• Посилання скопійовано
Документ підготовлено в системі iplex

Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки

Кабінет Міністрів України  | Постанова, Заходи, Паспорт, Програма від 28.10.2009 № 1231
Реквізити
  • Видавник: Кабінет Міністрів України
  • Тип: Постанова, Заходи, Паспорт, Програма
  • Дата: 28.10.2009
  • Номер: 1231
  • Статус: Документ діє
  • Посилання скопійовано
Реквізити
  • Видавник: Кабінет Міністрів України
  • Тип: Постанова, Заходи, Паспорт, Програма
  • Дата: 28.10.2009
  • Номер: 1231
  • Статус: Документ діє
Документ підготовлено в системі iplex
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 28 жовтня 2009 р. N 1231
Київ
Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
Кабінет Міністрів України
постановляє:
1. Затвердити Державну цільову науково-технічну програму "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки (далі - Програма), що додається.
2. Міністерству економіки включати щороку за поданням Міністерства освіти і науки та Національної академії наук визначені Програмою завдання, заходи та показники до розділів проекту Державної програми економічного і соціального розвитку України на відповідний рік.
3. Міністерству освіти і науки та Національній академії наук:
разом з Міністерством фінансів передбачати під час складання проекту Державного бюджету України на відповідний рік кошти для виконання завдань і заходів Програми;
подавати щороку до 15 квітня Кабінетові Міністрів України інформацію про хід виконання Програми.
Прем'єр-міністр України Ю.ТИМОШЕНКО
Інд. 28
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 28 жовтня 2009 р. N 1231
ДЕРЖАВНА ЦІЛЬОВА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
Мета Програми
Метою Програми є створення наноіндустрії шляхом забезпечення розвитку її промислово-технологічної інфраструктури, використання результатів фундаментальних та прикладних досліджень, а також підготовки висококваліфікованих наукових та інженерних кадрів.
Шляхи і способи розв'язання проблеми
Для розв'язання проблеми необхідно:
провести фундаментальні та прикладні дослідження з пріоритетних напрямів, зокрема наноелектроніки, наноінженерії, функціональних і конструкційних наноматеріалів, колоїдних нанотехнологій, нанотехнологій для каталізу та хімічної промисловості, наноматеріалів та нанотехнологій для захисту навколишнього природного середовища, нанотехнологій для енергетики, нанотехнологій спеціального призначення, отримати нові знання щодо особливостей фізичних, хімічних, біологічних і більш складних процесів синтезу та атомного складення наносистем;
розробити нанобіотехнології виготовлення наноматеріалів, пристроїв та приладів медичного призначення, а також для наномедицини, нанофізики, нанохімії, наноматеріалознавства;
забезпечити дослідників сучасним обладнанням, необхідним для виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей;
створити цілісну систему підготовки дослідників, матеріалознавців і технологів, які володіють міждисциплінарними фундаментальними знаннями та вміють працювати на сучасному спеціальному обладнанні;
забезпечити проведення стандартизації та сертифікації наноматеріалів, оскільки на даний час в Україні відсутня система метрологічних вимірювань у діапазоні менш як 1 мікрон, що не дає можливості вимірювати геометричні параметри нанооб'єктів та перевіряти вимірювальне обладнання;
вивчити питання щодо потенційних ризиків шкідливого впливу нанотехнологій та наноматеріалів на людину і навколишнє природне середовище;
розробити план заходів щодо залучення інвестицій для створення наноіндустрії, в якому передбачити можливість звільнення від сплати податків, зборів та інших обов'язкових платежів під час ввезення на митну територію України обладнання, необхідного для виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей, а також утворення підприємств, установ та організацій, діяльність яких пов'язана з впровадженням нанотехнологій.
Прогнозні обсяги і джерела фінансування Програми наведені у додатку 1.
