| |c) робоча частота понад 3 ГГц;| |
| |------------------------------+--------------|
| |11) цифрові інтегральні схеми,|8542 13 99 00,|
| |що відрізняються від|8542 14 99 00,|
| |зазначених у позиціях|8542 19 98 00,|
| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та|8542 12 00 00 |
| |3.A.1.a.12 які створені на| |
| |основі будь-якого складного| |
| |напівпровідника і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) еквівалентна кількість| |
| |вентилів понад 3000 (у| |
| |перерахунку на двовходові); | |
| |b) частота перемикання понад| |
| |1,2 ГГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |12) процесори швидкісного|з 8542, 8543 |
| |перетворення Фур'є (FFT), які| |
| |мають номінальний час| |
| |виконання для N-позначкового| |
| |комплексного швидкісного| |
| |перетворення Фур'є менше ніж| |
| |(N log ) / 20480 мкс, де| |
| | 2 | |
| |N - кількість позначок | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у|
| |позиції 3.A.1.a.12 визначає час виконання 500|
| |мкс. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.b. |Прилади мікрохвильового та| |
| |міліметрового діапазону,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) електронні вакуумні лампи| |
| |та катоди, наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не|
| |підлягають лампи, призначені або нормовані|
| |для роботи у будь-якому діапазоні частот,|
| |який відповідає всім наведеним нижче|
| |характеристикам: |
| |a) максимальна робоча частота якого не|
| |перевищує 31,8 ГГц; |
| |b) є "виділеним Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку" (ITU) для надання послуг|
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не|
| |підлягають не "придатні для використання в|
| |космосі" лампи, які відповідають всім|
| |наведеним нижче характеристикам: |
| |a) середня вихідна потужність дорівнює або|
| |менше ніж 50 Вт; |
| |b) призначені або класифіковані для роботи в|
| |будь-якому діапазоні частот, який відповідає|
| |всім наведеним нижче характеристикам: |
| |1) вище 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц; |
| |2) є "виділеним Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку" (ITU) для надання послуг|
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) лампи біжучої хвилі|8540 79 00 00 |
| |імпульсної або безперервної| |
| |дії, наведені нижче: | |
| |1) з робочою частотою понад| |
| |31,8 ГГц; | |
| |2) які мають елемент| |
| |підігрівання катода з часом| |
| |від моменту включення до| |
| |виходу лампи на номінальну| |
| |радіочастотну потужність менше| |
| |ніж 3 с; | |
| |3) лампи із сполученими| |
| |резонаторами або їх| |
| |модифікації з "відносною| |
| |шириною смуги частот" понад 7| |
| |відсотків або з піковою| |
| |потужністю понад 2,5 кВт; | |
| |4) спіральні лампи або їх| |
| |модифікації, які мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" становить понад 1| |
| |октаву і добуток номінальної| |
| |середньої вихідної потужності| |
| |(у кВт) на максимальну робочу| |
| |частоту (у ГГц) становить| |
| |понад 0,5; | |
| |b) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" дорівнює 1 октаві або| |
| |менше і добуток номінальної| |
| |середньої вихідної потужності| |
| |(у кВт) на максимальну робочу| |
| |частоту (у ГГц) становить| |
| |понад 1; | |
| |c) "придатні для використання| |
| |в космосі"; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) лампи - підсилювачі|8540 71 00 00 |
| |магнетронного типу з| |
| |коефіцієнтом підсилення понад| |
| |17 дБ; | |
| |------------------------------+--------------|
| |c) імпрегновані катоди для|8540 79 00 00 |
| |електронних ламп, які| |
| |виробляють густину струму при| |
| |безперервній емісії за штатних| |
| |умов експлуатації понад| |
| |5 А/кв.см; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) підсилювачі потужності на|8542 |
| |монолітних інтегральних схемах| |
| |мікрохвильового діапазону| |
| |(ММІС), що мають будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 4 Вт (36| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 15| |
| |відсотків; | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 16 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 1 Вт (30| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 16 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 0,8 Вт| |
