
| |визначається статусом контролю за інтегральними |
| |схемами, зазначеними в позиціях 3.A.1.a.3 - |
| |3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.1. |Електронні "компоненти" та | |
|[3A001] |спеціально призначені "компоненти" | |
| |для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) інтегральні мікросхеми загального| |
| | призначення: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або |
| |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна |
| |функція, визначається параметрами, зазначеними у |
| |позиції 3.A.1.a. |
| |2. Інтегральні схеми включають такі типи: |
| |"монолітні інтегральні схеми"; |
| |"гібридні інтегральні схеми"; |
| |"багатокристалічні інтегральні схеми"; |
| |"плівкові інтегральні схеми", включаючи інтегральні|
| |схеми типу кремній на сапфірі; |
| |"оптичні інтегральні схеми". |
|------------+---------------------------------------------------|
| |1) інтегральні схеми, спроектовані |з 8542 |
| | або класифіковані виробником як | |
| | радіаційно стійкі для того, щоб | |
| | витримати будь-що з наведеного | |
| | нижче: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3 | |
| | a) загальну дозу 5 х 10 рад | |
| | (кремній) або вище; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 6 | |
| | b) межу потужності дози 5 х 10 | |
| | рад (кремній)/секунда або | |
| | вище; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) флюенс (інтегральна густота | |
| | потоку) нейтронів (еквівалент | |
| | 13 | |
| | 1 Ме-В) 5 х 10 нейтронів/кв.см | |
| | або вище на кремнії, або його | |
| | еквівалент для інших матеріалів; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до структур |
| |метал-діелектрик-напівпровідник (MIS). |
|------------+---------------------------------------------------|
| |2) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 |
| | "мікросхеми мікрокомп'ютера", | |
| | мікросхеми мікроконтролера, | |
| | інтегральні схеми пам'яті, | |
| | виготовлені із складного | |
| | напівпровідника, перетворювачі з | |
| | аналогової форми у цифрову, | |
| | перетворювачі з цифрової форми в | |
| | аналогову, електрооптичні або | |
| | "оптичні інтегральні схеми", | |
| | призначені для "оброблення | |
| | сигналів", логічні пристрої з | |
| | експлуатаційним програмуванням, | |
| | інтегральні схеми нейронної | |
| | мережі, інтегральні схеми на | |
| | замовлення, для яких не відома | |
| | або функція, або стан контролю | |
| | обладнання, у якому буде | |
| | використана інтегральна схема, | |
| | процесори швидкого перетворення | |
| | Фур'є (FFT), програмована | |
| | постійна пам'ять із стиранням | |
| | електричним струмом (EEPROMs), | |
| | імпульсна пам'ять або статична | |
| | пам'ять з довільною вибіркою | |
| | (SRAMs), які мають будь-яку | |
| | з наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працездатні при температурі | |
| | навколишнього середовища понад | |
| | 398 K (+125 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працездатні при температурі | |
| | навколишнього середовища нижче | |
| | 218 K (-55 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працездатні за межами діапазону | |
| | температур навколишнього | |
| | середовища від 218 K | |
| | (-55 град.C) до 398 K | |
| | (+125 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| |3) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 |
| | "мікросхеми мікрокомп'ютера" і | |
| | мікросхеми мікроконтролерів, які | |
| | виготовлені з напівпровідникових | |
| | з'єднань та працюють з тактовою | |
| | частотою понад 40 МГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори цифрових |
| |сигналів, цифрові матричні процесори і цифрові |
| |співпроцесори. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |4) інтегральні схеми пам'яті, |з 8542 |
| | виготовлені на основі | |
| | напівпровідникових з'єднань; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |5) інтегральні схеми аналого- |з 8542 |
| | цифрових та цифро-аналогових | |
| | перетворювачів: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) аналого-цифрові перетворювачі, | |
| | які мають будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) роздільну здатність 8 біт або | |
| | більше, але меншу ніж 10 біт | |
| | при швидкості виведення даних | |
| | більш як 500 млн. слів | |
| | за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) роздільну здатність 10 біт або | |
| | більше, але меншу ніж 12 біт | |
| | при швидкості виведення даних | |
| | більш як 200 млн. слів за | |
| | чсекунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) роздільну здатність 12 біт при | |
| | швидкості виведення даних | |
| | більше ніж 105 млн. слів | |
| | за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) роздільну здатність більшу | |
| | ніж 12 біт, але дорівнює або | |
| | менше ніж 14 біт, при швидкості| |
| | виведення даних більш як | |
| | 10 млн. слів за секунду; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 5) роздільну здатність більше | |
| | ніж 14 біт при швидкості | |
| | виведення даних більш як | |
| | 2,5 млн. слів за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) цифро-аналогові перетворювачі з | |
| | роздільною здатністю 12 біт або | |
| | більше та "часом установлення" | |
| | менш як 10 нс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Роздільна здатність n біт відповідає 2n рівням |
