| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні |карбіди |
| | |матеріали" |тугоплавкі метали |
| | |(композити) з |суміші зазначених |
| | |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою |шари діелектриків |
| | |"матрицею" |(15) |
| | | |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |вольфрам |
| | |вольфраму (16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | | |алмази |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмази |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| B. |Фізичне осадження з| | |
| |парової фази | | |
| |термовипаро- | | |
| |вуванням | | |
| |(TE-PVD) | | |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.1. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди |
| |парової фази (PVD) | |леговані алюмініди|
| |з випаровуванням | |(2) |
| |електронним | |MCrAlX (5) |
| |променем | |модифіковані види |
| |(EB-PVD) | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |силіциди |
| | | |алюмініди |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |кераміка (19) та |шари діелектриків |
| | |скло з малим |(15) |
| | |коефіцієнтом | |
| | |термічного | |
| | |розширення (14) | |
| | |------------------+------------------|
| | |корозійностійка |MCrAlX (5) |
| | |сталь (криця) (7) |модифіковані види |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |тугоплавкі метали |
| | |керамічною та |суміші зазначених |
| | |металевою |матеріалів (4) |
| | |"матрицею" |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід вольфраму |вольфрам |
| | |(16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | | |бориди |
| | | |берилій |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.2. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |шари діелектриків |
| |парової фази шляхом|скло з малим |(15) |
| |резистивного |коефіцієнтом |алмазоподібні |
| |нагрівання |термічного |вуглеці (17) |
| |(іонне |розширення (14) | |
| |осадження) |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |шари діелектриків |
| | |"Композиційні" |(15) |
| | |матеріали з | |
| | |керамічною та | |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |шари діелектриків |
| | |карбід вольфраму |(15) |
| | |(16) | |
| | |карбід кремнію | |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.3. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |силіциди |
| |парової фази (PVD):|скло з малим |шари діелектриків |
| |"лазерним" |коефіцієнтом |(15) |
| |випаровування |термічного |алмазоподібні |
| | |розширення (14) |вуглеці (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |шари діелектриків |
| | |"Композиційні |(15) |
| | |матеріали" з | |
| | |керамічною та | |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |шари діелектриків |
| | |карбід вольфраму |(15) |
| | |(16) | |
| | |карбід кремнію | |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.4. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди |
| |парової фази (PVD):| |леговані алюмініди|
| |катодний дуговий | |(2), MCrAlX (5) |
| |розряд |------------------+------------------|
| | |полімери (11) та |бориди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |нітриди |
| | |органічною |алмазоподібні |
| | |"матрицею" |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| C. |Пакова цементація |вуглець-вуглець |силіциди |
| |(10) (твердофазне |"Композиційні |карбіди |
| |насичення) |матеріали" з |суміші зазначених |
| |(див. "A") |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |сплави титану |силіциди |
| | |(13) |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |силіциди |
| | |та сплави (8) |оксиди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| D. |Плазмове напилення |суперсплави |MCrAlX (5) |
| | | |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-графіт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-хром- |
| | | |алюміній-бентоніт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |алюміній-кремній- |
| | | |поліестр |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | |------------------+------------------|
| | |сплави алюмінію |MCrAlX (5) |
| | |(6) |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |силіциди |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |алюмініди |
| | |та сплави (8) |силіциди |
| | | |карбіди |
| | |------------------+------------------|
| | |корозійностійкі |MCrAlX (5) |
| | |сталі (7) |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |карбіди |
| | |(13) |алюмініди |
| | | |силіциди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-графіт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-хром- |
| | | |алюміній-бентоніт |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |алюміній-кремній- |
| | | |поліестр |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| E. |Шлікерні |тугоплавкі метали |плавлені силіциди |
| |суспензійні |та сплави (8) |плавлені алюмініди|
| |покриття | |(крім матеріалів |
| |(осадження) | |для нагрівних |
| | | |елементів) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |суміші зазначених |
| | |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| F. |Нанесення покриттів|суперсплави |леговані силіциди |
| |розпиленням | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |алюмініди |
| | | |модифіковані |
| | | |благородними |
| | | |металами (3) |
| | | |MCrAlX (5) |
| | | |види |
| | | |модифікованого |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |платина |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |кераміка та скло з|силіциди |
| | |малим коефіцієнтом|платина |
| | |розширення (14) |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | | |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
| | | |оксиди |
| | | |силіциди |
| | | |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |карбіди |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |тугоплавкі метали |
| | |керамічною та |суміші зазначених |
| | |металевою |матеріалів (4) |
| | |"матрицею" |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |вольфрам |
| | |вольфраму (16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |бориди |
