| | -11 | |
| | 1 х 10 /місяць; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) сумарна потужність, що | |
| | споживається, менше 1 Вт. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають |
| |рубідієві еталони, не "придатні для використання в |
| |космосі". |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.3 |Системи терморегулювання з |з 8424 |
| |охолодженням шляхом розбризкування, | |
| |що використовують обладнання із | |
| |замкнутим контуром для маніпулювання| |
| |рідиною та її регенерації в | |
| |герметичній оболонці, в якій | |
| |діелектрична рідина розбризкується | |
| |на електронні "компоненти" з | |
| |використанням спеціально призначених| |
| |розпилювачів, спроектовані таким | |
| |чином, щоб підтримувати температуру | |
| |електронних "компонентів" у межах їх| |
| |робочого температурного діапазону, а| |
| |також "спеціально призначені | |
| |компоненти" для них. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B.1 |Обладнання для виробництва | |
|[3B001] |напівпровідникових приладів або | |
| |матеріалів, наведене нижче, і | |
| |спеціально створені "компоненти" та | |
| |оснащення для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) обладнання для епітаксійного | |
| | вирощування: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання, здатне виробляти шар|з 8419 89 |
| | будь-якого матеріалу, крім | |
| | кремнію, з відхиленням товщини | |
| | не більше ніж +- 2,5% на довжині| |
| | 75 мм або більше. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для |
| |епітаксії атомних шарів (ALE); |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) обладнання хімічного осадження з|з 8419 89 |
| | металоорганічної парової фази | |
| | (MOCVD), спеціально розроблене | |
| | для вирощування кристалів | |
| | складних напівпровідників за | |
| | допомогою хімічних реакцій між | |
| | матеріалами, зазначене у | |
| | позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) молекулярно-променеве обладнання|з 8419 89 |
| | епітаксійного вирощування, у | |
| | якому застосовані газові або | |
| | твердотільні джерела; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) обладнання для іонної |8456 10 10 00,|
| | імплантації, яке має одну з |8456 10 90 00 |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) енергія пучка (прискорювальна | |
| | напруга) понад 1 МеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) спеціально спроектоване та | |
| | оптимізоване для функціонування | |
| | при енергії пучка | |
| | (прискорювальній напрузі) менше | |
| | ніж 2 кеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) здатне до безпосереднього | |
| | запису; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) призначене для | |
| | високоенергетичної | |
| | імплантації кисню в нагріту | |
| | "підкладку" напівпровідникового | |
| | матеріалу з енергією пучка | |
| | 65 кеВ або більше і струмом | |
| | пучка 45 мА або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) обладнання для сухого травлення |з 8456 99, |
| | анізотропною плазмою: |8456 91 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) з покасетним обробленням пластин| |
| | та подачею їх через | |
| | завантажувальні шлюзи, яке має | |
| | одну з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для обладнання, | |
| | яке підлягає контролю за | |
| | позицією 3.B.1. e та має одну | |
| | з наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) обладнання для хімічного |з 8456 99, |
| | осадження з парової фази (CVD) та|8456 91 00 00 |
| | плазмової стимуляції: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання з покасетним | |
| | обробленням пластин і подачею | |
| | їх через завантажувальні шлюзи, | |
| | спроектоване відповідно до | |
| | технічних умов виробника або | |
| | оптимізоване для використання у | |
| | виробництві напівпровідникових | |
| | приладів з критичними розмірами | |
| | 180 нм або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для апаратури, яка | |
| | підлягає контролю згідно з | |
| | позицією 3.B.1.e, і спроектоване| |
| | відповідно то технічних умов | |
| | виробника або оптимізоване для | |
| | використання у виробництві | |
| | напівпровідникових приладів з | |
| | критичними розмірами 180 нм | |
| | або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) багатокамерні системи з |8456 10 10 00,|
| | центральним автоматичним |8456 10 90 00,|
| | завантаженням напівпровідникових |з 8456 99, |
| | пластин, що мають усі наведені |8456 91 00 00 |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) інтерфейси для завантаження та | |
| | вивантаження пластин, до яких | |
| | повинні приєднуватися більше ніж| |
| | дві одиниці обладнання для | |
| | оброблення напівпровідників; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) призначені для комплексної | |
| | системи послідовного | |
| | багатопозиційного оброблення | |