Завдання і заходи
Основними завданнями Програми є:
проведення фундаментальних досліджень з метою розроблення та удосконалення нанотехнологій, створення наносистем, наноструктур, новітньої елементної бази наноелектроніки і нанофотоніки та виготовлення наноматеріалів;
створення:
- технологічної системи виготовлення наноматеріалів, наноструктур та приладів;
- промислово-технологічної інфраструктури наноіндустрії;
- новітньої елементної бази для виготовлення приладів терагерцового діапазону, обладнання шляхом впровадження наноструктур на основі традиційних напівпровідників;
розроблення:
- нанотехнологій для каталізу;
- дослідно-промислових технологій виготовлення нанопорошків, наноматеріалів, зокрема наночастинок, нанотрубок, нанострижнів, нановолокон, нанодротів, а також функціональних консолідованих наноматеріалів і наноматеріалів з аморфно-нанокристалічною структурою, конструкційних наноструктурованих матеріалів з градієнтним та об'ємним зміцненням, нанодисперсних і наноструктурованих люмінесцентних та сцинтиляційних матеріалів;
- нанотехнологій виготовлення легких, міцних і корозійностійких конструкційних матеріалів для машинобудування та аерокосмічної техніки, захисних покриттів різноманітних конструкцій, нанофотокаталізаторів і вивчення фізичних та хімічних процесів з їх використанням, наносорбентів і нанопористих матеріалів, енергозберігаючих пристроїв з урахуванням досягнень оптоелектроніки та фотовольтаїки;
- колоїдних нанотехнологій виготовлення наноматеріалів різного функціонального призначення;
- оптичних джерел випромінювання (лазери і світлодіоди) на основі наноелектронних структур;
- методів виготовлення апаратури для діагностики і сертифікації наноматеріалів та приладів;
- наноконструкцій, що використовуються для підвищення ефективності біологічно активних речовин;
- порядку проведення оцінки впливу нанотехнологій та наноматеріалів на людину і навколишнє природне середовище;
вивчення питання щодо впливу наноматеріалів на біологічні об'єкти;
утворення:
- центру сертифікації наноматеріалів, наноструктур та приладів;
- у вищих навчальних закладах науково-навчальних центрів підготовки та підвищення кваліфікації фахівців галузі нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів.
Завдання і заходи з виконання Програми наведені у додатку 2.
Очікувані результати, ефективність Програми
Виконання Програми дасть змогу:
розробити нанотехнології для хімічної промисловості, енергетики, лікування найпоширеніших і найнебезпечніших хвороб, а також виготовлення біологічно активних речовин та багатофункціональних пристроїв наноелектроніки;
підготувати:
- нормативно-правові акти, стандарти та сертифікати, що регламентують розроблення і впровадження нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів;
- підручники та навчальні посібники для вищих навчальних закладів з питань щодо розроблення нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів;
утворити у вищих навчальних закладах науково-навчальні центри.
Очікувані результати виконання Програми наведені у додатку 3.
Обсяги та джерела фінансування
Орієнтовний обсяг коштів, необхідних для виконання Програми, становить 1847,1 млн. гривень.
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету та інших джерел.
Додаток 1
до Програми
ПАСПОРТ
Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
1. Концепція Програми схвалена розпорядженням Кабінету Міністрів України від 2 квітня 2009 р. N 331.
2. Програма затверджена постановою Кабінету Міністрів України від 28 жовтня 2009 р. N 1231.
3. Державний замовник-координатор - МОН.
4. Державні замовники - МОН та Національна академія наук.
5. Керівники Програми - перший віце-президент Національної академії наук Шпак А.П. та академік Національної академії наук Находкін М.Г.
6. Виконавці заходів Програми - підприємства, установи та організації Національної та галузевих академій наук, МОН, Мінпромполітики, Держінвестицій і його регіональні центри інноваційного розвитку.
7. Строк виконання: 2010-2014 роки.
