програмою":
1) обладнання для епітаксійного з 8419 89
вирощування, здатне витримувати товщину
епітаксійного шару з відхиленням не більше
ніж 2,5 відсотка на відстані вздовж
пластини 75 мм або більше;
2) обладнання хімічного осадження з з 8419 89
металоорганічної парової фази (MOCVD),
спеціально розроблене для вирощування
кристалів складних напівпровідників за
допомогою хімічних реакцій між матеріалами,
зазначених у позиціях 3.C.3 або 3.C.4;
3) молекулярно-променеве обладнання 8417 80 10 00
епітаксійного вирощування, у якому
застосовані газові або твердотільні джерела
3.B.1.b. Обладнання, "кероване вмонтованою 8456 10 10 00,
програмою", для іонної імплантації, яке має 8456 10 90 00
одну з наведених нижче характеристик:
1) енергетика пучка (прискорювальна
напруга) понад 1 МеВ;
2) спеціально спроектоване та оптимізоване
для функціонування при енергетиці пучка
(прискорювальній напрузі) менше ніж 2 кеВ;
3) здатне до безпосереднього запису;
4) здатне до високоенергетичної імплантації
кисню в нагріту підкладку
напівпровідникового матеріалу
3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого з 8456 99,
травлення з використанням анізотропної 8456 91 00 00
плазми, "кероване програмою, що
зберігається в пам'яті":
1) з покасетним обробленням пластин та
завантаженням їх через завантажувальні
шлюзи, які мають одну з наведених нижче
характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, спеціально спроектоване для
устаткування, яке підлягає контролю за
позицією 3.B.1.e та має одну з наведених
нижче характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі
3.B.1.d. Обладнання, "кероване вмонтованою з 8456 99,
програмою", для хімічного осадження 8456 91 00 00
з парової фази (CVD) та плазмової
стимуляції, наведене нижче:
1) з покасетним обробленням пластин і
подачею їх через завантажувальні шлюзи, які
мають одну з наведених нижче характеристик:
a) призначене відповідно до технічних
умов виробника або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, що спроектоване для
апаратури, яке підлягає контролю згідно з
позицією 3.B.1.e та має будь-яку з
наведених нижче характеристик:
a) призначене відповідно до технічних
умов виробника або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм або
менше з точністю +(-)5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром
частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі
3.B.1.e. Багатокамерний центр оброблення 8456 10 10 00,
напівпровідникових пластин з автоматичним 8456 10 90 00,
завантаженням, "керований вмонтованою з 8456 99,
програмою", який має усі наведені нижче 8456 91 00 00
характеристики:
1) інтерфейси для завантаження та
вивантаження пластин, до яких повинно бути
приєднано понад два пристрої технологічного
оброблення напівпровідників;
2) призначений для комплексної системи
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин у вакуумі
Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають автоматичні
робототехнічні системи завантаження пластин, не призначених
для роботи у вакуумі.
3.B.1.f. Обладнання літографії, "кероване 9009 22 90 00
вмонтованою програмою", наведене нижче:
1) обладнання багаторазового суміщення та
експонування (безпосередньо на підкладці)
або обладнання із крокового сканування для
оброблення пластин методами фотооптичної
або рентгенівської літографії, яке має
будь-яку з наведених нижче характеристик:
a) наявність джерела освітлення з
довжиною хвилі коротшою ніж 350 нм;
b) спроможність виробляти зразки з
мінімальним визначеним типовим розміром
0,35 мкм або менше;
Технічна Мінімальний визначений типовий розмір можна розрахувати за
примітка. формулою:
(довжина хвилі випромінювання світла в мк) х (К фактор)
MRF = -------------------------------------------------------,
цифрова апертура
де К фактор = 0,7, а MRF - мінімальний визначений типовий розмір.