| | пластин у вакуумі; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають |
| |автоматичні робототехнічні системи завантаження |
| |пластин, не призначених для роботи у вакуумі; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |f) обладнання літографії: |9009 22 90 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання багаторазового | |
| | суміщення та експонування | |
| | (безпосередньо на "підкладці") | |
| | або обладнання крокового | |
| | сканування для оброблення | |
| | пластин методами фотооптичної | |
| | або рентгенівської літографії, | |
| | яке має будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) наявність джерела освітлення з | |
| | довжиною хвилі коротшою ніж | |
| | 245 нм; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) спроможність виробляти зразки | |
| | з мінімальним визначеним | |
| | типовим розміром 180 нм або | |
| | менше; | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|Технічна |Мінімальний визначений типовий | |
|примітка. |розмір можна розрахувати за | |
| |формулою: | |
| |
| (довжина хвилі випромінювання світла в нм) х (К фактор) |
| MRF= ------------------------------------------------------ , |
| цифрова апертура |
| |
| |де K фактор = 0,45, а MRF - | |
| |мінімальний визначений типовий | |
| |розмір. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання друкованої | |
| | літографії, здатне виробляти | |
| | малюнок з типовим розміром | |
| | 180 нм або менше. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|Примітка. |Позиція 3.B.1.f.2 включає: | |
| |мікроконтактні друкарські верстати; | |
| |верстати гарячого тиснення; | |
| |верстати друкованої літографії з | |
| |нанометровою роздільною здатністю; | |
| |верстати друкованої літографії з | |
| |мультиплікацією (S-FIL). | |
|------------+------------------------------------+--------------|
| | 3) обладнання, спеціально |8456 10 10 00,|
| | призначене для виробництва |8456 10 90 00 |
| | шаблонів або виготовлення | |
| | напівпровідникових приладів з | |
| | використанням методів | |
| | безпосереднього формування | |
| | малюнка, що має всі наведені | |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) використовує такий, що | |
| | відхиляється, сфокусований | |
| | електронний, іонний або | |
| | "лазерний" пучок; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) має будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) розмір плями менше ніж | |
| | 0,2 мкм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) здатність виробляти малюнок з | |
| | мінімальним розміром | |
| | розділення менше ніж 1 мкм; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) точність суміщення шарів краще| |
| | +- 0,2 мкм (3 сигма); | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) шаблони (маски) або фотошаблони |9010 90 10 00,|
| | для інтегральних схем, що |9010 90 90 00 |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позицією 3.A.1; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |h) багатошарові шаблони (маски) з |9010 90 10 00,|
| | фазозсувним шаром; |9010 90 90 00 |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають |
| |багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені |
| |для виробництва запам'ятовувальних пристроїв, які |
| |не контролюються згідно з позицією 3.A.1. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |i) шаблони для друкованої | |
| | літографії, призначені для | |
| | інтегральних схем, які | |
| | контролюються згідно з | |
| | позицією 3.A.1. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B.2. |Обладнання для випробувань, |9031 80 39 10,|
|[3B002] |спеціально призначене для |9031 80 39 90 |
| |випробувань готових або | |
| |напівфабрикатних напівпровідникових | |
| |приладів і спеціально створені | |
| |"компоненти" та аксесуари до нього: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) для вимірювання S-параметрів | |
| | транзисторних приладів на | |
| | частотах понад 31,8 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) не використовується з 2004 року; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) для випробувань мікрохвильових | |
| | інтегральних схем, що | |
| | контролюються згідно з | |
| | позицією 3.A.1.b.2. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.1. |Гетероепітаксійні матеріали, що |3818 00 90 00 |
|[3C001] |складаються з підкладки та кількох | |
| |послідовно нанесених епітаксійних | |
| |шарів, які мають будь-яку з | |
| |наведених нижче складових: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) кремній; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) германій; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) карбід кремнію; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) сполуки III/V галію або індію. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.2. |Матеріали резистів і підкладки, | |
|[3C002] |наведені нижче, покриті резистами, | |