8. Прогнозні обсяги та джерела фінансування
Джерела
фінансування
Обсяг
фінансування,
млн. гривень
У тому числі за роками
20102011201220132014
Державний бюджет1682,3336,35356,25368,15325,7295,85
Інші джерела164,824,8535,7541,632,829,8
Усього1847,1361,2392409,75358,5325,65
Додаток 2
до Програми
ЗАВДАННЯ І ЗАХОДИ
з виконання Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
Найменування
завдання
Найменування
показника
Значення показникаНайменування заходівГоловний
розпорядник
бюджетних
коштів
Джерела
фінансу-
вання
(держав-
ний,
місцевий
бюджет,
інші)
Прогноз-
ний
обсяг
фінан-
сових
ресур-
сів для
виконан-
ня
завдань,
млн.
гривень
У тому числі за роками
усьо-
го
за роками
2010201120122013201420102011201220132014
Фізика наноструктур
1. Проведення
фундаментальних
фізичних
досліджень з
метою
розроблення
нанотехнологій
та фізичних
основ нових
приладів,
створення
наносистем,
наноструктур та
новітньої
елементної бази
наноелектроніки
і нанофотоніки,
виготовлення
наноматеріалів
кількість
досліджень
4057111161) проведення
досліджень щодо
визначення:
державний
бюджет
фізичного
механізму керованого
формування та
самоорганізації
наночастинок,
наноструктур та
наносистем з метою
розроблення фізичних
основ нанотехнологій
і створення нових
функціональних
наноматеріалів
МОН 71,251,51,51,51,25
Національна
академія
наук
71,251,51,51,51,25
Разом142,53332,5
механічних та
акустичних
властивостей
наноматеріалів та
наноструктур з метою
застосування
наноелектро-
механічних систем
під час розроблення
багатофункціональних
сенсорних технологій
МОН 40,75110,750,5
Національна
академія
наук
40,75110,750,5
Разом81,5221,51
оптичних
властивостей
наноматеріалів та
механізму взаємодії
електромагнітного
випромінювання з
наноструктурами з
метою виготовлення
надшвидкодіючих
нанофотонних та
оптоелектронних
пристроїв,
діагностики і
сертифікації
наноматеріалів
МОН 11,52,252,52,52,252
Національна
академія
наук
11,52,252,52,52,252
Разом234,5554,54
механізму та
процесів маніпуляції
атомами, молекулами
та наночастинками,
зокрема за
допомогою світла,
механічних,
електричних та
магнітних
нанозондів, з метою
розроблення нових
методів прецизійної
та сканувальної
нанодіагностики та
нанотехнологій
МОН 40,75110,750,5
Національна
академія
наук
40,75110,750,5
Разом81,5221,51
надпровідних
наноматеріалів та
наноструктур,
розроблення
наноплівкових
надпровідних
елементів з високою
густиною критичного
струму для
функціональних
застосувань та
фізичних принципів
новітніх квантових
приладів
МОН 40,75110,750,5
Національна
академія
наук
40,75110,750,5
Разом81,5221,51
органічних
наноматеріалів та
молекулярних
нанокомпозитних
структур для систем
відображення,
збереження, обробки
та передачі
інформації, а також
фотоенергетики
МОН 71,251,51,51,51,25
Національна
академія
наук
71,251,51,51,51,25
Разом142,53332,5
надвисокочастотних
електрофізичних
властивостей
напівпровідникових
наноструктур,
емісійних
характеристик
наноструктур з метою
виготовлення
приладів емісійної
наноелектроніки,
розроблення
фізичних принципів
генерації та
детектування
терагерцового
електромагнітного
випромінювання та
наноелектроніки для
комунікаційних і
інформаційних
технологій
