|-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|26. Забезпечення|кількість | 1 | | | | | 1 |1) розроблення |Держінформ-|державний| 2,9 | | | 1,2 | 1 | 0,7 |
|розвитку |розроблених | | | | | | |нанотехнології |науки |бюджет | | | | | | |
|приладобудування|нанотехнологій| | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
|на основі |--------------+-----+----+----+----+----+----|сенсорів нового | | | | | | | | |
|наноелектронних |кількість | 3 | | | | 1 | 2 |покоління на базі | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|сенсорів |виготовлених | | | | | | |епітаксійних | |інші | 1 | | | | | 1 |
| |дослідних | | | | | | |нанорозмірних | |джерела | | | | | | |
| |зразків | | | | | | |структур з | | | | | | | | |
| | | | | | | | | 3 5 | | | | | | | | |
| | | | | | | | |матеріалів А В | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 3,9 | | | 1,2 | 1 | 1,7 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 1 | 1 | | | | |2) розроблення | |державний| | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |нанотехнології | |бюджет | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |створення |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |багатошарових |Держінформ-| | 2,5 | | | | 1,5 | 1 |
| | | | | | | | |структур з обмінною |науки | | | | | | | |
| | | | | | | | |взаємодією для |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |виготовлення |Національна| | 1 | | | | 0,5 | 0,5 |
| | | | | | | | |надчутливих |академія | | | | | | | |
| | | | | | | | |магніторезистивних |наук | | | | | | | |
| | | | | | | | |сенсорів магнітних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |полів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 3,5 | | | | 2 | 1,5 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | 2 | | | |3) розроблення | |державний| | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |нанотехнологій | |бюджет | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |високоефективних |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |тонкоплівкових |Держінформ-| | 3 | 2 | 1 | | | |
| | | | | | | | |твердотільних |науки | | | | | | | |
| | | | | | | | |сцинтиляторів на | | | | | | | | |
| | | | | | | | |основі гранатових | | | | | | | | |
| | | | | | | | |епітаксійних | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|структур із |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | 1 | 2 | | | |субмікронною |Національна| | 1 | 0,7 | 0,3 | | | |
| |виготовлених | | | | | | |роздільною здатністю|академія | | | | | | | |
| |типономіналів | | | | | | |для рентгенівської |наук | | | | | | | |
| |сцинтиляторів | | | | | | |томографії та | | | | | | | | |
| | | | | | | | |дефектоскопії | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 4 | 2,7 | 1,3 | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | 3 | | | |4) виготовлення |Національна| -"- | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | |приймачів |академія | | | | | | | |
| |приймачів | | | | | | |випромінювання |наук | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|далекого | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | 1 | 2 | | | |інфрачервоного та | | | 3 | 1,4 | 1,6 | | | |
| |розроблених | | | | | | |терагерцового | | | | | | | | |
| |методик | | | | | | |діапазону частот на | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|основі нанорозмірних| | | | | | | | |
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |напівпровідникових | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |структур | | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | | | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | |
| |кількість | 3 | | 3 | | | | | | | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | | | | | | | | | | |
| |дослідних | | | | | | | | | | | | | | | |
| |зразків | | | | | | | | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |5) розроблення | | -"- | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |методів та засобів |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |нанотехнологій| | | | | | |керування |Держінформ-| | 2 | 1 | 1 | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|параметрами |науки | | | | | | | |
| |кількість | 3 | 1 | 2 | | | |постійного та |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |розроблених | | | | | | |змінного струму за |Національна| | | 0,9 | 0,5 | 0,4 | | |
| |методик | | | | | | |допомогою |академія | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|джозефсонівських |наук | | | | | | | |
| |кількість | 3 | | 3 | | | |наногетероструктур | | | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | |високотемпературних | | | | | | | | |
