| |2) накопичувачі великої| |
| |енергії, наведені нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення менше ніж|8506 80, |
| |10 Гц (одноразові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), що мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) номінальну напругу не менше| |
| |ніж 5 кВ; | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 250 Дж/кг; та | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 25 кДж; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення 10 Гц і|8506 80, |
| |більше (багаторазові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |------------------------------+--------------|
| |1) номінальну напругу не менше|з 8507 80 |
| |ніж 5 кВ, | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 50 Дж/кг; | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 100 Дж; та | |
| |4) кількість циклів| |
| |заряду-розряду не менше ніж| |
| |10000; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) "надпровідні"|8505 19 90 00 |
| |електромагніти та соленоїди,| |
| |спеціально спроектовані на| |
| |повне заряджання або| |
| |розряджання менше ніж за 1| |
| |секунду, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не|
| |підлягають "надпровідні" електромагніти або|
| |соленоїди, спеціально призначені для медичної|
| |апаратури магніторезонансної томографії|
| |(MRI). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) максимальну енергію під час| |
| |розряду понад 10 кДж за першу| |
| |секунду; | |
| |b) внутрішній діаметр| |
| |струмопровідних обмоток понад| |
| |250 мм; та | |
| |c) номінальну магнітну| |
| |індукцію понад 8 Т або| |
| |"сумарну густину струму" в| |
| |обмотці понад 300 А/кв.мм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.f. |Обертові перетворювачі|9031 80 31 10,|
| |абсолютного кутового положення|9031 80 31 90,|
| |вала в кут, які мають будь-яку|8502 40 |
| |з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) розподільна здатність краще| |
| |1/265000 від повного діапазону| |
| |(18 біт); | |
| |2) точність краще ніж +- 2,5| |
| |кутових секунд | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2. |Електронна апаратура| |
|[3A002] |загального призначення,| |
| |наведена нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.a. |Записувальна апаратура,|8520 32 99 00 |
| |наведена нижче, і спеціально| |
| |призначена для неї| |
| |вимірювальна стрічка: | |
| |1) накопичувачі на магнітній| |
| |плівці для аналогової| |
| |апаратури, включаючи| |
| |накопичувачі з можливістю| |
| |запису цифрових сигналів| |
| |(тобто, що використовують| |
| |модуль цифрового запису| |
| |високої щільності (HDDR), які| |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) смуга частот понад 4 МГц на| |
| |електронний канал або доріжку;| |
| |b) смуга частот понад 2 МГц на| |
| |електронний канал або доріжку| |
| |при кількості доріжок понад| |
| |42; або | |
| |c) помилка непогодження| |
| |змінної шкали, виміряна із| |
| |застосуванням документів| |
| |Асоціації електронної| |
| |промисловості (EIA) або IRIG,| |
| |менше ніж +- 0,1 мкс; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Аналогові магнітофони, спеціально створені|
| |для цілей цивільного відео, не вважаються|
| |накопичувачами на плівці. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) цифрові відеомагнітофони,|з 8521 10, |
| |які мають максимальну|8521 90 00 00 |
| |роздільну здатність цифрового| |
| |інтерфейсу понад 360 Мбіт/с; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не|
| |підлягають цифрові стрічкові відеомагнітофони|
| |спеціально спроектовані для телевізійного|
| |запису з використанням форми сигналу, що може|
| |включати форму стисненого сигналу за|
| |стандартами або рекомендаціями Міжнародного|
| |союзу електрозв'язку (ITU), Міжнародної|
| |електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно-|
| |та телевізійних інженерів (SMPTE),|
| |Європейського союзу радіомовлення (EBU),|
| |Європейського інституту стандартів зв'язку|
| |(ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів|
| |у галузі електротехніки та електроніки (IEEE)|
| |для цивільного телебачення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) накопичувачі на магнітній|з 8521 10 |
| |плівці для цифрової апаратури,| |
| |що використовує методи| |
| |спірального сканування або| |
| |фіксованих магнітних головок,| |
| |які мають одну з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) максимальна пропускна| |
| |здатність цифрового інтерфейсу| |
| |понад 175 Мбіт/с; | |
| |b) за технічними умовами| |
| |"придатні для використання в| |
| |космосі"; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не|
| |підлягають аналогові накопичувачі на|