3.B.1.f. 2) обладнання, спеціально призначене для 8456 10 10 00,
виробництва шаблонів або оброблення 8456 10 90 00
напівпровідникових приладів з використанням
сфокусованого електронного пучка, що
відхиляється, іонного пучка або "лазерного"
пучка, які мають будь-яку з наведених нижче
характеристик:
a) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;
b) здатність виробляти малюнок з
мінімальними дозволеними проектними
нормами менше ніж 1 мкм;
c) точність суміщення краще +(-)0,2 мкм
(3 сигма)
3.B.1.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 9010 90 10 00,
інтегральних схем, що підлягають контролю 9010 90 90 00
згідно з позицією 3.A.1
3.B.1.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 9010 90 10 00,
шаром. 9010 90 90 00
3.B.2. Обладнання для випробувань, "кероване 9031 80 39 10,
[3B002] вмонтованою програмою", спеціально 9031 80 39 90
призначене для випробувань готових
(оброблених) або напівфабрикатних
(необроблених) напівпровідникових приладів,
наведене нижче, і спеціально створені
компоненти та аксесуари до нього:
3.B.2.a. Для вимірювання S-параметрів транзисторних
приладів на частотах понад 31 ГГц
3.B.2.b. Для випробувань інтегральних мікросхем та
їх збірок, здатне виконувати функціональне
тестування (за таблицями істинності) з
частотою тестування рядків понад 333 МГц
Примітка. Згідно з позицією 3.B.2.b контролю не підлягає апаратура,
спеціально призначена для випробувань:
1) "електронних збірок" або класу "електронних збірок" для
побутової або ігрової електронної апаратури;
2) електронних компонентів, "електронних збірок" або
інтегральних схем, які не підлягають експортному контролю;
3) запам'ятовуючі пристрої.
Технічна Для цілей цієї позиції частота тестування рядків дорівнює
примітка. максимальній частоті цифрового режиму випробувального
стенду. Тому вона є еквівалентом найвищої швидкості передачі
даних, яку може забезпечити стенд у немультиплексному
режимі. Її також називають швидкістю тестування,
максимальною цифровою частотою або максимальною цифровою
швидкістю.
3.B.2.c. Для випробувань мікрохвильових інтегральних
схем, що контролюються згідно з позицією
3.A.1.b.2.
3.C. МАТЕРІАЛИ
3.C.1. Гетероепітаксійні матеріали, які 3818 00 90 00
[3C001] складаються з підкладки та кількох
послідовно нанесених епітаксійних шарів,
які мають будь-яку з наведених нижче
складових:
a) кремній;
b) германій;
c) карбід кремнію;
d) сполуки III/V на основі галію або
індію.
Технічна Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні або
примітка. складні монокристалічні продукти, складені з елементів
IIIA (A3) та VA (B5) груп періодичної системи елементів
Менделєєва (наприклад, арсенід галію, арсенід
галію-алюмінію, фосфід індію тощо).
3.C.2. Матеріали резистів і підкладки, наведені
[3C002] нижче, покриті резистами, що підлягають
контролю:
3.C.2.a. Позитивні резисти, призначені для 8541 40 99 00
напівпровідникової літографії, спеціально
пристосовані для використання з довжиною
хвилі менше ніж 350 нм
3.C.2.b. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00
під час експонування електронними та
іонними пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/кв.
мм або краще
3.C.2.c. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00
під час експонування рентгенівськими
променями, з чутливістю 2,5 мДж/кв. мм або
краще
3.C.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 8541 40 99 00
формування малюнка, уключаючи силіційовані
резисти
Технічна Методи силіціювання - це процеси, які включають
примітка. оксидування поверхні резисту для підвищення якості мокрого
та сухого проявлення.
3.C.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:
[3C003]
3.C.3.a. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, з 2931 00 95,
галію або індію, які мають чистоту 2931 00 95 00
металевої основи понад 99,999 відсотка
3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та з 2931 00 95
органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту
основи неорганічного елемента понад 99,999
відсотка
Примітка. Згідно з позицією 3.C.3 контролю підлягають тільки ті
сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві елементи
яких безпосередньо пов'язані з вуглецем органічної частки
молекули.
