| | потужність менше ніж 3 с; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) лампи із сполученими | |
| | резонаторами або їх | |
| | модифікації з "відносною | |
| | шириною смуги частот" понад 7% | |
| | або з піковою потужністю понад | |
| | 2,5 кВт; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) спіральні лампи або їх | |
| | модифікації, які мають одну з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | становить понад 1 октаву і | |
| | добуток номінальної середньої | |
| | вихідної потужності (у кВт) на | |
| | максимальну робочу частоту | |
| | (у ГГц) становить понад 0,5; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | становить 1 октаві або менше і | |
| | добуток номінальної середньої | |
| | вихідної потужності (у кВт) на | |
| | максимальну робочу частоту | |
| | (у ГГц) становить понад 1; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) "придатні для використання в | |
| | космосі"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) лампи - підсилювачі магнетронного|8540 71 00 00 |
| | типу з коефіцієнтом підсилення | |
| | понад 17 дБ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) імпрегновані катоди для |8540 79 00 00 |
| | електронних ламп, які виробляють | |
| | густину струму при безперервній | |
| | емісії за штатних умов | |
| | експлуатації понад 5 А/кв.см; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |2) підсилювачі потужності на |8542 |
| | монолітних інтегральних схемах | |
| | мікрохвильового діапазону (MMIC),| |
| | що мають будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 4 Вт (36 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги | |
| | частот" більше ніж 15%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 16 ГГц включно з середньою | |
| | вихідною потужністю більше ніж | |
| | 1 Вт (30 дБм) і "відносною | |
| | шириною смуги частот" більше | |
| | ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 16 ГГц до 31,8 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги | |
| | частот" більше ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють для роботи на частотах | |
| | понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц | |
| | включно з середньою вихідною | |
| | потужністю більше ніж 0,25 Вт | |
| | (24 дБм) і "відносною шириною | |
| | смуги частот" більше ніж | |
| | 10%; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | f) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягає|
| |обладнання радіомовних супутників, призначене або |
| |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до|
| |42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус ММІС, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, визначених у позиціях |
| |3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f, визначається нижчим |
| |середнім значенням вихідної потужності. |
| |3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3 означають,|
| |що згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не |
| |підлягають MMIC, якщо вони спеціально призначені |
| |для інших застосувань, наприклад, у |
| |телекомунікаційному зв'язку, РЛС, автомобілях. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |3) дискретні мікрохвильові |8541 |
| | транзистори, які мають будь-яку | |
| | з наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 31,8 ГГц включно і мають | |
| | середню вихідну потужність | |
| | більше ніж 20 Вт (43 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 0,5 Вт (27 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 1 Вт (30 дБм); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус транзистора, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях |
| |3.A.1.b.3.a - 3.A.1.b.3.e, визначається нижчим |
| |середнім показником вихідної потужності. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |4) мікрохвильові твердотільні |8543 |
| | підсилювачі та мікрохвильові | |
| | збірки/модулі, які містять | |
| | мікрохвильові підсилювачі, що | |
| | мають будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги частот"| |
| | більше ніж 15%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 31,8 ГГц включно з середньою | |
| | вихідною потужністю більше ніж | |
| | 15 Вт (42 дБм) і "відносною | |
| | шириною смуги частот" більше | |
| | ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно | |
| | з середньою вихідною | |
| | потужністю більше ніж 1 Вт | |
| | (30 дБм) і "відносною шириною | |
| | смуги частот" більше ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | f) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц і мають такі | |
| | характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) середню вихідну потужність (у | |
| | ватах) більше ніж 150, | |