| | |сплави |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |берилій |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |алюмініди |
| | |та сплави (8) |силіциди |
| | | |оксиди |
| | | |карбіди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| G. |Іонна імплантація |термостійкі |поверхневе |
| | |шарикопідшипникові|легування |
| | |сталі |хромом, |
| | | |танталом або |
| | | |ніобієм |
| | | |(коламбієм) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |бориди |
| | |сплави | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |нітриди |
| | |вольфраму (16) | |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|1. |Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так і|
| |ремонт та поновлення існуючого. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|2. |Процес покриття легованими алюмінідами включає |
| |одностадійний або багатостадійний процес нанесення |
| |покриття, під час якого елемент або елементи осаджуються до|
| |або під час отримання алюмінідного покриття, навіть якщо ці|
| |елементи додаються за допомогою іншого процесу. Проте |
| |зазначений процес не включає багаторазове використання |
| |одноступеневих процесів пакової цементації для отримання |
| |покриття на основі легованих алюмінідів. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|3. |Процес покриття алюмінідами, модифікованими благородними |
| |металами, включає багатоступеневий процес нанесення |
| |покриття, під час якого благородний метал або благородні |
| |метали були нанесені раніше будь-яким іншим способом до |
| |отримання покриття легованими алюмінідами. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|4. |Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні |
| |композиції, присадки та багатошарові матеріали, які |
| |використовуються під час одного або кількох процесів |
| |отримання покриття, зазначеного у таблиці. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|5. |"MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "M" |
| |означає кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" |
| |означає гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій |
| |кількості, або інші спеціальні домішки у кількості понад |
| |0,01 вагового % у різноманітних пропорціях та комбінаціях, |
| |крім: |
| |a) CoCrAlY - покриття, яке має менш як 22 вагових % хрому, |
| |менш як 7 вагових % алюмінію та менш як 2 вагових % ітрію; |
| |b) CoCrAlY - покриття, яке має 22 - 24 вагових % хрому, |
| |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,5 - 0,7 вагового % ітрію; |
| |c) NiCrAlY - покриття, яке має 21 - 23 вагових % хрому, |
| |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,9 - 1,1 вагового % ітрію. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|6. |Сплави алюмінію - сплави з граничним показником міцності на|
| |розрив 190 МПа або більше, які визначено при температурі |
| |293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|7. |Корозійностійка сталь - сталь, яка відповідає вимогам |
| |стандарту серії 300 (AISI) Американського інституту заліза |
| |та сталі або вимогам відповідних національних стандартів. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|8. |До тугоплавких металів та сплавів належать такі метали та |
| |їх сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і |
| |тантал. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|9. |Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній, |
| |германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, |
| |алмаз, фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів: |
| |фторид цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків |
| |діаметром понад 40 мм. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|10. |На "технологію" для одноступеневих процесів пакової |
| |цементації суцільних лопаток турбін не поширюються |
| |обмеження згідно з розділом 2. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|11. |Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід, |
| |полікарбонати та поліуретани. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|12. |Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з |
| |додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію, |
| |магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для |
| |стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз |
| |зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію, |
| |модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом |
| |змішування або розплаву, контролю не підлягає. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|13. |Титанові сплави - лише аерокосмічні сплави з граничним |
| |показником міцності на розрив 900 МПа або більше, |
| |визначеним при температурі 293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|14. |Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення - скло, що |
| | -7 -1 |
| |має коефіцієнт температурного розширення 1 х 10 K або |
| |менше, визначений при температурі 293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|15. |Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових |
| |ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних |
| |властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами |
| |рефракції використовується для відбиття, передачі або |
| |поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних|
| |шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох |
| |або більше шарів діелектрика або шарових "композицій" |
| |діелектрик/метал. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|16. |Цементований карбід вольфраму не містить інструментальних |
| |матеріалів, які застосовуються для різання та механічної |
| |обробки і складаються з карбіду вольфраму/(кобальт-нікелю),|
| |карбіду титану/(кобальт-нікелю), карбіду хрому/нікель- |
| |хрому і карбіду хрому/нікелю. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|17. |"Технологія", спеціально розроблена для осадження |
| |алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не |
| |підлягає контролю, а саме: |
| |накопичувачі на магнітних дисках і магнітні головки, |