3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку або сурми, які 2848 00 00 00,
[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотка навіть 2850 00 10 00
після розведення інертними газами або
воднем
Примітка. Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають гідриди, що
містять 20 відсотків або більше молей інертних газів чи
водню.
3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D001] створене для "розроблення" або
"виробництва" обладнання, що підлягає
контролю згідно з позиціями 3.A.1.b -
3.A.1.g або 3.B
3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D002] створене для "використання" в обладнанні,
"керованому вмонтованою програмою", що
підлягає контролю згідно з позицією 3.B
3.D.3. "Програмне забезпечення" для систем з 8524
[3D003] автоматизованого проектування (CAD), що має
усі наведені нижче характеристики:
3.D.3.a. Призначене для "розроблення"
напівпровідникових пристроїв або
інтегральних схем
3.D.3.b. Призначене для виконання або використання
будь-чого з наведеного нижче:
1) правил проектування або правил
перевірки (верифікації) схем;
2) моделювання схем за їх фізичною
топологією;
3) імітаторів літографічних процесів для
проектування
Технічна Імітатор літографічних процесів - це пакет
примітка. "програмного забезпечення", який використовується на етапі
проектування для визначення послідовності операцій
літографії, травлення та осадження з метою втілення
маскувальних шаблонів у конкретні топологічні малюнки
провідників, діелектриків або напівпровідникового матеріалу.
Примітки. 1. Згідно з позицією 3.D.3 контролю не підлягає "програмне
забезпечення", спеціально створене для опису принципових
схем, логічного моделювання, розкладення або
маршрутизації, перевірки топології або розмноження
шаблонів.
2. Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для
проектування напівпровідникових приладів або інтегральних
схем розглядаються як "технологія".
3.E. ТЕХНОЛОГІЯ
3.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,
[3E001] загальних приміток для "розроблення" або 3706, 8524,
"виробництва" обладнання чи матеріалів, що 4901 99 00 00,
підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 4906 00 00 00
3.B або 3.C
3.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3
[3E002] загальних приміток інша, ніж та, що
контролюється згідно з позицією 3.E.1 для
"розроблення" або "виробництва" "мікросхем
мікропроцесорів", "мікросхем
мікрокомп'ютерів" та мікросхем
мікроконтролерів, що мають "сукупну
теоретичну продуктивність" ("CTP"), яка
дорівнює 530 млн. теоретичних операцій за
секунду (мегатопсів) або більше, а також
арифметично-логічний пристрій з шириною
доступу 32 біта або більше
Примітка. Згідно з позиціями 3.E.1 та 3.E.2 контролю не підлягає
"технологія" для "розроблення" або "виробництва":
a) мікрохвильових транзисторів, що працюють на частотах
нижче ніж 31 ГГц;
b) інтегральних схем, що підлягають контролю згідно з
позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі наведені
нижче характеристики:
1) використовують "технології" 0,5 мкм або вище;
2) не містять багатошарові структури.
Технічна Термін "багатошарові структури" у підпункті b.2
примітка. примітки не включає прилади, які містять максимум два шари
металу та два шари полікремнію.
3.E.3. Інші "технології" для "розроблення" або з 3705,
[3E003] "виробництва": 3706, 8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00
3.E.3.a. Вакуумних мікроелектронних приладів
3.E.3.b. Напівпровідникових приладів на
гетероструктурах таких, як транзистори з
високою рухливістю електронів (НЕМТ),
біполярні транзистори на гетероструктурі
(НВТ), приладів з квантовими ямами або
приладів на надрешітках
3.E.3.c. "Надпровідних" електронних приладів
3.E.3.d. Підкладки плівок алмазу для електронних
компонентів
3.E.3.e. Підкладки, що мають структуру типу
"кремній-на-діелектрику" (SOI) для
інтегральних схем, у яких ізолятором є
двоокис кремнію
3.E.3.f. Кремній-вуглецеві підкладки для компонентів
електронних схем.