| |магнітній плівці, оснащені електронікою для|
| |перетворення в цифровий запис високої|
| |щільності (HDDR) та призначені для запису|
| |тільки цифрових даних. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) апаратура з максимальною|8521 90 00 00 |
| |пропускною здатністю цифрового| |
| |інтерфейсу понад 175 Мбіт/с,| |
| |призначена для перетворення| |
| |цифрових відеомагнітофонів у| |
| |пристрої запису даних цифрової| |
| |апаратури; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |5) цифрові перетворювачі форми|з 8543 |
| |хвилі та перехідні| |
| |реєстратори, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |a) швидкість цифрового| |
| |перетворення, що дорівнює або| |
| |більше ніж 200 млн. операцій| |
| |за секунду з роздільною| |
| |здатністю 10 біт або більше; | |
| |b) безперервну пропускну| |
| |здатність 2 Гбіт/с і більше | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для цих приладів з паралельною шиною|
| |швидкість безперервної пропускної здатності є|
| |добуток найбільшого обсягу слів на кількість|
| |біт у слові. |
| |Безперервна пропускна здатність - це найвища|
| |швидкість, з якою прилад може виводити дані в|
| |накопичувач без втрати інформації та водночас|
| |підтримувати швидкість вимірювання та функцію|
| |аналого-цифрового перетворення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |6) накопичувачі для цифрової| |
| |апаратури, що використовують| |
| |методи накопичення на| |
| |магнітних дисках, які мають| |
| |усі з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) швидкість цифрового| |
| |перетворення, що дорівнює або| |
| |більше ніж 100 млн. операцій| |
| |за секунду та роздільну| |
| |здатність 8 біт або більше; | |
| |b) безперервна пропускна| |
| |здатність 1 Гбіт/с або більше;| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.b. |"Електронні збірки"|з 8543, |
| |"синтезаторів частоти", які|8570 10 90 00 |
| |мають "час перемикання| |
| |частоти" з однієї на іншу| |
| |менше ніж 1 мс | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.c. |"Аналізатори сигналів"|з 8543, |
| |радіочастоти, наведені нижче: |8570 10 90 00 |
| |1) "аналізатори сигналів", які| |
| |здатні аналізувати частоти| |
| |понад 31,8 ГГц, але не більше| |
| |ніж 37,5 ГГц, та мають ширину| |
| |смуги частот з роздільною| |
| |здатністю 3 дБ (RBW), що| |
| |перевищує 10 МГц; | |
| |2) "аналізатори сигналів",| |
| |здатні аналізувати частоти| |
| |понад 43,5 ГГц; | |
| |3) "динамічні аналізатори| |
| |сигналів" із "шириною смуги| |
| |частот у реальному масштабі| |
| |часу" понад 500 кГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не|
| |підлягають "динамічні аналізатори сигналів",|
| |які використовують тільки фільтри із смугою|
| |пропускання фіксованих частот (відомі також|
| |під назвою октавних або фракційних октавних|
| |фільтрів). |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.2.d. |Генератори сигналів|8543 20 00 00 |
| |синтезаторів частот, які| |
| |формують вихідні частоти з| |
| |керуванням за параметрами| |
| |точності, короткочасної та| |
| |довгочасної стабільності на| |
| |основі або за допомогою| |
| |внутрішньої еталонної частоти| |
| |і мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) максимальна синтезована| |
| |частота понад 31,8 ГГц, але не| |
| |вище 43,5 ГГц та нормована для| |
| |генерації імпульсів тривалістю| |
| |менше ніж 100 нс; | |
| |2) максимальна синтезована| |
| |частота понад 43,5 ГГц; | |
| |3) "час перемикання частоти" з| |
| |однієї заданої частоти на іншу| |
| |менше ніж 1 мс; | |
| |4) фазовий шум однієї бокової| |
| |смуги (SSB) краще -| |
| |(126+20 log F - 20 log f)| |
| | 10 10 | |
| |в одиницях дБ/Гц, де F -| |
| |відхилення робочої частоти в| |
| |Гц, а f - робоча частота в МГц| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|"Тривалість імпульсу" для позиції 3A.2.d.1|
| |визначається як проміжок часу між переднім|
| |фронтом імпульсу, який досягає 90 відсотків|
| |максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який|
| |досягає 10 відсотків максимуму. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не|
| |підлягає обладнання, у якому вихідна частота|
| |створюється шляхом додавання або віднімання|
| |частот двох або більше частот кварцового|
| |генератора чи шляхом додавання або віднімання|
| |з наступним множенням результуючої частоти. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.2.e. |Мережеві аналізатори з|з 8543, |
| |максимальною робочою частотою|8470 10 90 00 |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.f. |Приймачі-тестери |8527 90 98 00 |
| |мікрохвильового діапазону, які| |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) максимальну робочу частоту| |