| |обладнання для виробництва разової тари, клапани для |
| |кранів, акустичні діафрагми для гучномовців, деталі |
| |двигунів для автомобілів, різальний інструмент, матриці для|
| |пресування та вирубні штампи, офісне автоматизоване |
| |обладнання, мікрофони, медичні пристрої або пресформи для |
| |литва або формування пластмаси, виготовлені із сплавів з |
| |вмістом берилію менш як 5%. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|18. |Карбід кремнію не містить матеріали для виготовлення |
| |різального або формувального інструменту. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|19. |Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні |
| |матеріали, що містять 5 вагових % або більше глини чи |
| |цементу, незалежно від того, чи є вони окремим складовим |
| |"компонентом", чи входять у керамічні матеріали, в їх |
| |комбінації. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Технічні примітки до таблиці |
| "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення |
|покриття", визначаються таким способом: |
|----------------------------------------------------------------|
|a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення |
|зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що |
|покривається, в якому метал, сплав, "композиційний" матеріал, |
|діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку |
|(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на |
|поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні |
|елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду|
|або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки|
|плазмовим розрядом або променем "лазера". |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. Хімічне осадження з парової фази (CVD) |
|примітки. |включає такі процеси: безпакетне нанесення |
| |покриття прямим газовим струменем, |
| |газоциркуляційне хімічне осадження, |
| |кероване зародження центрів конденсації при |
| |термічному осадженні (CNTD) або хімічне |
| |осадження з парової фази (CVD) з |
| |використанням плазми. |
| |2. Пакет - підкладка (основа), занурена в |
| |порошкову суміш. |
| |3. Газоподібні реагенти, що використовуються|
| |у безпакетному процесі, можна отримати за |
| |допомогою базових реакцій та параметрів, які|
| |використовуються при і цементації, за |
| |винятком, коли підкладка, на яку наноситься |
| |покриття, не має контакту із сумішшю |
| |порошків. |
|----------------------------------------------------------------|
|b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням |
|(TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під |
|тиском менш як 0,1 Па, коли джерело теплової енергії |
|використовується для перетворення на пару матеріалу, що |
|наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що випаровується, |
|конденсуються або осаджуються на підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для |
|створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|Використання іонних або електронних променів або плазми для |
|активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною |
|модифікацією цього процесу. Використання моніторів для |
|забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини |
|покриття під час процесу може бути характерною особливістю таких|
|процесів. |
|----------------------------------------------------------------|
|Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання |
|полягає у тому, що: |
|----------------------------------------------------------------|
|1) при ЕВ-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який |
|формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний|
|промінь; |
|----------------------------------------------------------------|
|2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити |
|контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу |
|покриття, використовується електричний опір; |
|----------------------------------------------------------------|
|3) під час випаровування "лазером" для випаровування матеріалу, |
|що формує покриття, використовується імпульсний або |
|безперервний "лазерний" промінь; |
|----------------------------------------------------------------|
|4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги |
|використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує |
|покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після |
|миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером). |
|Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та |
|виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та |
|розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама |
|камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що|
|розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; |
|----------------------------------------------------------------|
|Особлива примітка. |Зазначений у підпункті 4 процес не |
| |стосується нанесення покриття довільною |
| |катодною дугою без зміщення напруги. |
|----------------------------------------------------------------|
|5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD |
|процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується для|
|іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне |
|зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню|
|складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних |
|реагентів, випаровування твердих матеріалів у камері, а також |
|використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі |
|нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття, |
|є звичайними модифікаціями процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|c. Порошкове цементування - модифікація методу нанесення |
|покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього |
|покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), що |
|складається з: |
|1) металевих порошків, які входять до складу покриття (зазвичай |
|алюміній, хром, кремній або їх комбінація); |
|2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та |
|3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). |