|примітки. |квантування. |
| |2. Кількість біт у виведеному слові дорівнює |
| |роздільній здатності аналого-цифрового |
| |перетворювача. |
| |3. Швидкість виведення даних є максимальною |
| |швидкістю виведення даних перетворювача незалежно |
| |від архітектури або надлишкової дискретизації |
| |(вибірки). Постачальники можуть також посилатись на|
| |швидкість виведення даних як на частоту |
| |дискретизації, швидкість перетворення або пропускну|
| |здатність. Вона зазвичай визначається у мегагерцах |
| |(МГц) або мегавибірках за секунду (MSPS). |
| |4. Для цілей вимірювання швидкості виведення даних |
| |одне виведене слово за секунду є еквівалентом |
| |одного Герца або однієї вибірки за секунду. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |6) електронно-оптичні або "оптичні | |
| | інтегральні схеми" для | |
| | "оброблення сигналів", які мають:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) один внутрішній "лазерний" діод |з 85421 |
| | або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) один внутрішній світлочутливий | |
| | елемент або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) оптичні хвилеводи; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |7) пристрої, що програмуються |з 8542 |
| | користувачем, які мають одну з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) максимальну кількість цифрових | |
| | входів/виходів більшу як 200; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) кількість вентилів системи понад| |
| | 230000; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.7 включає: |
| |прості програмовані логічні пристрої (SPLD); |
| |складні програмовані логічні пристрої (CPLD); |
| |вентильні матриці з можливістю програмування |
| |користувачем (FPGA); |
| |логічні матриці з можливістю програмування |
| |користувачем (FPLA); |
| |схеми з'єднань з можливістю програмування |
| |користувачем (FPIC). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Логічні пристрої з можливістю програмування |
|примітка. |користувачем, відомі також як вентильні або логічні|
| |матриці з можливістю програмування користувачем. |
| |2. Максимальною кількістю входів/виходів, |
| |зазначених у позиції 3.A.1.a.7.a, називають також |
| |максимальну кількість входів/виходів користувача |
| |або максимально доступну кількість входів/виходів |
| |як для корпусних, так і для безкорпусних |
| |інтегральних схем. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |8) не використовується з 1999 року; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |9) інтегральні схеми для нейронних |з 8542 |
| | мереж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |10) інтегральні схеми на замовлення,|з 8542 30 |
| | функція яких не відома, або | |
| | контрольний статус обладнання, у| |
| | якому використовуватимуться | |
| | зазначені інтегральні схеми, не | |
| | відомі виробнику, що мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) більш ніж 1500 терміналів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) типовий "час затримки поширення | |
| | базового логічного елемента" | |
| | менш як 0,02 нс; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) робочу частоту понад 3 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |11) цифрові інтегральні схеми, що |8542 13 99 00,|
| | відрізняються від зазначених у |8542 14 99 00,|
| | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 |8542 19 98 00,|
| | та 3.A.1.a.12, які створені на |8542 12 00 00 |
| | основі будь-якого складного | |
| | напівпровідника і мають будь-яку| |
| | з наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) еквівалентну кількість вентилів | |
| | понад 3000 (у перерахунку на | |
| | двовходові); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) частоту перемикання понад | |
| | 1,2 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |12) процесори швидкісного |з 8542, 8543 |
| | перетворення Фур'є (FFT), які | |
| | мають номінальний час виконання | |
| | для N-позначкового комплексного | |
| | швидкісного перетворення Фур'є | |
| | менш як (N log )/20480 мкс, | |
| | 2 | |
| | де N - кількість позначок; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у позиції |
|примітка. |3.A.1.a.12 визначає час виконання 500 мкс. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |b) прилади мікрохвильового та | |
| | міліметрового діапазону: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) електронні вакуумні лампи та | |
| | катоди: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають |
| |лампи, призначені або нормовані для роботи у будь- |
| |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним |
| |нижче характеристикам: |
| |a) максимальна робоча частота якого не перевищує |
| |31,8 ГГц; та |
| |b) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" |
| |(ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для |
| |радіовизначення. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають |
| |"не придатні для використання в космосі" лампи, які|
| |відповідають наведеним нижче характеристикам: |
| |a) середня вихідна потужність дорівнює або менше |
| |ніж 50 Вт; та |
| |b) призначені або класифіковані для роботи в будь- |
| |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним |
| |нижче характеристикам: |
| | 1) вище 31,8 ГГц, але не перевищує 43,5 ГГц; та |
| | 2) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку"|