| | поділених на максимальну робочу| |
| | частоту (у Гігагерцах) у | |
| | квадраті [P > 150 Вт х | |
| | 2 2 | |
| | ГГц /f ]; | |
| | ГГц | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) відносну ширину смуги частот 5%| |
| | або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) будь-які дві сторони, | |
| | перпендикулярні одна одній, | |
| | мають довжину d (в | |
| | сантиметрах), що дорівнює | |
| | або менше ніж 15 см поділених | |
| | на найменшу робочу частоту | |
| | у Гігагерцах [d <= 15 см х | |
| | ГГц/f ]; | |
| | ГГц | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу робочу |
|примітка. |частоту (f ) у формулі, наведеній у позиції 3. |
| | ГГц |
| |A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з розрахованим |
| |робочим діапазоном, що розширюється до 3,2 ГГц і |
| |нижче [d <= 15 см * ГГц/3,2 ГГц]. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Особлива |Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC |
|примітка. |слід оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції|
| |3.A.1.b.2. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає|
| |обладнання радіомовних супутників, призначене або |
| |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до|
| |42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус виробу, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях |
| |3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e, визначається нижчим |
| |середнім значенням вихідної потужності. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |5) смугові або загороджувальні |8529 |
| | фільтри з електронним або | |
| | магнітним налагодженням, які | |
| | мають понад 5 налагоджувальних | |
| | резонаторів, що забезпечують | |
| | налагодження в смузі частот, | |
| | з відношенням максимальної | |
| | та мінімальної частот 1,5:1 | |
| | менше ніж за 10 мкс і мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) смугу частот пропускання, що | |
| | становить понад 0,5% | |
| | резонансної частоти; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) смугу загородження, що становить| |
| | менш як 0,5% резонансної | |
| | частоти; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |6) не використовується з 2003 року; |8529 |
| |------------------------------------+--------------|
| |7) перетворювачі та змішувачі на | |
| | гармоніках, призначені для | |
| | розширення частотного діапазону | |
| | обладнання, зазначеного в | |
| | позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.d, | |
| | 3.A.2.e або 3.A.2.f, за межі | |
| | порогових значень, зазначених | |
| | у цих позиціях; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |8) мікрохвильові підсилювачі |з 8540 71 |
| | потужності, які містять | |
| | електронно-вакуумні прилади, | |
| | що підлягають контролю згідно | |
| | з позицією 3.A.1.b.1, і мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) робочу частоту понад 3 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) відношення середньої густини | |
| | вихідної потужності до маси | |
| | понад 80 Вт/кг; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) об'єм, менший ніж 400 куб.см; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає |
| |обладнання, призначене або нормоване для роботи у |
| |будь-якій смузі, що є "виділеною Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку (ITU)" для надання послуг |
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |9) мікрохвильові силові модулі | |
| | (МСМ), що складаються, принаймні,| |
| | з лампи біжучої хвилі, | |
| | мікрохвильової монолітної | |
| | інтегральної схеми та вбудованого| |
| | електронного стабілізатора | |
| | потужності та мають такі | |
| | характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) час вмикання від вимкненого до | |
| | повністю робочого стану - менше | |
| | ніж 10 секунд; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) об'єм менший ніж максимальна | |
| | номінальна потужність (Вт), | |
| | помножена на 10 куб.см/Вт; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | більше ніж 1 октава | |
| | (f > 2f ,) | |
| | max min | |
| | та будь-що з наведеного нижче: | |
| | 1) для частот 18 ГГц і менше - | |
| | вихідна потужність ВЧ-сигналу | |
| | понад 100 Вт; або | |
| | 2) частота понад 18 ГГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Нижче наведено приклад для обчислення об'єму у |
|примітки. |позиції 3.A.1.b.9.b. У разі максимальної |
| |номінальної потужності 20 Вт об'єм дорівнюватиме |
| |20 Вт х 10 куб.см/Вт = 200 куб.см. |
| |2. Час вмикання у позиції 3.A.1.b.9.a. означає час |
| |від вимкненого до повністю робочого стану, тобто |