МОН 91,75221,751,5
Національна
академія
наук
91,75221,751,5
Разом183,5443,53
2) вивчення
магнітних
властивостей
наноматеріалів і
наноструктур з метою
їх застосування у
спінтроніці та
нанорозмірних
елементах пам'яті
для інформаційних
технологій
державний
бюджет
МОН 40,75110,750,5
Національна
академія
наук
40,75110,750,5
Разом81,5221,51
Разом за напрямом "Фізика наноструктур" -"-1011923232016
у тому числіМОН 50,59,511,511,5108
Національна
академія
наук
50,59,511,511,5108
Технології напівпровідникових наноструктур
2. Розроблення
технологій
отримання
напівпровід-
никових
наноструктур
кількість
розроблених
нанотехнологій
4 11111) проведення
досліджень щодо
процесів формування
наноструктурованих
об'єктів на поверхні
напівпровідників
2 6
А В методами
хімічного травлення
та синтезу
нанорозмірних
напівпровідникових
матеріалів хімічним
способом
державний
бюджет
МОН 1,80,40,40,50,30,2
Національна
академія
наук
1,80,40,40,50,30,2
Разом3,60,80,810,60,4
2) розроблення: -"-
-"-3 111 нанотехнологій
отримання методом
молекулярно-
променевої епітаксії
нанорозмірних
структур (квантових
точок Ge на Si і
SiOx, вертикально
інтегрованих систем
квантових точок
тощо) та проведення
досліджень їх
оптичних і
електрофізичних
властивостей для
виготовлення на їх
основі елементів
сонячних батарей,
фотоприймачів
інфрачервоного
діапазону та
елементів пам'яті
МОН 2,80,60,60,60,50,5
Національна
академія
наук
2,80,60,60,60,50,5
Разом5,61,21,21,211
кількість
розроблених
методів
6 1221лазерних методів
формування та
модифікації
наноструктур
елементарних
напівпровідників та
благородних металів
з керованими
оптичними та
люмінесцентними
властивостями
МОН 1,80,40,50,40,30,2
Національна
академія
наук
1,80,40,50,40,30,2
Разом3,60,810,80,60,4
кількість
розроблених
нанотехнологій
2 11нанотехнологій
створення
нанорозмірних
германієвих структур
на підкладках GaAs
та Si для
виготовлення на їх
основі електронних
приладів
МОН 1,20,30,30,30,20,1
Національна
академія
наук
1,20,30,30,30,20,1
Разом2,40,60,60,60,40,2
кількість
розроблених
методів
7 2221методів
створення джерел
випромінювання
надвисокої частоти у
терагерцовому
діапазоні на основі
напівпровідникових
3 5
структур А В з
наноструктурними
буферними шарами і
структурованими
дифузійними
бар'єрами
МОН 1,50,350,350,350,250,2
Національна
академія
наук
1,50,350,350,350,250,2
Разом30,70,70,70,50,4
-"-3111 методів
ефективного
нанолітографічного,
в тому числі
інтерференційного,
створення
наноструктур
МОН 1,50,350,350,350,250,2
Національна
академія
наук
1,50,350,350,350,250,2
Разом30,70,70,70,50,4
кількість
розроблених
нанотехнологій
3 111 високоефективних
низькотемпературних
плазмових
нанотехнологій
створення
наноструктурованих
шарів карбіду
кремнію для захисту
поверхні
високовольтних
діодів типу 4HSiC
НВЧ pin
МОН 1,50,30,30,30,30,3
Національна
академія
наук
1,50,30,30,30,30,3
Разом30,60,60,60,60,6
-"-2 11нанотехнологій
створення
наноструктур методом
сканувальної
зондової мікроскопії
з електропровідним
алмазним вістрям
МОН 1,50,30,30,30,30,3
Національна
академія
наук
1,50,30,30,30,30,3
Разом30,60,60,60,60,6
-"-511111нанотехнологій
виготовлення та
дослідження
властивостей
нанопорошків ітрій-