| |(29 дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно; | |
| |e) що працюють для роботи на| |
| |частотах понад 37,5 ГГц до| |
| |43,5 ГГц включно з середньою| |
| |вихідною потужністю більше ніж| |
| |0,25 Вт (24 дБм) і "відносною| |
| |шириною смуги частот" більше| |
| |ніж 10 відсотків; або | |
| |f) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не|
| |підлягає обладнання радіомовних супутників,|
| |призначене або нормоване для роботи в|
| |діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус ММІС, чия номінальна|
| |робоча частота включає частоти, перелічені в|
| |більш ніж одному діапазоні частот, визначених|
| |у позиціях 3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f,|
| |визначається нижчим середнім значенням|
| |вихідної потужності. |
| |3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3|
| |означають, що згідно з позицією 3.A.1.b.2|
| |контролю не підлягають ММІС, якщо вони|
| |спеціально призначені для інших застосувань,|
| |наприклад, у телекомунікаційному зв'язку,|
| |РЛС, автомобілях. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.b. |3) дискретні мікрохвильові|8541 |
| |транзистори, які мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |і мають середню вихідну| |
| |потужність більше ніж 60 Вт| |
| |(47,8 дБм); | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |20 Вт (43 дБм); | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |0,5 Вт (27 дБм); | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |1 Вт (30 дБм); або | |
| |e) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус транзистора, чия|
| |номінальна робоча частота включає частоти,|
| |перелічені в більш ніж одному діапазоні|
| |частот, перелічених у позиціях 3.A.1.b.3.a -|
| |3.A.1.b.3.e, визначається нижчим середнім|
| |значенням вихідної потужності. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) мікрохвильові твердотільні|8543 |
| |підсилювачі та мікрохвильові| |
| |збірки/модулі, які містять| |
| |мікрохвильові підсилювачі, що| |
| |мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 60 Вт| |
| |(47,8 дБм) і "відносною| |
| |шириною смуги частот" більше| |
| |ніж 15 відсотків; | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 15 Вт| |
| |(42 дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно; | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 1 Вт (30| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |e) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц; або | |
| |f) що працюють на частотах| |
| |вище 3,2 ГГц і мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) середню вихідну потужність| |
| |(у ватах) більше 150,| |
| |поділених на максимальну| |
| |робочу частоту (у Гігагерцах)| |
| |у квадраті| |
| | 2 2 | |
| |[P > 150 Вт x ГГц /f ]; | |
| | ГГц | |
| |2) відносну ширину смуги| |
| |частот 5 відсотків або більше;| |
| |та | |
| |3) будь-які дві сторони,| |
| |перпендикулярні одна одній,| |
| |мають довжину d (в| |
| |сантиметрах), що дорівнює або| |
| |менше 15 поділених на найменшу| |
| |робочу частоту (у Гігагерцах)| |
| |[d <= 15 см x ГГц/f ] | |
| | ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу|
| |робочу частоту (f ) у формулі, наведеній у|
| | ГГц |
| |позиції 3.A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з|
| |розрахованим робочим діапазоном, що|
| |продовжується до 3,2 ГГц і нижче [d <= 15 см|
| |* ГГц/3,2 ГГц]. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Контрольний статус підсилювачів потужності на|
| |ММІС слід оцінювати за критеріями,|
| |зазначеними у позиції 3.A.1.b.2. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не|
| |підлягає обладнання радіомовних супутників,|
| |призначене або нормоване для роботи в|
| |діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус виробу, чия номінальна|
| |робоча частота включає частоти, перелічені в|
| |більш ніж одному діапазоні частот, визначених|
| |у позиціях 3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e,|
| |визначається нижчим середнім значенням|
| |вихідної потужності. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |5) смугові або загороджувальні|8529 |
| |фільтри з електронним або| |
| |магнітним налагодженням, які| |
| |мають понад 5 налагоджувальних| |
| |резонаторів, що забезпечують| |
| |налагодження в смузі частот, з| |
| |відношенням максимальної та| |
| |мінімальної частот 1,5:1 менше| |