| |дослідних | | | | | | |надпровідників | | | | | | | | |
| |зразків | | | | | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 2,9 | 1,5 | 1,4 | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |6) розроблення |Держінформ-|державний| 3,1 | 0,9 | 1 | 1,2 | | |
| |розроблених | | | | | | |нанотехнологій |науки |бюджет | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|нанорозмірних | | | | | | | | |
| |кількість | 3 | 1 | 2 | | | |гетероструктур з | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |переходами | | | | | | | | |
| |методик | | | | | | |Джозефсона | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|для надпровідної | | | | | | | | |
| |кількість | 3 | | 3 | | | |електроніки з | | | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | |регульованим | | | | | | | | |
| |дослідних | | | | | | |співвідношенням | | | | | | | | |
| |зразків | | | | | | |струм - фаза | | | | | | | | |
| | | | | | | | |--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | | | 3,1 | 0,9 | 1 | 1,2 | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | 3 | | | |7) розроблення та | -"- | -"- | 3,9 | 2,1 | 1,8 | | | |
| |виготовлених | | | | | | |впровадження у | | | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |виробництво | | | | | | | | |
| | | | | | | | |нанорозмірних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |елементів | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|надпровідникової | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |квантової | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |електроніки на | | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |основі стохастичних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |резонаторних систем | | | | | | | | |
| | | | | | | | |для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |сквид-мікроскопів, | | | | | | | | |
| | | | | | | | |геофізичних радарів,| | | | | | | | |
| | | | | | | | |магнітоенцефалог- | | | | | | | | |
| | | | | | | | |рафів тощо | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | | 2 | |8) створення | -"- | -"- | 2 | | | 0,5 | 0,5 | 1 |
| |розроблених | | | | | | |математичних моделей| | | | | | | | |
| |методів | | | | | | |електронних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |нанокомпонентів для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |забезпечення процесу| | | | | | | | |
| | | | | | | | |проектування | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|гетеротранзисторів з| | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | | 2 | |квантовими точками, | | | | | | | | |
| |створених | | | | | | |нитками і трубками, | | | | | | | | |
| |математичних | | | | | | |транзисторів з | | | | | | | | |
| |моделей | | | | | | |квантовими | | | | | | | | |
| | | | | | | | |переходами, | | | | | | | | |
| | | | | | | | |резонансно- | | | | | | | | |
| | | | | | | | |тунельних діодів | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | 1 | 1 | |9) створення | |державний| | | | | | |
| |створених | | | | | | |гетеротранзисторів | |бюджет | | | | | | |
| |конструкцій і | | | | | | |та тестових структур|-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |тестових | | | | | | |з квантовими |Держінформ-| | 2 | | | 0,5 | 0,5 | 1 |
| |діодних | | | | | | |точками, нитками і |науки | | | | | | | |
| |структур, | | | | | | |трубками, | | | | | | | | |
| |транзисторних | | | | | | |транзисторів з |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |перетворюваль-| | | | | | |тунельними |Національна| | 1,5 | | | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
| |них | | | | | | |переходами, |академія | | | | | | | |
| |наноструктур і| | | | | | |резонансно-тунельних|наук | | | | | | | |
| |компонентів | | | | | | |діодів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 3,5 | | | 1 | 1 | 1,5 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | | | | 3 |10) створення |Держінформ-| -"- | 1,5 | | | | 0,7 | 0,8 |
| |виготовлених | | | | | | |резонансно- |науки | | | | | | | |
| |дослідних | | | | | | |тунельного діода для| | | | | | | | |
| |зразків | | | | | | |сенсорів та | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|генераторів | | | | | | | | |
| |кількість | 1 | | | | 1 | |терагерцового | | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |діапазону | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |11) розроблення | -"- | -"- | 2,2 | 0,7 | 0,7 | 0,8 | | |
| |розроблених | | | | | | |нанотехнологій | | | | | | | | |