алюмінієвих гранатів
та перовскитів,
активованих
рідкісноземельними
та перехідними
іонами, та створення
на їх основі
нанокерамічних
матеріалів для
пристроїв
оптоелектроніки
нового покоління
МОН 1,50,30,30,30,30,3
Національна
академія
наук
1,50,30,30,30,30,3
Разом30,60,60,60,60,6
-"-3 111нанотехнологій
компонентів
наноелектронних
приладів на основі
групи тринітридів
МОН 1,750,350,350,350,350,35
Національна
академія
наук
1,750,350,350,350,350,35
Разом3,50,70,70,70,70,7
-"-2 11нанотехнологій
створення
епітаксійних
структур для діодів
Гана на основі
3 5
сполук А В із
застосуванням
глибокої очистки
джерела методом
парофазної епітаксії
МОН 1,50,30,30,30,30,3
Національна
академія
наук
1,50,30,30,30,30,3
Разом30,60,60,60,60,6
-"-3 111нанотехнологій
виготовлення
наноструктурованих
кремній-
карбонізованих
матеріалів та
розроблення на їх
основі
світловипромінюючих
елементів у широкому
діапазоні довжини
хвиль
МОН 20,40,40,40,40,4
Національна
академія
наук
20,40,40,40,40,4
Разом40,80,80,80,80,8
кількість
розроблених
програмних
продуктів
811222програмних
продуктів нового
покоління для
використання під час
технологічних
процесів
МОН 1,350,20,250,2750,30,325
Національна
академія
наук
1,350,20,250,2750,30,325
Разом2,70,40,50,550,60,65
кількість
розроблених
нанотехнологій
1022222нанотехнологій
об'ємних
нанокристалічних
матеріалів для
кріогенної і
аерокосмічної
техніки, машино- і
авіабудування та
впровадження їх у
дослідне виробництво
МОН 20,40,40,40,40,4
Національна
академія
наук
20,40,40,40,40,4
Разом40,80,80,80,80,8
-"-2 11 економічних
нанотехнологій
формування
багатошарових
резонансно-тунельних
структур
"діелектрик -
нанокластер -
"діелектрик" з
урахуванням принципу
керованої
самоорганізації
МОН 1,50,30,30,30,30,3
Національна
академія
наук
1,50,30,30,30,30,3
Разом30,60,60,60,60,6
-"-1 1 нітридних сполук
елементів третьої
групи з
використанням
технології радикало-
променевої епітаксії
МОН 1,20,30,30,30,20,1
Національна
академія
наук
1,20,30,30,30,20,1
Разом2,40,60,60,60,40,2
кількість
розроблених
методів
5111113) виготовлення
функціональних
біонаноматеріалів
для адаптивних
сенсорних систем та
їх використання під
час проведення
моніторингу
високотехнологічних
процесів у
біотехнології,
медицині та
навколишньому
природному
середовищі
державний
бюджет
МОН 1,20,30,30,30,20,1
Національна
академія
наук
1,20,30,30,30,20,1
Разом 2,40,60,60,60,40,2
Разом за завданням 2 -"-55,211,71212,0510,39,15
у тому числіМОН 27,65,8566,0255,154,575
Національна
академія
наук
27,65,8566,0255,154,575
3. Створення та
впровадження у
виробництво
новітньої
елементної бази
приладів для
терагерцового
діапазону
шляхом
створення
наноструктур
на основі
традиційних
напівпровід-
ників та
наноматеріалів
кількість
розроблених
нанотехнологій
1) розроблення:
1311353нанотехнологій
виготовлення систем
і обладнання для
діапазону частот
200-600 ГГц та
впровадження їх у
виробництво
МОНдержавний
бюджет
70,551,251,71,81,7
Національна
академія
наук
державний
бюджет
70,551,251,71,81,7
інші
джерела
4 0,611,21,2
Разом181,13,14,44,84,6
у тому числідержавний
бюджет
141,12,53,43,63,4
інші
джерела
4 0,611,21,2
2 11 нанотехнологій
виготовлення
потужних джерел