| |ніж за 10 мкс і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) смуга частот пропускання| |
| |становить понад 0,5 відсотка| |
| |резонансної частоти; | |
| |b) смуга загородження| |
| |становить менше ніж 0,5| |
| |відсотка резонансної частоти; | |
| |------------------------------+--------------|
| |6) виключено; |8529 |
| |7) змішувачі та перетворювачі,| |
| |призначені для розширення| |
| |частотного діапазону| |
| |обладнання, зазначеного в| |
| |позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.e або| |
| |3.A.2.f; | |
| |------------------------------+--------------|
| |8) мікрохвильові підсилювачі|з 8540 71 |
| |потужності, які містять лампи,| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позицією 3.A.1.b, і мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |a) робочі частоти понад 3 ГГц;| |
| |b) середня густота вихідної| |
| |потужності понад 80 Вт/кг; та| |
| |c) об'єм менше ніж 400 куб.см | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не|
| |підлягає обладнання, призначене або нормоване|
| |для роботи у будь-якій смузі, що є "виділеною|
| |Міжнародним союзом електрозв'язку (ITU)" для|
| |надання послуг радіозв'язку, але не для|
| |радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.c. |Прилади на акустичних хвилях,| |
| |наведені нижче, та "спеціально| |
| |призначені компоненти" для| |
| |них: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) прилади на поверхневих|8541 60 00 00 |
| |акустичних хвилях і акустичних| |
| |хвилях у тонкій підкладці| |
| |(тобто прилади для "оброблення| |
| |сигналів", що використовують| |
| |пружні хвилі в матеріалі), які| |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) несуча частота понад 2,5| |
| |ГГц; | |
| |b) несуча частота понад 1 ГГц,| |
| |але не більше 2,5 ГГц, і мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) частотне заглушення бокових| |
| |пелюстків діаграми| |
| |направленості понад 55 дБ; | |
| |2) добуток максимального часу| |
| |затримки (у мкс) і "миттєвої| |
| |ширини смуги частот" (у МГц)| |
| |понад 100; | |
| |3) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" понад 250 МГц; | |
| |4) затримка розсіювання понад| |
| |10 мкс; | |
| |c) несуча частота, яка| |
| |дорівнює 1 ГГц або менше і має| |
| |одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) добуток максимального часу| |
| |затримки (у мкс) і "миттєвої| |
| |ширини смуги частот" (у МГц)| |
| |понад 100; | |
| |2) затримка розсіювання понад| |
| |10 мкс; | |
| |3) частотне заглушення бокових| |
| |пелюстків діаграми| |
| |направленості понад 55 дБ та| |
| |ширина смуги частот понад 50| |
| |МГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) прилади на об'ємних|8541 60 00 00 |
| |акустичних хвилях (тобто| |
| |прилади для "оброблення| |
| |сигналів", які використовують| |
| |пружні хвилі в матеріалі), що| |
| |забезпечують безпосереднє| |
| |"оброблення сигналів" на| |
| |частотах понад 1 ГГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) акустооптичні прилади|8541 60 00 00 |
| |"оброблення сигналів", які| |
| |використовують взаємодію між| |
| |акустичними хвилями (об'ємними| |
| |чи поверхневими) і світловими| |
| |хвилями, що забезпечує| |
| |безпосереднє "оброблення| |
| |сигналів" або зображення,| |
| |включаючи аналіз спектра,| |
| |кореляцію або згортку | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.d. |Електронні прилади або схеми,|8542 50 00 00 |
| |які містять елементи,| |
| |виготовлені з "надпровідних"| |
| |матеріалів, спеціально| |
| |спроектовані для роботи при| |
| |температурах, нижчих від| |
| |"критичної температури" хоча б| |
| |для однієї з "надпровідних"| |
| |складових, і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |1) наявність струмових| |
| |перемикачів для цифрових схем,| |
| |які використовують| |
| |"надпровідні" вентилі, де| |
| |добуток часу затримки на| |
| |вентиль (у секундах) і| |
| |розсіювання потужності на| |
| |вентиль (у ватах) нижче ніж| |
| | -14 | |
| |10 Дж; | |
| |2) забезпечення селекції| |
| |частоти на всіх діапазонах| |
| |частот з використанням| |
| |резонансних контурів з| |
| |добротністю понад 10000 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.e. |Прилади високої енергії,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) батареї та фотоелектричні| |