| |включає час входження МСМ у режим. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |10) осцилятори або зборки | |
| | осциляторів, призначені для | |
| | роботи з усіма наведеними нижче | |
| | характеристиками: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) фазовий шум однієї бокової смуги| |
| | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | |
| | ніж - (126 + 20log F - | |
| | 10 | |
| | 20log f) для | |
| | 10 | |
| | 10 Гц < F < 10 кГц; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) фазовий шум однієї бокової смуги| |
| | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | |
| | ніж - (114 + 20log F - | |
| | 10 | |
| | 20log f) для | |
| | 10 | |
| | 10 кГц < F < 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |У позиції 3.A.1.b.10. F - зміщення від робочої |
|примітка. |частоти у Гц, а f - робоча частота у МГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) прилади на акустичних хвилях та | |
| | "спеціально призначені | |
| | компоненти" для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) прилади на поверхневих |8541 60 00 00 |
| | акустичних хвилях і акустичних | |
| | хвилях у тонкій підкладці, які | |
| | мають одну з таких | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) несуча частота понад 6 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) несуча частота понад 1 ГГц, але| |
| | не більше 6 ГГц, і мають | |
| | будь-яку з характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "частотне заглушення бокових | |
| | пелюстків діаграми | |
| | направленості" понад 65 дБ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) добуток максимального часу | |
| | затримки (у мкс) і "миттєвої | |
| | ширини смуги частот" (у МГц) | |
| | понад 100; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | понад 250 МГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) затримка розсіювання понад | |
| | 10 мкс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) несуча частота, яка дорівнює | |
| | 1 ГГц або менше і має одну з | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) добуток максимального часу | |
| | затримки (у мкс) і "миттєвої | |
| | ширини смуги частот" (у МГц) | |
| | понад 100; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) затримка розсіювання понад | |
| | 10 мкс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "частотне заглушення бокових | |
| | пелюстків діаграми | |
| | направленості" понад 65 дБ та | |
| | ширина смуги частот | |
| | понад 100 МГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |"Частотне заглушення бокових пелюстків діаграми |
|примітка. |направленості" - максимальне значення затухання, |
| |визначене у довіднику. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) прилади на об'ємних акустичних |8541 60 00 00 |
| | хвилях, що забезпечують | |
| | безпосереднє "оброблення | |
| | сигналів" на частотах | |
| | понад 6 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) акустооптичні прилади |8541 60 00 00 |
| | "оброблення сигналів", які | |
| | використовують взаємодію між | |
| | акустичними хвилями (об'ємними | |
| | чи поверхневими) і світловими | |
| | хвилями, що забезпечує | |
| | безпосереднє "оброблення | |
| | сигналів" або зображення, | |
| | включаючи аналіз спектра, | |
| | кореляцію або згортку; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.c. контролю не підлягають |
| |прилади на акустичних хвилях, використання яких |
| |обмежене фільтруванням простої смуги, |
| |низькочастотним фільтруванням, високочастотним |
| |фільтруванням, вузькосмуговим режекторним |
| |фільтруванням або резонансною функцією. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |d) електронні прилади або схеми, які|8542 50 00 00 |
| | містять елементи, виготовлені з | |
| | "надпровідних" матеріалів, | |
| | спеціально спроектовані для | |
| | роботи при температурах, нижчих | |
| | від "критичної температури" хоча | |
| | б для однієї з "надпровідних" | |
| | складових, і мають одну з таких | |
| | ознак: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) наявність струмових перемикачів | |
| | для цифрових схем, які | |
| | використовують "надпровідні" | |
| | вентилі, в яких добуток часу | |
| | затримки на вентиль (у секундах)| |
| | і розсіювання потужності на | |
| | вентиль (у ватах) нижче ніж | |
| | -14 | |
| | 10 Дж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) забезпечення селекції частоти на| |
| | всіх діапазонах частот з | |
| | використанням резонансних | |
| | контурів з добротністю більш як | |
| | 10000; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) прилади високої енергії: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) елементи: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) первинні елементи з густиною |з 8506 60, |