випромінювання у
терагерцевому
діапазоні на основі
міждолинного
переносу носіїв
заряду в
багатошарових
наноструктурах на
основі тринітридів
МОНдержавний
бюджет
20,20,450,450,450,45
Національна
академія
наук
державний
бюджет
20,20,450,450,450,45
інші
джерела
1 0,10,30,30,3
Разом50,411,21,21,2
у тому числідержавний
бюджет
40,40,90,90,90,9
інші
джерела
1 0,10,30,30,3
4 121мембранних
нанотехнологій
створення елементної
бази джерел
випромінювання у
терагерцовому
діапазоні частот як
елементів
інтегральних схем на
основі високоомних
наноструктурованих
шарів карбіду
кремнію
державний
бюджет
МОН 20,20,450,450,450,45
Національна
академія
наук
20,20,450,450,450,45
Разом40,40,90,90,90,9
1 1 широкодіапазонного
рефлектометра для
вимірювання
параметрів
наноструктурних
діелектричних
матеріалів і
біологічних
середовищ у
терагерцовому
діапазоні із
застосуванням лампи
зворотної хвилі і
низькобар'єрних
напівпровідникових
структур
державний
бюджет
МОН 1,30,450,450,4
Національна
академія
наук
1,30,450,450,4
Разом2,60,90,90,8
2) розроблення та
впровадження:
кількість
розроблених
типономіналів
активних
елементів і
функціональних
модулів
терагерцового
діапазону
5 1112нанотехнологій
виготовлення
високоефективних
фосфід-індієвих
діодів Гана для
терагерцового
діапазону на основі
епітаксійних
структур з
вбудованими
буферними
"еластичними"
нанопористими шарами
і катодними
контактами, які
випромінюють
"гарячі" електрони
МОНдержавний
бюджет
20,20,450,450,450,45
Національна
академія
наук
державний
бюджет
20,20,450,450,450,45
інші
джерела
20,30,40,60,40,3
Разом60,71,31,51,31,2
у тому числідержавний
бюджет
40,40,90,90,90,9
інші
джерела
20,30,40,60,40,3
кількість
розроблених
типономіналів
активних
елементів
терагерцового
діапазону
711113нанотехнологій
виготовлення
потужних
транзисторів
надвисоких частот
(4-10 ГГц) з
використанням
наноструктурованих
епітаксійних шарів
нітриду галію та
твердих розчинів на
його основі
МОНдержавний
бюджет
2,50,10,50,50,70,7
Національна
академія
наук
державний
бюджет
2,50,10,10,50,70,7
інші
джерела
3 0,50,511
Разом80,21,51,52,42,4
у тому числідержавний
бюджет
500,2111,41,4
інші
джерела
3 0,50,511
кількість
розроблених
типономіналів
активних
елементів
терагерцового
діапазону
3) створення: державний
бюджет
2 11 напівпровідникових
наноструктур з
розподіленими
параметрами в
терагерцовому
діапазоні та
виготовлення на їх
основі джерел і
підсилювачів з
підвищеною вихідною
потужністю
МОН 1,5 0,750,75
Національна
академія
наук
1,5 0,750,75
Разом3 1,51,5
2 11 джерел
електромагнітних
коливань
терагерцового
діапазону на основі
3 5
сполук нітридів А В
та їх гетероструктур
МОН 10,30,350,35
Національна
академія
наук
10,30,350,35
Разом20,60,70,7
-"-

1


1
4) виготовлення:
двоканального
радіометричного
приймача з активним
підсвічуванням з
використанням
активних і пасивних
напівпровідникових
наноструктр для
генерації та
детектування
сигналів у
довгохвильовій
частині
терагерцового
діапазону
МОНдержавний
бюджет
1,5 0,50,50,5
Національна
академія
наук
державний
бюджет
1,5 0,50,50,5
інші
джерела
0,50,10,10,10,10,1
Разом3,50,10,11,11,11,1
у тому числідержавний
бюджет
3 111
інші
джерела
0,50,10,10,10,10,1
4 22 пристроїв
