| |випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де |
| |відстань між Землею та Сонцем становить одну |
| |астрономічну одиницю (АО). |
|------------+---------------------------------------------------|
| |f) обертові перетворювачі |9031 80 31 10,|
| | абсолютного кутового положення |9031 80 31 90,|
| | вала в кут, які мають точність, |8502 40 |
| | рівну або меншу (кращу) ніж +- 1 | |
| | кутова секунда; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) твердотільні імпульсні силові | |
| | тиристорні перемикачі та | |
| | тиристорні модулі, в яких | |
| | застосовуються методи | |
| | перемикання з електричним, | |
| | оптичним або електронно- | |
| | емісійним керуванням, що мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну швидкість наростання| |
| | відмикаючого струму (di/dt) | |
| | понад 30000 А/мкс, а напругу у | |
| | замкненому стані понад 1100 В; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальну швидкість наростання| |
| | відмикаючого струму (di/dt) | |
| | понад 2000 А/мкс та всі наведені| |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) пікова напруга у замкненому | |
| | стані дорівнює або більше | |
| | 3000 В; та | |
| | b) піковий (ударний) струм | |
| | дорівнює або більше 3000 А; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Позиція 3.A.1.g включає: |
| |кремнієві керовані діоди (ККД); |
| |електричні пускові тиристори (ЕПТ); |
| |пускові фототиристори (ОПТ); |
| |інтегральні вентильні комутовані тиристори (ІВКТ); |
| |тиристори з вентилями, що запираються (ТВЗ); |
| |МОП-керовані тиристори; |
| |солідтрони. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Для цілей позиції 3.A.1.g тиристорний модуль |
|примітка. |містить один тиристорний пристрій або більше. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |h) твердотільні напівпровідникові | |
| | перемикачі потужності, діоди або | |
| | модулі, які мають такі | |
| | характеристки: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну номінальну робочу | |
| | температуру переходу більше ніж | |
| | 478 K (215 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальну періодичну напругу в| |
| | закритому стані (блокуючу | |
| | напругу) понад 300 В; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) тривало допустимий струм більше | |
| | ніж 1 А. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Максимальна періодична напруга в закритому стані, |
| |зазначена в позиції 3.A.1.h, включає напругу стік- |
| |виток, напругу коллектор-емитер, максимальну |
| |періодичну зворотну напругу та максимальну |
| |періодичну напругу в закритому стані. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Пункт 3.A.1.h включає: |
| |польові транзистори з управляючим p-n-переходом |
| |(JFET); |
| |польові транзистори з вертикальним управляючим |
| |p-n-переходом (VJFET); |
| |польові транзистори із структурою метал-оксид- |
| |напівпровідник (MOSFET); |
| |польові транзистори із структурою метал-оксид- |
| |напівпровідник, виготовлені методом подвійної |
| |дифузії (DMOSFET); |
| |біполярні транзистори з ізольованим затвором |
| |(IGBT); |
| |транзистори з високою рухомістю електронів (HMET); |
| |біполярні площинні транзистори (BJT); |
| |тиристори та кремнієві керовані діоди (SCR); |
| |тиристори з комутованим затвором (GTO); |
| |тиристори з вимкненням емітера (ETO); |
| |регульовані резистивні діоди; |
| |діоди Шотткі. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 3. |Згідно з позицією 3A001.h. контролю не підлягають |
| |перемикачі, діоди або модулі, що входять до складу |
| |в обладнання, призначеного для застосування у |
| |цивільних автомобілях, на цивільній залізниці або у|
| |"цивільних літальних апаратах". |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Відповідно до позиції 3.A.1.h модуль містить один |
|примітка. |або більше твердотільних силових напівпровідникових|
| |вимикачів або діодів. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.2. |Електронна апаратура загального | |
|[3A002] |призначення: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |а) записувальна апаратура і |8520 32 99 00 |
| | спеціально призначена для неї | |
| | вимірювальна стрічка: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) накопичувачі на магнітній плівці| |
| | для аналогової апаратури, | |
| | включаючи накопичувачі з | |
| | можливістю запису цифрових | |
| | сигналів (тобто, що | |
| | використовують модуль цифрового | |
| | запису високої щільності (HDDR),| |
| | які мають одну з наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) смугу частот понад 4 МГц на | |
| | електронний канал або доріжку; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) смугу частот понад 2 МГц на | |
| | електронний канал або доріжку | |
| | при кількості доріжок понад 42;| |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) помилку непогодження змінної | |
| | шкали, виміряну із | |
| | застосуванням документів | |