| |методик | | | | | | |наноструктурних | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|сполук кремнію для | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | 2 | | | |мікроелектронних | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |сенсорів | | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | | | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | 2 | | |12) створення | -"- | -"- | 4 | 2 | 1 | 1 | | |
| |виготовлених | | | | | | |елементної бази та | | | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |структур базових | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|вузлів | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | 2 | | |нанокомп'ютера | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | | | | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | | | | | | | | | | |
|-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|Разом за завданням 26 | | | 37,5 | 11,3 | 8,8 | 5,7 | 5,2 | 6,5 |
|-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|у тому числі |Держінформ-|державний| 29,1 | 8,7 | 6,5 | 5,2 | 4,2 | 4,5 |
| |науки |бюджет | | | | | | |
| | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | |інші | 1 | | | | | 1 |
| | |джерела | | | | | | |
| |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |Національна|державний| 7,4 | 2,6 | 2,3 | 0,5 | 1 | 1 |
| |академія |бюджет | | | | | | |
| |наук | | | | | | | |
|-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|27. Забезпечення| | | | | | | |1) розроблення: |Держінформ-| | | | | | | |
|розвитку | | | | | | | | |науки | | | | | | | |
|приладобудування|--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|на основі |кількість | 2 | | | 1 | 1 | | елементів пасивної| |державний| 2 | | | 0,9 | 0,5 | 0,6 |
|елементної бази |розроблених | | | | | | |та активної | |бюджет | | | | | | |
|надвисоких |нанотехнологій| | | | | | |радіометрії у | | | | | | | | |
|частот |--------------+-----+----+----+----+----+----|терагерцовому | | | | | | | | |
| |кількість | 3 | | | | | 3 |діапазоні на основі | | | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | |нанорозмірних | | | | | | | | |
| |пристроїв | | | | | | |пристроїв | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----| | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | 1 | 1 | | | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | | | | | | | | | | |
| |методів | | | | | | | | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | | 1 | 2 | | двоканального | |державний| 3 | | | 1 | 1 | 1 |
| |виготовлених | | | | | | |радіометричного | |бюджет | | | | | | |
| |приймачів | | | | | | |приймача з активним | | | | | | | | |
| | | | | | | | |підсвічуванням у | | | | | | | | |
| | | | | | | | |довгохвильовій | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|частині | |інші | 0,5 | | | 0,1 | 0,2 | 0,2 |
| |кількість | 1 | 1 | | | | |терагерцового | |джерела | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |діапазону на базі | | | | | | | | |
| |методів | | | | | | |активних і пасивних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |напівпровідникових | | | | | | | | |
| | | | | | | | |наноструктур | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 3,5 | | | 1,1 | 1,2 | 1,2 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | 3 | | | |2) створення | -"- |державний| 2,6 | 1,3 | 1,3 | | | |
| |виготовлених | | | | | | |елементної бази для | |бюджет | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |широкодіапазонних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |рефлектометрів у | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|терагерцовому | |інші | 0,6 | 0,3 | 0,3 | | | |
| |кількість | 2 | 1 | 1 | | | |діапазоні на основі | |джерела | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |нанорозмірних | | | | | | | | |
| |методів | | | | | | |напівпровідникових | | | | | | | | |
| | | | | | | | |структур | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 3,2 | 1,6 | 1,6 | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | 1 | 1 | |3) розроблення | -"- |державний| 2,3 | | | 0,7 | 0,7 | 0,9 |
| |розроблених | | | | | | |наноматеріалів та | |бюджет | | | | | | |
| |типів структур| | | | | | |нанотехнологій | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|виготовлення | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | 1 | 1 | |плазмонних сонячних | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |елементів підвищеної| | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |ефективності | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 3 | | | | 3 | |4) розроблення |Держінформ-|державний| 3,5 | | | 1 | 1,1 | 1,4 |