----------------------------------------------------------------------
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
----------------------------------------------------------------------
Номер | Найменування | Код товару
позиції | | згідно з
| | УКТЗЕД
| |( 2371б-14,
| | 2371г-14 )
----------------------------------------------------------------------
4. КОМП'ЮТЕРИ
Примітки. 1. Комп'ютери, супутнє обладнання та "програмне
забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку або
в "локальних мережах", підлягають контролю з урахуванням
критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
2. Блоки управління, які безпосередньо через магістралі або
канали з'єднуються з блоками центральних процесорів,
"оперативна пам'ять" або контролери дисків не
розглядаються як телекомунікаційне обладнання, зазначене
в частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
Особлива Статус контролю "програмного забезпечення", спеціально
примітка. призначеного для комутації пакетів, визначається з
урахуванням критеріїв, зазначених у позиції 5.D.1 частини 1
розділу 5 (Зв'язок).
3. Комп'ютери, супутнє обладнання та "програмне
забезпечення", що виконують функції криптографії,
криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або
підлягаючого сертифікації "багаторівневого захисту" або
ізолювання користувача, або такі, що обмежують
електромагнітну сумісність (ЕМС), підлягають контролю з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5
(Захист інформації).
4.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ
4.A.1. Електронні комп'ютери і супутнє обладнання, з 8471
[4A001] наведені нижче, та "електронні збірки" і
спеціально призначені для них компоненти:
4.A.1.a. Спеціально призначені і мають будь-яку з
наведених нижче характеристик:
1)
розраховані для функціонування при
температурі навколишнього середовища нижче
228 K (-45 град. C) або понад 358 K
(85 град. C);
Примітка. Згідно з позицією 4.A.1.a.1 контролю не підлягають
комп'ютери, спеціально призначені для використання в
цивільних автомобілях або поїздах.
2) стійкі до радіації з параметрами, вищими
ніж будь-який з наведених нижче:
a) загальна доза - 5 х 10(в ступ.5) рад
(Si);
b) доза випромінювання, що викликає
збій, - 5 х 10(в ступ.8) рад (Si)/c;
c) одиничний збій - 1 х 10(в ступ.(-7))
похибка/біт/день
4.A.1.b. Мають характеристики або виконують функції,
*, ** які перевищують межі, зазначені у частині 2
розділу 5 (Захист інформації)
Примітка. Не підлягають контролю електронні комп'ютери та пов'язане з
ними обладнання, зазначені у позиції 4.A.1.b*, **, якщо вони
перевозяться у супроводі їх користувача для використання ним
особисто.
______________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за
дозволом (висновком) Держекспортконтролю.
** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю на
експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення) якого
експортерами чи імпортерами разом із заявою до Держекспортконтролю
подається погодження Департаменту спеціальних телекомунікаційних
систем та захисту інформації СБУ.
4.A.2. "Гібридні комп'ютери", наведені нижче, 8471 10 10 00
[4A002] "електронні збірки" та спеціально
призначені для них компоненти:
4.A.2.a. Що містять "цифрові комп'ютери", які
підлягають контролю згідно з позицією 4.A.3
4.A.2.b. Що містять аналого-цифрові перетворювачі,
які мають усі наведені нижче
характеристики:
1) 32 канали або більше;
2) роздільна здатність 14 біт (плюс
знаковий біт) або більше із швидкістю
200000 перетворень за секунду або більше
4.A.3. "Цифрові комп'ютери", "електронні збірки" і
[4A003] супутнє обладнання до них, наведене нижче,
та спеціально призначені для них
компоненти:
Примітки. 1. Позиція 4.A.3 включає наведене нижче:
a) векторні процесори;
b) матричні процесори;
c) процесори цифрових сигналів;
d) логічні процесори;
e) обладнання для "поліпшення якості зображення";
f) обладнання для "оброблення сигналу".