| | енергії понад 550 Вт год/кг при|8506 80, |
| | 20 град.C; |8540 10 10 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) вторинні елементи з густиною |з 8506 60, |
| | енергії понад 250 Вт год/кг при|8506 80, |
| | 20 град.C; |8540 10 10 00 |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 густина енергії (Вт |
|примітка. |год/кг) обчислюється шляхом множення номінальної |
| |напруги на номінальну ємність в ампер-годинах і |
| |ділення добутку на масу у кілограмах. Якщо |
| |номінальну ємність не зазначено, густина енергії |
| |обчислюється шляхом множення квадрату номінальної |
| |напруги на тривалість розряду в годинах і ділення |
| |добутку на навантаження розряду в омах та на масу у|
| |кілограмах. |
| |2. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 елемент визначається|
| |як електрохімічний пристрій, що має позитивний та |
| |негативний електроди і електроліт, та є джерелом |
| |електричної енергії. Елемент є основним |
| |функціональним блоком батареї. |
| |3. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 первинний елемент є |
| |елементом, який не призначений для зарядження будь-|
| |яким іншим джерелом. |
| |4. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 вторинний елемент є |
| |елементом, який призначений для зарядження |
| |зовнішнім електричним джерелом. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e. контролю не підлягають |
| |батареї, зокрема одноелементні. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) накопичувачі великої енергії: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, |
| | повторення менше ніж 10 Гц |8506 80, |
| | (одноразові накопичувачі), що |8540 10 10 00 |
| | мають такі характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) номінальну напругу не менше | |
| | ніж 5 кВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) густину енергії не менше | |
| | ніж 250 Дж/кг; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) загальну енергію не менше | |
| | ніж 25 кДж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, |
| | повторення 10 Гц і більше |8506 80, |
| | (багаторазові накопичувачі), |8540 10 10 00 |
| | які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) номінальну напругу не менше |з 8507 80 |
| | ніж 5 кВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) густину енергії не менше | |
| | ніж 50 Дж/кг; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) загальну енергію не менше | |
| | ніж 100 Дж; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) кількість циклів заряду- | |
| | розряду не менше ніж 10000; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "надпровідні" електромагніти та |8505 19 90 00 |
| | соленоїди, спеціально | |
| | спроектовані на повне заряджання| |
| | або розряджання менше ніж за | |
| | 1 секунду, які мають: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають |
| |"надпровідні" електромагніти або соленоїди, |
| |спеціально призначені для медичної апаратури |
| |магніторезонансної томографії (MRI). |
|------------+---------------------------------------------------|
| | a) максимальну енергію під час | |
| | розряду понад 10 кДж за першу | |
| | секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) внутрішній діаметр | |
| | струмопровідних обмоток понад | |
| | 250 мм; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) номінальну магнітну індукцію | |
| | понад 8 Т або "сумарну густину | |
| | струму" в обмотці понад | |
| | 300 А/кв.мм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) сонячні елементи, збірки | |
| | корпусів міжз'єднань елементів | |
| | (КМЕ), панелі сонячних батарей | |
| | та сонячні батареї, "придатні | |
| | для використання в космосі" та | |
| | мають мінімальний середній | |
| | коефіцієнт корисної дії | |
| | понад 20% при робочій | |
| | температурі 301 K (28 град.C) | |
| | в умовах імітованого освітлення | |
| | AM0 з опроміненням 1367 Вт/кв.м.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |AM0, або нульова повітряна маса, означає |
|примітка. |спектральну щільність потоку сонячного |
| |випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де |
| |відстань між Землею та Сонцем становить одну |
| |астрономічну одиницю (АО). |
|------------+---------------------------------------------------|
| |f) обертові перетворювачі |9031 80 31 10,|
| | абсолютного кутового положення |9031 80 31 90,|
| | вала в кут, які мають точність, |8502 40 |
| | рівну або меншу (кращу) ніж +- 1 | |
| | кутова секунда; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) твердотільні імпульсні силові | |
| | тиристорні перемикачі та | |
| | тиристорні модулі, в яких | |