| | Асоціації електронної | |
| | промисловості (EIA) або IRIG, | |
| | менше ніж +- 0,1 мкс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Аналогові магнітофони, спеціально створені для |
| |цілей цивільного відео, не вважаються |
| |накопичувачами на плівці. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) цифрові відеомагнітофони, які |з 8521 10, |
| | мають максимальну роздільну |8521 90 00 00 |
| | здатність цифрового інтерфейсу | |
| | понад 360 Мбіт/с; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають |
| |цифрові стрічкові відеомагнітофони, спеціально |
| |спроектовані для телевізійного запису з |
| |використанням форми сигналу, що може включати форму|
| |стисненого сигналу за стандартами або |
| |рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку |
| |(ITU), Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), |
| |Спілки кіно- та телевізійних інженерів (SMPTE), |
| |Європейського союзу радіомовлення (EBU), |
| |Європейського інституту стандартів зв'язку (ETSI) |
| |або Інституту інженерів - спеціалістів у галузі |
| |електротехніки та електроніки (ІЕЕЕ), для |
| |цивільного телебачення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 3) накопичувачі на магнітній плівці|з 8521 10 |
| | для цифрової апаратури, що | |
| | використовує методи спірального | |
| | сканування або фіксованих | |
| | магнітних головок, які мають | |
| | одну з таких характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | а) максимальна пропускна здатність| |
| | цифрового інтерфейсу понад | |
| | 175 Мбіт/с; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) за технічними умовами "придатні| |
| | для використання в космосі"; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають |
| |аналогові накопичувачі на магнітній плівці, |
| |оснащені електронікою для перетворення в цифровий |
| |запис високої щільності (HDDR) та призначені для |
| |запису лише цифрових даних. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 4) апаратура з максимальною |8521 90 00 00 |
| | пропускною здатністю цифрового | |
| | інтерфейсу понад 175 Мбіт/с, | |
| | призначена для перетворення | |
| | цифрових відеомагнітофонів у | |
| | пристрої запису даних цифрової | |
| | апаратури; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 5) цифрові перетворювачі форми |з 8543 |
| | хвилі та перехідні реєстратори, | |
| | які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) швидкість цифрового | |
| | перетворення, що дорівнює або | |
| | більше ніж 200 млн. операцій | |
| | за секунду з роздільною | |
| | здатністю 10 біт або більше; та| |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) безперервну пропускну | |
| | здатність 2 Гбіт/с і більше; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Для зазначених приладів з паралельною шиною |
|примітка. |швидкість безперервної пропускної здатності є |
| |добутком найбільшого обсягу слів на кількість біт у|
| |слові. |
| |2. Безперервна пропускна здатність - це найвища |
| |швидкість, з якою прилад може виводити дані в |
| |накопичувач без втрати інформації та водночас |
| |підтримувати швидкість вимірювання та функцію |
| |аналого-цифрового перетворення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 6) накопичувачі для цифрової | |
| | апаратури, що використовують | |
| | методи накопичення на магнітних | |
| | дисках, які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) швидкість цифрового | |
| | перетворення, що дорівнює | |
| | або більше ніж 100 млн. | |
| | операцій за секунду та | |
| | роздільну здатність 8 біт | |
| | або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) безперервну пропускну | |
| | здатність 1 Гбіт/с або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) "електронні збірки" "синтезаторів|з 8543, |
| | частоти", які мають "час |8570 10 90 00 |
| | перемикання частоти" з однієї на | |
| | іншу менше ніж 1 мс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Статус контролю за аналізаторами сигналів, |
| |генераторами сигналів, мережевими аналізаторами і |
| |приймачів-тестерів мікрохвильового діапазону як |
| |автономних приладів визначається відповідно |
| |позиціями 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. та 3.A.2.f. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) "Аналізатори сигналів" |з 8543, |
| | радіочастоти, наведені нижче: |8570 10 90 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "аналізатори сигналів", які | |
| | здатні аналізувати частоти понад| |
| | 31,8 ГГц, але не більше ніж | |
| | 37,5 ГГц, та мають ширину смуги | |
| | частот з роздільною здатністю | |
| | 3 дБ (RBW), що перевищує 10 МГц;| |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) "аналізатори сигналів", здатні | |
| | аналізувати частоти понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "динамічні аналізатори сигналів"| |
| | із "шириною смуги частот у | |
| | реальному масштабі часу" понад | |
| | 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають |
| |"динамічні аналізатори сигналів", які |
| |використовують тільки фільтри із смугою пропускання|
| |фіксованих частот (відомі також під назвою октавних|
| |або фракційних октавних фільтрів); |
|------------+---------------------------------------------------|
| |d) генератори сигналів синтезаторів |8543 20 00 00 |
| | частот, які формують вихідні | |
| | частоти з керуванням за | |
| | параметрами точності, | |
| | короткочасної та довгочасної | |
| | стабільності, на основі або | |
| | за допомогою внутрішнього | |
| | задавального генератора еталонної| |
| | частоти і мають одну з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальна синтезована частота | |
| | понад 31,8 ГГц, але не вище | |
| | 43,5 ГГц, та нормована для | |
| | генерації імпульсів тривалістю | |
| | менше ніж 100 нс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальна синтезована частота | |
| | понад 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "час перемикання частоти" з | |
| | однієї заданої частоти на іншу | |
| | відповідно до одного з наведених| |
| | нижче варіантів: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) менше ніж 312 пікосекунд; | |
| | b) менше ніж 100 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 1,6 ГГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 3,2 ГГц, але не вище 10,6 ГГц; | |
| | c) менше ніж 250 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 550 МГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 10,6 ГГц, але не вище 31,8 ГГц;| |
| | d) менше ніж 500 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 550 МГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц;| |
| | або | |
| | e) менше 1 мс в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 43,5 ГГц, або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) максимальна синтезована частота | |
| | понад 3,2 ГГц і мають все із | |
| | зазначеного; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) фазовий шум однієї бокової | |
| | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | |
| | краще ніж - (126 + | |
| | 20log F - 20log f) для | |
| | 10 10 | |
| | 10 Гц < F < 10 кГц; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) фазовий шум однієї бокової | |
| | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | |
| | краще ніж - | |
| | (114 + 20log F - 20log f) для| |
| | 10 10 | |
| | 10 кГц < F < 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |В позиції 3.A.2.d.4 F є компенсацією робочої |
|примітка. |частоти у Гц і f є робоча частота у МГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Для цілей позиції 3.A.2.d термін "генератори |
| |сигналів синтезаторів" означає генератори довільної|
| |форми сигналу та функції. |
| |2. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає |
| |обладнання, у якому вихідна частота створюється |
| |шляхом додавання або віднімання частот з двох або |
| |більше кварцових генераторів чи шляхом додавання |
| |або віднімання з наступним множенням результуючої |
| |частоти. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Генератори довільної форми сигналу та функції |
|примітки. |зазвичай характеризуються частотою вибірки |
| |(наприклад, гігавиборок за секунду), яка |
| |перетворюється у радіочастотну область за допомогою|
| |коефіцієнта Найквіста, що дорівнює 2. Тобто |
| |довільна форма сигналу з частотою 1 гігавибірка за |
| |секунду має здатність безпосередньо забезпечити |
| |вихідну частоту 500 МГц. Або, якщо застосовується |
| |передискредитація, максимальна вихідна частота буде|
| |пропорційно нижче. |
| |2. "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 |
| |визначається як проміжок часу між переднім фронтом |
| |імпульсу, який досягає 90% максимуму, і заднім |
| |фронтом імпульсу, який досягає 10% максимуму; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |e) мережеві аналізатори з |з 8543, |
| | максимальною робочою частотою |8470 10 90 00 |
| | понад 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |f) приймачі-тестери мікрохвильового |8527 90 98 00 |
| | діапазону, які мають усі наведені| |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну робочу частоту понад| |
| | 40 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) здатні одночасно вимірювати | |
| | амплітуду та фазу; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) атомні еталони частоти: |8543 20 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "придатні для використання в | |
| | космосі"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) що не є рубідієвими та мають | |
| | довготривалу стабільність | |
| | (старіння) менше (краще) | |
| | -11 | |
| | 1 х 10 /місяць; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) не "придатні для використання в | |
| | космосі" та мають усі наведені | |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) є рубідієвими еталонами; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) довготривала стабільність | |