2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" та супутнього
обладнання до них, описаного у позиції 4.A.3,
визначається на підставі статусу контролю згідно з іншими
системами або обладнанням, якщо:
a) "цифрові комп'ютери" або супутнє обладнання до них
мають істотне значення для роботи іншого обладнання або
систем;
b) "цифрові комп'ютери" або супутнє обладнання до них,
яке не є "основним елементом" інших систем або
обладнання; та
Особливі 1. Статус контролю за обладнанням, спеціально
примітки. призначеним для "оброблення сигналу" або "поліпшення
якості зображення", або для іншого обладнання з
функціями, обмеженими функціональним призначенням іншого
обладнання, визначається статусом контролю іншого
обладнання, навіть якщо воно перевищує критерій
"основного елемента".
2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або супутнього
обладнання для телекомунікаційних систем визначається з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5
(Зв'язок).
c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та
супутнього обладнання, що належить до них, регулюється
позицією 4.E.
4.A.3.a. Призначені або модифіковані для з 8471 30,
забезпечення "відмовостійкості" 8471 41 10 00
Примітка. Стосовно позиції 4.A.3.a, "цифрові комп'ютери" та супутнє
обладнання до них не вважаються призначеними або
модифікованими для забезпечення "відмовостійкості", якщо в
них використовується будь-що з наведеного нижче:
1) алгоритми виявлення або виправлення помилок, які
зберігаються в "оперативній пам'яті";
2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів" такий, що у
разі відмови активного центрального процесора очікувальний
процесор (який одночасно стежить за діями центрального
процесора) може забезпечити продовження функціонування
системи;
3) взаємозв'язок двох центральних процесорів через канали
передачі даних або з використанням пам'яті загального
призначення такий, що забезпечує можливість одному з них
виконувати іншу роботу, поки другий не відмовить, тоді
перший центральний процесор бере його роботу на себе, щоб
продовжити функціонування системи;
4) синхронізація двох центральних процесорів, виконана
через "програмне забезпечення" таким чином, що перший
центральний процесор розпізнає, коли відмовляє другий
центральний процесор, і бере на себе виконання його
завдання.
4.A.3.b. "Цифрові комп'ютери", які мають "сукупну з 8471 30,
теоретичну продуктивність" ("CTP") понад 8471 41 10 00
28 000 Мегатопсів
4.A.3.c. "Електронні збірки", спеціально призначені з 8471 30
або модифіковані для підвищення
продуктивності "обчислювальних елементів"
шляхом об'єднання "обчислювальних
елементів" таким чином, що "сукупна
теоретична продуктивність" перевищує межу,
зазначену в позиції 4.A.3.b
Примітки. 1. Згідно з позицією 4.A.3.c контролю підлягають лише
"електронні збірки" та запрограмовані взаємозв'язки, які
не перевищують меж, зазначених у позиції 4.A.3.b, у разі
постачання їх у вигляді необ'єднаних "електронних
збірок". Контролю не підлягають "електронні збірки", які
за своєю конструкцією придатні тільки для використання як
супутнє обладнання, яке підлягає контролю згідно з
позицією 4.A.3.d або 4.A.3.e.
2. Згідно з позицією 4.A.3.c контролю не підлягають
"електронні збірки", спеціально призначені для виробу або
цілого ряду виробів, які у своїй максимальній
конфігурації не перевищують межу, зазначену в позиції
4.A.3.b.