| |понад 40 ГГц; | |
| |2) здатні одночасно вимірювати| |
| |амплітуду та фазу | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.g. |Атомні еталони частоти, які|8543 20 00 00 |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) довготривала стабільність| |
| |(старіння) менше (краще)| |
| | -11 | |
| |1 x 10 /місяць; | |
| |3) за технічними умовами| |
| |"придатні для використання в| |
| |космосі" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не|
| |підлягають рубідієві еталони, не "придатні|
| |для використання в космосі". |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.3. |Системи терморегулювання з|З 8424 |
| |охолодженням шляхом| |
| |розбризкування, що| |
| |використовують обладнання із| |
| |замкнутим контуром для| |
| |маніпулювання рідиною та її| |
| |регенерації в герметичній| |
| |оболонці, в якій діелектрична| |
| |рідина розбризкується на| |
| |електронні "компоненти" з| |
| |використанням спеціально| |
| |призначених розпилювачів,| |
| |спроектовані таким чином, щоб| |
| |підтримувати температуру| |
| |електронних "компонентів" у| |
| |межах їх робочого| |
| |температурного діапазону, а| |
| |також "спеціально призначені| |
| |компоненти" для них. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1. |Обладнання для виробництва| |
|[3B001] |напівпровідникових приладів| |
| |або матеріалів, наведене| |
| |нижче, і спеціально створені| |
| |"компоненти" та оснащення для| |
| |них: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.a. |Обладнання для епітаксійного| |
| |вирощування, наведене нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) обладнання, здатне|з 8419 89 |
| |виробляти шар будь-якого| |
| |матеріалу, крім кремнію, з| |
| |відхиленням товщини не більше| |
| |ніж 2,5 відсотка на довжині| |
| |75 мм або більше; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) обладнання хімічного|з 8419 89 |
| |осадження з металоорганічної| |
| |парової фази (MOCVD),| |
| |спеціально розроблене для| |
| |вирощування кристалів складних| |
| |напівпровідників за допомогою| |
| |хімічних реакцій між| |
| |матеріалами, зазначене у| |
| |позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) молекулярно-променеве|з 8419 89 |
| |обладнання епітаксійного| |
| |вирощування, у якому| |
| |застосовані газові або| |
| |твердотільні джерела | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.b. |Обладнання для іонної|8456 10 10 00,|
| |імплантації, яке має одну з|8456 10 90 00 |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |1) енергія пучка| |
| |(прискорювальна напруга) понад| |
| |1 МеВ; | |
| |2) спеціально спроектоване та| |
| |оптимізоване для| |
| |функціонування при енергії| |
| |пучка (прискорювальній| |
| |напрузі) менше ніж 2 кеВ; | |
| |3) здатне до безпосереднього| |
| |запису; | |
| |4) призначене для| |
| |високоенергетичної імплантації| |
| |кисню в нагріту "підкладку"| |
| |напівпровідникового матеріалу| |
| |з енергією пучка 65 кеВ або| |
| |більше і струмом пучка 45 мА| |
| |або більше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.c. |Обладнання, наведене нижче,|з 8456 99, |
| |для сухого травлення|8456 91 00 00 |
| |анізотропною плазмою: | |
| |1) з покасетним обробленням| |
| |пластин та завантаженням їх| |
| |через завантажувальні шлюзи,| |
| |яке має одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) призначене або оптимізоване| |
| |для створення критичних| |
| |розмірів 180 нм або менше з| |
| |точністю +- 5 відсотків (3| |
| |сигма); | |
| |b) призначене для генерації| |
| |менше ніж 0,04 частки/кв.см з| |
| |вимірюваним розміром частки| |
| |більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |2) обладнання, спеціально| |
| |спроектоване для обладнання,| |
| |яке підлягає контролю за| |
| |позицією 3.B.1.e та має одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) призначене або оптимізоване| |
| |для створення критичних| |
| |розмірів 180 нм або менше з| |
| |точністю +- 5 відсотків (3| |
| |сигма); | |
| |b) призначене для генерації| |
| |менше ніж 0,04 частки/кв.см з| |
| |вимірюваним розміром частки| |
| |більше ніж 0,1 мм у діаметрі | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.d. |Обладнання для хімічного|з 8456 99, |
| |осадження з парової фази (CVD)|8456 91 00 00 |
| |та плазмової стимуляції,| |
| |наведене нижче: | |
| |1) обладнання з покасетним| |
| |обробленням пластин і подачею| |
| |їх через завантажувальні| |
| |шлюзи, спроектоване відповідно| |
| |до технічних умов виробника| |
| |або оптимізоване для| |
| |використання у виробництві| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |критичними розмірами 180 нм| |
| |або менше; | |