| | (старіння) менше (краще) | |
| | -11 | |
| | 1 х 10 /місяць; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) сумарна потужність, що | |
| | споживається, менше 1 Вт. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають |
| |рубідієві еталони, не "придатні для використання в |
| |космосі". |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.3 |Системи терморегулювання з |з 8424 |
| |охолодженням шляхом розбризкування, | |
| |що використовують обладнання із | |
| |замкнутим контуром для маніпулювання| |
| |рідиною та її регенерації в | |
| |герметичній оболонці, в якій | |
| |діелектрична рідина розбризкується | |
| |на електронні "компоненти" з | |
| |використанням спеціально призначених| |
| |розпилювачів, спроектовані таким | |
| |чином, щоб підтримувати температуру | |
| |електронних "компонентів" у межах їх| |
| |робочого температурного діапазону, а| |
| |також "спеціально призначені | |
| |компоненти" для них. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B.1 |Обладнання для виробництва | |
|[3B001] |напівпровідникових приладів або | |
| |матеріалів, наведене нижче, і | |
| |спеціально створені "компоненти" та | |
| |оснащення для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) обладнання для епітаксійного | |
| | вирощування: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання, здатне виробляти шар|з 8419 89 |
| | будь-якого матеріалу, крім | |
| | кремнію, з відхиленням товщини | |
| | не більше ніж +- 2,5% на довжині| |
| | 75 мм або більше. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для |
| |епітаксії атомних шарів (ALE); |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) обладнання хімічного осадження з|з 8419 89 |
| | металоорганічної парової фази | |
| | (MOCVD), спеціально розроблене | |
| | для вирощування кристалів | |
| | складних напівпровідників за | |
| | допомогою хімічних реакцій між | |
| | матеріалами, зазначене у | |
| | позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) молекулярно-променеве обладнання|з 8419 89 |
| | епітаксійного вирощування, у | |
| | якому застосовані газові або | |
| | твердотільні джерела; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) обладнання для іонної |8456 10 10 00,|
| | імплантації, яке має одну з |8456 10 90 00 |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) енергія пучка (прискорювальна | |
| | напруга) понад 1 МеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) спеціально спроектоване та | |
| | оптимізоване для функціонування | |
| | при енергії пучка | |
| | (прискорювальній напрузі) менше | |
| | ніж 2 кеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) здатне до безпосереднього | |
| | запису; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) призначене для | |
| | високоенергетичної | |
| | імплантації кисню в нагріту | |
| | "підкладку" напівпровідникового | |
| | матеріалу з енергією пучка | |
| | 65 кеВ або більше і струмом | |
| | пучка 45 мА або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) обладнання для сухого травлення |з 8456 99, |
| | анізотропною плазмою: |8456 91 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) з покасетним обробленням пластин| |
| | та подачею їх через | |
| | завантажувальні шлюзи, яке має | |
| | одну з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для обладнання, | |
| | яке підлягає контролю за | |
| | позицією 3.B.1. e та має одну | |
| | з наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) обладнання для хімічного |з 8456 99, |
| | осадження з парової фази (CVD) та|8456 91 00 00 |
| | плазмової стимуляції: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання з покасетним | |
| | обробленням пластин і подачею | |
| | їх через завантажувальні шлюзи, | |
| | спроектоване відповідно до | |
| | технічних умов виробника або | |
| | оптимізоване для використання у | |
| | виробництві напівпровідникових | |
| | приладів з критичними розмірами | |
| | 180 нм або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для апаратури, яка | |
| | підлягає контролю згідно з | |
| | позицією 3.B.1.e, і спроектоване| |
| | відповідно то технічних умов | |
| | виробника або оптимізоване для | |
| | використання у виробництві | |
| | напівпровідникових приладів з | |
| | критичними розмірами 180 нм | |
| | або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) багатокамерні системи з |8456 10 10 00,|
| | центральним автоматичним |8456 10 90 00,|
| | завантаженням напівпровідникових |з 8456 99, |
| | пластин, що мають усі наведені |8456 91 00 00 |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) інтерфейси для завантаження та | |
| | вивантаження пластин, до яких | |
| | повинні приєднуватися більше ніж| |
| | дві одиниці обладнання для | |
| | оброблення напівпровідників; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) призначені для комплексної | |
| | системи послідовного | |
| | багатопозиційного оброблення | |
| | пластин у вакуумі; | |