| |що підлягають контролю: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) позитивні резисти, призначені для|8541 40 99 00 |
| | напівпровідникової літографії, | |
| | спеціально пристосовані для | |
| | використання довжиною хвилі менше| |
| | ніж 245 нм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 |
| | використання під час експонування| |
| | електронними та іонними пучками, | |
| | з чутливістю 0,01 мкКл/кв.мм | |
| | або краще; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 |
| | використання рентгенівського | |
| | випромінювання, з чутливістю | |
| | 2,5 мДж/кв.мм або краще; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) усі резисти, оптимізовані для |8541 40 99 00 |
| | технології формування малюнка, | |
| | включаючи силіційовані резисти; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) усі резисти, призначені або | |
| | оптимізовані для використання з | |
| | обладнанням для літографічного | |
| | друку, зазначеним у позиції | |
| | 3.B.1.f.2, що використовує | |
| | термічний технологічний процес | |
| | або процес твердіння під дією | |
| | світла. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Методи силіціювання - це процеси, які включають |
|примітка. |оксидування поверхні резисту для підвищення якості |
| |мокрого та сухого проявлення. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.3. |Органо-неорганічні сполуки: | |
|[3C003] |------------------------------------+--------------|
| |a) металоорганічні сполуки на основі|з 2931 00 95, |
| | алюмінію, галію або індію, які |2931 00 95 00 |
| | мають чистоту металевої основи | |
| | понад 99,999%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) органо-арсенові, органо- |з 2931 00 95 |
| | сурм'янисті та органо-фосфорні | |
| | сполуки, які мають чистоту основи| |
| | неорганічного елемента понад | |
| | 99,999%. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті |
| |сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві|
| |елементи яких безпосередньо пов'язані з вуглецем |
| |органічної частки молекули. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.4. |Гідриди фосфору, арсену або сурми, |2848 00 00 00,|
|[3C004] |які мають чистоту понад 99,999% |2850 00 10 00 |
| |навіть після розведення інертними | |
| |газами або воднем. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають |
| |гідриди, що містять 20% або більше молей інертних |
| |газів чи водню. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.5. |"Підкладки" з карбіду кремнію (SiC),| |
| |нітриду галію (GaN), нітриду галію- | |
| |алюмінію (AlGaN) або злитки, булі, | |
| |або інші преформи цих матеріалів, | |
| |що мають питомий опір понад 10000 | |
| |Ом-см при 20 град.C. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.6. |"Підкладки", зазначені в позиції | |
| |3.C.5, які мають щонайменше один | |
| |епітаксиальний шар з карбіду | |
| |кремнію, нітриду галію, нітриду | |
| |алюмінію або нітриду галію-алюмінію.| |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.1. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 |
|[3D001] |створене для "розроблення" або | |
| |"виробництва" обладнання, що | |
| |підлягає контролю згідно з позиціями| |
| |3.A.1.b - 3.A.2.g або 3.B. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.2. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 |
|[3D002] |призначене для "використання" | |
| |обладнання, що підлягає контролю | |
| |згідно з позицями 3.B.1.a - 3.B.2. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.3. |"Програмне забезпечення" для |з 8524 |
|[3D003] |заснованого на фізичних процесах | |
| |моделювання, спеціально призначене | |
| |для "розроблення" процесів | |
| |літографії, травлення або осадження | |
| |з метою втілення маскувальних | |
| |шаблонів у конкретні топологічні | |
| |малюнки провідників, діелектриків | |
| |або напівпровідникових матеріалів. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Термін "заснований на фізичних процесах" у позиції |
|примітка. |3.D.3 означає використання розрахунків з метою |
| |визначення послідовності причин та наслідків |
| |фізичного характеру, які визначаються фізичними |
| |властивостями (наприклад, температурою, тиском, |
| |коефіцієнтами дифузії і властивостями |
| |напівпровідникових матеріалів). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для |
| |проектування напівпровідникових приладів чи |
| |інтегральних схем розглядаються як "технологія". |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.D.4. |Програмне забезпечення, спеціально |з 8524 |
|[3D004] |призначене для "розроблення" |з 8471 70 |
| |обладнання, що підлягає контролю | |
| |згідно з позицією 3.A.3. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E.1. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, |
|[3E001] |особливих приміток для "розроблення"|3706, 8524, |
| |або "виробництва" обладнання чи |4901 99 00 00,|
| |матеріалів, що підлягають контролю |4906 00 00 00 |