керування амплітудою
сигналів у діапазоні
частот
200-400 ГГц
державний
бюджет
МОН 0,80,30,250,25
Національна
академія
наук
0,80,30,250,25
Разом1,60,60,50,5
Разом за завданням 353,7511,514,111,711,4
у тому числіМОНдержавний
бюджет
21,62,34,95,84,354,25
Національна
академія
наук
державний
бюджет
21,62,34,95,84,354,25
інші
джерела
10,50,41,72,532,9
4. Виготовлення
наноматеріалів,
компонентів та
електронних
датчиків для
приладо- та
машинобудування,
біотехно-
логічного і
фармацевтичного
виробництва
кількість
розроблених
нанотехнологій
3 11 11) виготовлення та
впровадження у
виробництво захисних
покриттів на основі
високоомних
наноструктурованих
шарів карбіду
кремнію для
забезпечення
високого рівня
надійності
твердотільних
потужних приладів
для діапазону
надвисоких частот
МОНдержавний
бюджет
1,50,10,350,350,350,35
Національна
академія
наук
державний
бюджет
1,50,10,350,350,350,35
інші
джерела
0,5 0,10,10,20,1
Разом3,50,20,80,80,90,8
у тому числідержавний
бюджет
30,20,70,70,70,7
інші
джерела
0,5 0,10,10,20,1
-"-2 1 12) розроблення
нанотехнологій
виготовлення
елементів
потужних комутуючих
інтегральних схем
сантиметрового і
міліметрового
діапазону на основі
наноструктурованих
шарів високоомного
карбіду кремнію
державний
бюджет
МОН 10,050,20,250,250,25
Національна
академія
наук
10,050,20,250,250,25
Разом20,10,40,50,50,5
-"-



4




1




1




2
3) розроблення та
впровадження у
виробництво:
нанотехнологій
виготовлення
високостабільних
багатофункціональних
високотемпературних
сенсорів на основі
наноструктурованих
шарів карбіду
кремнію
державний
бюджет
МОН 10,050,20,250,250,25
Національна
академія
наук
10,050,20,250,250,25
Разом 20,10,40,50,50,5
3 111високоефективних
плазмових
нанотехнологій
формування
наноструктурованих
шарів нітридів
алюмінію та бору для
захисту поверхні
активних елементів
для діапазону
надвисоких частот
МОНдержавний
бюджет
10,050,20,250,250,25
Національна
академія
наук
державний
бюджет
10,050,20,250,250,25
інші
джерела
0,5 0,10,30,1
Разом2,50,10,50,80,60,5
у тому числідержавний
бюджет
20,10,40,50,50,5
інші
джерела
0,5 0,10,30,1
Разом за завданням 4 100,52,12,62,52,3
у тому числіМОНдержавний
бюджет
4,50,250,951,11,11,1
Національна
академія
наук
державний
бюджет
4,50,250,951,11,11,1
інші
джерела
1 0,20,40,30,1
Разом за напрямом "Технології напівпровідникових наноструктур"118,917,225,628,7524,522,85
у тому числіМОНдержавний
бюджет
53,78,411,8512,92510,69,925
Національна
академія
наук
державний
бюджет
53,78,411,8512,92510,69,925
інші
джерела
11,50,41,92,93,33
Діагностика наноструктур
5. Розроблення
методів
виготовлення
апаратури для
діагностики та
сертифікації
наноматеріалів,
наноструктур
кількість
розроблених
методів
1) розроблення
методів:
державний
бюджет
2746656виготовлення
апаратури для
проведення
високороздільної
нанозондової,
електронно-
мікроскопічної,
електронно-
спектроскопічної,
рентгенівської,
оптичної,
масспектрометричної,
акустичної,
електрофізичної,
магнітної та
високочастотної
діагностики
наноматеріалів,
наноструктур та
аморфних сплавів
МОН 2154444
Національна
академія
наук
54121212108
Разом751716161412
1533333субмікронного
топографування та
проведення