4.A.3.d. Графічні акселератори або графічні з 8471 30,
співпроцесори, у яких швидкість обчислення 8543 85 95 00
"інтенсивності тривимірних векторів" понад
200 000 000
4.A.3.e. Обладнання, що здійснює аналого-цифрові з 8542
перетворення, які перевищують межі,
зазначені в позиції 3.A.1.a.5
4.A.3.f. Позицію виключено
4.A.3.g. Обладнання, спеціально призначене для 8525 20 91 00,
забезпечення зовнішнього міжсистемного 8525 20 99 00,
зв'язку "цифрових комп'ютерів" або 8543 85 95 00
супутнього обладнання, що дає змогу
здійснити зв'язок із швидкістю передачі
даних понад 1,25 Гбайт/с.
Примітка. Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не підлягає обладнання
внутрішнього з'єднання (наприклад, плати, шини тощо),
обладнання пасивного з'єднання, "контролери доступу до
мережі" або "контролери каналів зв'язку".
4.A.4. Комп'ютери, наведені нижче, і спеціально з 8471
[4A004] призначене супутнє обладнання до них,
"електронні збірки" та компоненти для них:
4.A.4.a. "Комп'ютери із систолічною матрицею"
4.A.4.b. "Нейронні комп'ютери"
4.A.4.c. "Оптичні комп'ютери"
4.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І
ВИРОБНИЦТВА
Відсутнє
4.C. МАТЕРІАЛИ
Відсутні
4.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
Примітка. Статус контролю за "програмним забезпеченням" для
"розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання,
описаного в інших розділах, визначається відповідним
розділом.
Статус контролю "програмного забезпечення" для обладнання,
описаного в цьому розділі, пов'язаний з наведеним нижче.
4.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[4D001] призначене або модифіковане для
"розроблення", "виробництва" або
"використання" обладнання або "програмного
забезпечення", зазначеного в позиціях 4.A
або 4.D
4.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[4D002] призначене або модифіковане для підтримки
"технології", зазначеної в позиції 4.E
4.D.3. Спеціальне "програмне забезпечення", з 8524
[4D003] наведене нижче:
4.D.3.a. "Програмне забезпечення" операційної
системи, інструментарій для розроблення
"програмного забезпечення", а також
компілятори, спеціально призначені для
обладнання "багатопотокового оброблення
даних" у "початкових кодах"
4.D.3.b. Позицію виключено
4.D.3.c. "Програмне забезпечення", яке має
характеристики або виконує функції, які
перевищують межі, установлені в частині 2
розділу 5 (Захист інформації)
Примітка. Згідно з позицією 4.D.3.c контролю не підлягає "програмне
забезпечення", коли воно супроводжує свого користувача для
персонального використання користувачем.
4.D.3.d. Операційні системи, спеціально призначені
для обладнання оброблення "в реальному
масштабі часу", які гарантують "час
латентності глобального переривання" менше
ніж 20 мкс
4.E. ТЕХНОЛОГІЯ
4.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705, 3706,
[4E001] загальних приміток для "розроблення", з 8524,
"виробництва" або "використання" обладнання 4901 99 00 00,
або "програмного забезпечення", що 4906 00 00 00
підлягають контролю згідно з позиціями 4.A
або 4.D
Примітка. Код технології згідно з УКТЗЕД визначається кодом носія, на
якому вона передається.
----------------------------------------------------------------------
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
----------------------------------------------------------------------
Технічна примітка щодо обчислення "сукупної теоретичної
продуктивності"
---------------------------------------------------------------------
Скорочення, що вживаються в цій технічній примітці:
"ОЕ" - "обчислювальний елемент" (типовий арифметично-логічний
пристрій);
ПК - плаваюча кома;
ФК - фіксована кома;
t - час виконання операції;
XOR - операція заперечення еквівалентності;
ЦП - центральний процесор;
ТП - теоретична продуктивність (одного "ОЕ");
"СТП" - "сукупна теоретична продуктивність" (усіх "обчислювальних
елементів");
R - ефективна швидкість обчислень;
ДС - довжина слова (кількість бітів);
L - коригування довжини слова (біта);
АЛП - арифметично-логічний пристрій;