| |згідно з позиціями 3.A, 3.B або 3.C.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає |
| |"технологія" для "виробництва" обладнання або |
| |"компонентів", які контролюються згідно з позицією |
| |3.A.3. |
| |2. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |інтегральних схем, що контролюються згідно з |
| |позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі |
| |наведені нижче характеристики: |
| |a) використовують "технології" 0,5 мкм або вище; та|
| |b) не містять багатошарові структури. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Термін багатошарові структури не включає прилади, |
|примітка. |які містять максимум три шари металу та три шари |
| |полікремнію. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, |
|[3E002] |особливих приміток інша, ніж та, що |3706, 8524, |
| |контролюється згідно з позицією |з 8471 70 |
| |3.E.1 для "розроблення" або |4901 99 00 00,|
| |"виробництва" "мікросхем |4906 00 00 00 |
| |мікропроцесорів", "мікросхем | |
| |мікрокомп'ютерів" та ядер мікросхем | |
| |мікроконтролерів, що мають | |
| |арифметично-логічний пристрій з | |
| |шириною доступу 32 біта або більше | |
| |та будь-яку з наведених нижче ознак | |
| |або характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) блок векторного процесора, | |
| | призначений виконувати два або | |
| | більше обчислень з векторами з | |
| | плаваючою крапкою (одномірна | |
| | матриця 32 біт або більшим | |
| | числом біт) одночасно; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |"Блок векторного процесора" - це елемент процесора |
|примітка. |з вбудованими командами, який одночасно виконує |
| |множину обчислень з векторами з плаваючою крапкою |
| |(одномірні матриці з 32 біт або більшим числом |
| |біт), який має щонайменше один векторний |
| |арифметично-логічний пристрій; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |b) здатний давати більше двох 64 біт| |
| | або з більшим числом біт | |
| | результатів операцій з плаваючою | |
| | крапкою за цикл; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) здатний давати більше чотирьох 16| |
| | біт результатів множення з | |
| | накопиченням з фіксованою крапкою| |
| | (наприклад, цифрові маніпуляції з| |
| | аналоговою інформацією, яку було | |
| | попередньо перетворено у цифрову | |
| | форму - процес, відомий також як | |
| | цифрове оброблення сигналів). | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягають|
| |технології для розширення мультимедійних засобів. |
| |2. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягає |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |ядер мікропроцесорів, які мають усі наведені нижче |
| |характеристики: |
| | 1) використовують "технології" на рівні 0,13 мкм |
| | або вище; та |
| | 2) містять багатошарові структури з п'ятьма або |
| | більше шарами металу. |
| |3. Згідно з позицією 3.E.2 контролю також |
| |підлягають "технології" для процесорів цифрових |
| |сигналів та матричних процесорів. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.E.3. |Інші "технології" для "розроблення" |з 3705, |
|[3E003] |або "виробництва": |3706,8524, |
| | |4901 99 00 00,|
| | |4906 00 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) вакуумних мікроелектронних | |
| | приладів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) напівпровідникових приладів на | |
| | гетероструктурах таких, як | |
| | транзистори з високою рухливістю | |
| | електронів (HEMT), біполярні | |
| | транзистори на гетероструктурі | |
| | (HBT), приладів з квантовими | |
| | ямами та приладів на надрешітках.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає |
| |технологія для транзисторів з високою рухливістю |
| |електронів (HEMT), які працюють на частотах нижчих |
| |ніж 31,8 ГГц, та біполярних транзисторів на |
| |гетероструктурі (HBT), які працюють на частотах |
| |нижчих ніж 31,8 ГГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) "надпровідних" електронних | |
| | приладів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) підкладок з плівок алмазу для | |
| | електронних "компонентів"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) підкладок, що мають структуру | |
| | типу "кремній-на-діелектрику" | |
| | (SOI) для інтегральних схем, у | |
| | яких ізолятором є двоокис кремію;| |
| |------------------------------------+--------------|
| |f) кремній-вуглецевих підкладок для | |
| | "компонентів" електронних схем; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) електронних вакуумних ламп, які | |
| | працюють на частоті 31,8 ГГц або | |
| | вище. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E.4. |"Послуги та роботи" (відповідно до | |
| |особливої примітки щодо послуг та | |
| |робіт) стосовно товарів подвійного | |
| |використання, зазначених у позиціях | |
| |3.A, 3.B, 3.C, 3.D або 3.E. | |
------------------------------------------------------------------
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