паспортизації
хімічного складу,
структурної
досконалості,
електрофізичних
параметрів та
розподілу механічних
напружень у
наноструктурах
електроніки і
оптоелектроніки
МОН 722111
Національна
академія
наук
16,52,52,52,53,55,5
Разом23,54,54,53,54,56,5
1022222надчутливої
поверхнево-
підсиленої
діагностики
молекулярних,
біологічних і
колоїдних наносистем
для потреб каталізу,
медицини,
фармакології та
захисту
навколишнього
природного
середовища
Національна
академія
наук
7,51,51,51,51,51,5
1433323нанозондової
літографії та
наноманіпуляцій для
наноелектроніки і
нанобіосенсорики
(наноструктур та їх
об'єднання з
мікроструктурами,
створеними
електронно-зондовою
літографією та
фотолітографією)
МОН 2,50,50,50,50,50,5
Національна
академія
наук
2,50,50,50,50,50,5
Разом511111
1634333діагностики
деградаційних
процесів та
прогнозування
надійності
наноструктурованих
матеріалів і
нанорозмірних
структур у разі їх
використання в
екстремальних умовах
МОН 12,52,52,52,52,52,5
Національна
академія
наук
24,54,54,54,55,55,5
Разом3777788
Разом за завданням 5 державний
бюджет
1483130292929
у тому числіМОН 43109888
Національна
академія
наук
1052121212121
6. Утворення
центру
сертифікації
наноматеріалів,
наноструктур та
приладів, у
тому числі для
забезпечення
екологічної
безпеки
кількість
утворених
підрозділів
1) утворення
підрозділів:
-"-
61221 сканувальної
зондової мікроскопії
МОН 1,510,5
Національна
академія
наук
1,510,5
Разом321
11 високороздільної
рентгенівської
дифрактометрії
Національна
академія
наук
1 1
2 2 дифузно-
динамічної
комбінованої
дифрактометрії
-"- 1032212
1 1 раманівсько-
люмінесцентної
субмікронної
спектроскопії
-"- 1 1
1 1 масспектро-
метричного аналізу
МОН 1,50,50,50,5
Національна
академія
наук
1,50,50,50,5
Разом2,50,50,51,5
1 1 вимірювального
комплексу
експресного контролю
напівпровідникових
матеріалів і
нанорозмірних
приладів
МОН 1 0,50,5
Національна
академія
наук
1 0,50,5
Разом2 11
Разом за завданням 6 державний
бюджет
19,55,56,54,512
у тому числіМОН 41,51,51
Національна
академія
наук
15,5453,512
Разом за напрямном "Діагностика наноструктур" -"-167,536,536,533,53031
у тому числіМОН 4711,510,5988
Національна
академія
наук
120,5252624,52223
Наноматеріали
7. Розроблення
дослідно-
промислових
технологій
виготовлення
нанопорошків
кількість
дослідно-
промислових
технологій
розроблення
дослідно-промислових
технологій:
-"-
2666644синтезу
нанопорошків металів
та сплавів, у тому
числі порошків
тугоплавких сполук
(карбідів, нітридів,
боридів, силіцидів)
для конструкційних
наноструктурованих
матеріалів
МОН 143332,52,5
Національна
академія
наук
143332,52,5
Разом2866655
2555555синтезу
нанопорошків простих
оксидів та складних
оксидних фаз для
виготовлення
наноструктурованих
матеріалів та
приладів пасивної
електроніки
МОН 12,52,52,52,52,52,5
Національна
академія
наук
12,52,52,52,52,52,5
Разом2555555
511111синтезу
нанопорошків
халькогенідів для
мастил та іонних
провідників
МОН 1,750,350,350,350,350,35
Національна
академія
наук
1,750,350,350,350,350,35
Разом3,50,70,70,70,70,7
1533333синтезу
нанопорошків
надтвердих фаз і фаз
високого тиску
МОН 3,750,750,750,750,750,75
Національна
академія
наук
3,750,750,750,750,750,75