| |2) обладнання, спеціально| |
| |спроектоване для апаратури,| |
| |яка підлягає контролю згідно з| |
| |позицією 3.B.1.e, і| |
| |спроектоване відповідно до| |
| |технічних умов виробника або| |
| |оптимізоване для використання| |
| |у виробництві| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |критичними розмірами 180 нм| |
| |або менше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.e. |Багатокамерні системи з|8456 10 10 00,|
| |центральним автоматичним|8456 10 90 00,|
| |завантаженням |з 8456 99, |
| |напівпровідникових пластин, що|8456 91 00 00 |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) інтерфейси для завантаження| |
| |та вивантаження пластин, до| |
| |яких повинні приєднуватися| |
| |більше ніж дві одиниці| |
| |обладнання для оброблення| |
| |напівпровідників; | |
| |2) призначений для комплексної| |
| |системи послідовного| |
| |багатопозиційного оброблення| |
| |пластин у вакуумі | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не|
| |підлягають автоматичні робототехнічні системи|
| |завантаження пластин, не призначених для|
| |роботи у вакуумі. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.B.1.f. |Обладнання літографії,|9009 22 90 00 |
| |наведене нижче: | |
| |1) обладнання багаторазового| |
| |суміщення та експонування| |
| |(безпосередньо на "підкладці")| |
| |або обладнання крокового| |
| |сканування для оброблення| |
| |пластин методами фотооптичної| |
| |або рентгенівської літографії,| |
| |яке має будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) наявність джерела| |
| |освітлення з довжиною хвилі| |
| |коротшою ніж 245 нм; | |
| |b) спроможність виробляти| |
| |зразки з мінімальним| |
| |визначеним типовим розміром| |
| |180 нм або менше; | |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна примітка. Мінімальний визначений типовий розмір можна|
| розрахувати за формулою: |
| |
| (довжина хвилі випромінювання світла в нм) x (K фактор) |
|MRF = ---------------------------------------------------------,|
| цифрова апертура |
| |
| де К фактор = 0,45, а MRF - мінімальний|
| визначений типовий розмір. |
|----------------------------------------------------------------|
| |2) обладнання, спеціально|8456 10 10 00,|
| |призначене для виробництва|8456 10 90 00 |
| |шаблонів або оброблення| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |використанням сфокусованого| |
| |електронного пучка, що| |
| |відхиляється, іонного пучка| |
| |або "лазерного" пучка, які| |
| |мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) розмір плями менше ніж 0,2| |
| |мкм; | |
| |b) здатність виробляти малюнок| |
| |з мінімальними дозволеними| |
| |проектними нормами менше ніж 1| |
| |мкм; | |
| |c) точність суміщення краще| |
| |+- 0,2 мкм (3 сигма) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.g. |Шаблони (маски) або|9010 90 10 00,|
| |фотошаблони для інтегральних|9010 90 90 00 |
| |схем, що підлягають контролю| |
| |згідно з позицією 3.A.1 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.h. |Багатошарові шаблони (маски) з|9010 90 10 00,|
| |фазозсувним шаром. |9010 90 90 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не|
| |підлягають багатошарові маски з фазозсувним|
| |шаром, призначені для виробництва|
| |запам'ятовувальних пристроїв, які не|
| |контролюються згідно з позицією 3.A.1. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.B.2. |Обладнання для випробувань,|9031 80 39 10,|
|[3B002] |спеціально призначене для|9031 80 39 90 |
| |випробувань готових або| |
| |напівфабрикатних | |
| |напівпровідникових приладів,| |
| |наведене нижче і спеціально| |
| |створені "компоненти" та| |
| |аксесуари до нього: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.a. |Для вимірювання S-параметрів| |
| |транзисторних приладів на| |
| |частотах понад 31,8 ГГц | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.b. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.c. |Для випробувань мікрохвильових| |
| |інтегральних схем, що| |
| |контролюються згідно з| |
| |позицією 3.A.1.b.2. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.1 |Гетероепітаксійні матеріали,|3818 00 90 00 |
|[3C001] |які складаються з підкладки та| |
| |кількох послідовно нанесених| |
| |епітаксійних шарів, які мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |складових: | |
| |a) кремній; | |
| |b) германій; | |
| |c) карбід кремнію; | |
| |d) сполуки III/V на основі| |
| |галію або індію. | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні|
| |або складні монокристалічні продукти,|
| |складені з елементів IIIА (A3) та VA (B5)|
| |груп періодичної системи елементів Менделєєва|
| |(наприклад, арсенід галію, арсенід|