| |виготовлених | | | | | | |широкодіапазонного |науки |бюджет | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |рефлектометра для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |електронних приладів| | | | | | | | |
| | | | | | | | |терагерцового | | | | | | | | |
| | | | | | | | |діапазону на базі | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|нанорозмірних | |інші | 1 | | | 0,3 | 0,3 | 0,4 |
| |кількість | 2 | | | | 1 | 1 |напівпровідникових | |джерела | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |структур | | | | | | | | |
| |методів | | | | | | |низькобар'єрних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |діодів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 4,5 | | | 1,3 | 1,4 | 1,8 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | | 2 | |5) розроблення | |державний| 1 | | 0,4 | 0,3 | 0,3 | |
| |виготовлених | | | | | | |приладів керування | |бюджет | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |параметрами |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |випромінювання у |Держінформ-| | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|терагерцовому |науки | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | 1 | 1 | |діапазоні на базі |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |розроблених | | | | | | |нанорозмірних |Національна| | 0,6 | | 0,2 | 0,2 | 0,2 | |
| |методів | | | | | | |напівпровідникових |академія | | | | | | | |
| | | | | | | | |структур |наук | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 1,6 | | 0,6 | 0,5 | 0,5 | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 1 | | | | | 1 |6) створення приладу| | -"- | | | | | | |
| |виготовлених | | | | | | |для вимірювання | | | | | | | | |
| |приладів | | | | | | |діапазону | | | | | | | | |
| | | | | | | | |надвисоких частот |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |(аналізаторів |Держінформ-| | 4,5 | | | 2 | 1,5 | 1 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|спектра, |науки | | | | | | | |
| |кількість | 1 | | | | 1 | |широкодіапазонних | | | | | | | | |
| |розроблених | | | | | | |частотомірів та |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |методів | | | | | | |надчутливих |Національна| | 1,5 | | | 0,5 | 0,7 | 0,3 |
| | | | | | | | |детекторів) з |академія | | | | | | | |
| | | | | | | | |використанням |наук | | | | | | | |
| | | | | | | | |надпровідникових | | | | | | | | |
| | | | | | | | |наногетероструктур | | | | | | | | |
| | | | | | | | |--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | | | 6 | | | 2,5 | 2,2 | 1,3 |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |7) розроблення |Держінформ-| | | | | | | |
| | | | | | | | |нанотехнологій |науки | | | | | | | |
| | | | | | | | |виготовлення: | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 1 | | | 1 | | | двобар'єрних | | -"- | 4,5 | 2 | 1,5 | 1 | | |
| |розроблених | | | | | | |переходів Джозефсона| | | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |в міліметровому та | | | | | | | | |
| | | | | | | | |субміліметровому |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |діапазонах довжин | | | | | | | | |
| | | | | | | | |хвиль для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |приладобудування | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |кількість | 2 | | | | 1 | 1 | низькорозмірних | |державний| 3,7 | 1 | | | 0,7 | 2 |
| |розроблених | | | | | | |випромінювачів на | |бюджет | | | | | | |
| |нанотехнологій| | | | | | |основі | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|напівпровідникових | | | | | | | | |
| |кількість | 2 | | | | | 2 |гетероепітаксійних | |---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| |виготовлених | | | | | | | 3 5 | |інші | 1 | | | | 1 | |
| |дослідних | | | | | | |наноструктур А В з | |джерела | | | | | | |
| |зразків | | | | | | |модифікованою | | | | | | | | |
| |--------------+-----+----+----+----+----+----|поверхнею | | | | | | | | |
| |кількість | 1 | | | | | 1 | | | | | | | | | |
| |розробленої | | | | | | | | | | | | | | | |
| |ескізної | | | | | | | | | | | | | | | |
| |конструктор- | | | | | | | | | | | | | | | |
| |ської | | | | | | | | | | | | | | | |
| |документації | | | | | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
| | | | | | | | |Разом | 4,7 | 1 | | | 1,7 | 2 |
|---------------------------------------------------------------------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|Разом за завданням 27 | | | 32,3 | 4,6 | 3,7 | 8 | 8,2 | 7,8 |
|-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------|
|у тому числі |Держінформ-|державний| 27,1 | 4,3 | 3,2 | 6,9 | 5,8 | 6,9 |
| |науки |бюджет | | | | | | |