| |батареї, наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не|
| |підлягають батареї об'ємом 27 куб.см або|
| |менше (наприклад, стандартні вугільні|
| |елементи або батареї R14). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) первинні елементи і батареї|з 8506 60, |
| |із щільністю енергії понад 480|8506 80, |
| |Вт.год./кг, які за технічними|8540 10 10 00 |
| |умовами придатні для роботи в| |
| |діапазоні температур нижче від| |
| |243 К (-30 град. C) і вище від| |
| |343 К (+70 град. C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) підзаряджувальні елементи і|з 8506 60, |
| |батареї із щільністю енергії|8506 80, |
| |понад 150 Вт.год/кг після 75|8540 10 10 00 |
| |циклів заряду-розряду при| |
| |струмі розряду, що дорівнює| |
| |С/5 год (де С - номінальна| |
| |ємність в а.год), під час| |
| |роботи в діапазоні температур| |
| |нижче від 253 К (-20 град. C)| |
| |і вище від 333 К| |
| |(+60 град. C); | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Густина енергії розраховується множенням|
| |середньої потужності у ватах (добуток|
| |середньої напруги у вольтах і середнього|
| |струму в амперах) на тривалість циклу|
| |розрядження в годинах, за якого напруга на|
| |розімкнутих клемах падає до 75 відсотків|
| |номіналу, і діленням цього добутку на|
| |загальну масу елемента (або батареї) в|
| |кілограмах. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |c) батареї, за технічними|з 8506 60, |
| |умовами "придатні для|8506 80, |
| |використання в космосі" та|8540 10 10 00 |
| |радіаційно стійкі батареї на| |
| |фотоелектричних елементах з| |
| |питомою потужністю понад 160| |
| |Вт/кв.м при робочій| |
| |температурі 301 К (+28 град.| |
| |C) і вольфрамовому джерелі,| |
| |яке нагріте до 2800 К (+2527| |
| |град. C) і створює енергетичну| |
| |освітленість 1 кВт/кв.м; | |
| |2) накопичувачі великої| |
| |енергії, наведені нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення менше ніж|8506 80, |
| |10 Гц (одноразові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), що мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) номінальну напругу не менше| |
| |ніж 5 кВ; | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 250 Дж/кг; та | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 25 кДж; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення 10 Гц і|8506 80, |
| |більше (багаторазові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |------------------------------+--------------|
| |1) номінальну напругу не менше|з 8507 80 |
| |ніж 5 кВ, | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 50 Дж/кг; | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 100 Дж; та | |
| |4) кількість циклів| |
| |заряду-розряду не менше ніж| |
| |10000; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) "надпровідні"|8505 19 90 00 |
| |електромагніти та соленоїди,| |
| |спеціально спроектовані на| |
| |повне заряджання або| |
| |розряджання менше ніж за 1| |
| |секунду, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не|
| |підлягають "надпровідні" електромагніти або|
| |соленоїди, спеціально призначені для медичної|
| |апаратури магніторезонансної томографії|
| |(MRI). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) максимальну енергію під час| |
| |розряду понад 10 кДж за першу| |
| |секунду; | |
| |b) внутрішній діаметр| |
| |струмопровідних обмоток понад| |
| |250 мм; та | |
| |c) номінальну магнітну| |
| |індукцію понад 8 Т або| |
| |"сумарну густину струму" в| |
| |обмотці понад 300 А/кв.мм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.f. |Обертові перетворювачі|9031 80 31 10,|
| |абсолютного кутового положення|9031 80 31 90,|
| |вала в кут, які мають будь-яку|8502 40 |
| |з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) розподільна здатність краще| |
| |1/265000 від повного діапазону| |
| |(18 біт); | |
| |2) точність краще ніж +- 2,5| |
| |кутових секунд | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2. |Електронна апаратура| |
|[3A002] |загального призначення,| |
| |наведена нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.a. |Записувальна апаратура,|8520 32 99 00 |
| |наведена нижче, і спеціально| |
| |призначена для неї| |
| |вимірювальна стрічка: | |
| |1) накопичувачі на магнітній| |
| |плівці для аналогової| |
| |апаратури, включаючи| |