КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 28 жовтня 2009 р. N 1231 Київ |
Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
( Із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
Кабінет Міністрів України
постановляє:
1. Затвердити Державну цільову науково-технічну програму "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки (далі - Програма), що додається.
2. Міністерству економічного розвитку і торгівлі включати щороку за поданням Державного агентства з питань науки, інновацій та інформатизації та Національної академії наук визначені Програмою завдання, заходи та показники до розділів проекту Державної програми економічного і соціального розвитку України на відповідний рік.
( Пункт 2 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
3. Державному агентству з питань науки, інновацій та інформатизації та Національній академії наук:
( Абзац перший пункту 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
разом з Міністерством фінансів передбачати під час складання проекту Державного бюджету України на відповідний рік кошти для виконання завдань і заходів Програми;
подавати щороку до 15 квітня Кабінетові Міністрів України інформацію про хід виконання Програми.
Прем'єр-міністр України | Ю.ТИМОШЕНКО |
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 28 жовтня 2009 р. N 1231
ДЕРЖАВНА ЦІЛЬОВА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
Мета Програми
Метою Програми є створення наноіндустрії шляхом забезпечення розвитку її промислово-технологічної інфраструктури, використання результатів фундаментальних та прикладних досліджень, а також підготовки висококваліфікованих наукових та інженерних кадрів.
Шляхи і способи розв'язання проблеми
Для розв'язання проблеми необхідно:
провести фундаментальні та прикладні дослідження з пріоритетних напрямів, зокрема наноелектроніки, наноінженерії, функціональних і конструкційних наноматеріалів, колоїдних нанотехнологій, нанотехнологій для каталізу та хімічної промисловості, наноматеріалів та нанотехнологій для захисту навколишнього природного середовища, нанотехнологій для енергетики, нанотехнологій спеціального призначення, отримати нові знання щодо особливостей фізичних, хімічних, біологічних і більш складних процесів синтезу та атомного складення наносистем;
розробити нанобіотехнології виготовлення наноматеріалів, пристроїв та приладів медичного призначення, а також для наномедицини, нанофізики, нанохімії, наноматеріалознавства;
забезпечити дослідників сучасним обладнанням, необхідним для виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей;
створити цілісну систему підготовки дослідників, матеріалознавців і технологів, які володіють міждисциплінарними фундаментальними знаннями та вміють працювати на сучасному спеціальному обладнанні;
забезпечити проведення стандартизації та сертифікації наноматеріалів, оскільки на даний час в Україні відсутня система метрологічних вимірювань у діапазоні менш як 1 мікрон, що не дає можливості вимірювати геометричні параметри нанооб'єктів та перевіряти вимірювальне обладнання;
вивчити питання щодо потенційних ризиків шкідливого впливу нанотехнологій та наноматеріалів на людину і навколишнє природне середовище;
розробити план заходів щодо залучення інвестицій для створення наноіндустрії, в якому передбачити можливість звільнення від сплати податків, зборів та інших обов'язкових платежів під час ввезення на митну територію України обладнання, необхідного для виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей, а також утворення підприємств, установ та організацій, діяльність яких пов'язана з впровадженням нанотехнологій.
Прогнозні обсяги і джерела фінансування Програми наведені у додатку 1.
Завдання і заходи
Основними завданнями Програми є:
проведення фундаментальних досліджень з метою розроблення та удосконалення нанотехнологій, створення наносистем, наноструктур, новітньої елементної бази наноелектроніки і нанофотоніки та виготовлення наноматеріалів;
створення:
- технологічної системи виготовлення наноматеріалів, наноструктур та приладів;
- промислово-технологічної інфраструктури наноіндустрії;
- новітньої елементної бази для виготовлення приладів терагерцового діапазону, обладнання шляхом впровадження наноструктур на основі традиційних напівпровідників;
розроблення:
- нанотехнологій для каталізу;
- дослідно-промислових технологій виготовлення нанопорошків, наноматеріалів, зокрема наночастинок, нанотрубок, нанострижнів, нановолокон, нанодротів, а також функціональних консолідованих наноматеріалів і наноматеріалів з аморфно-нанокристалічною структурою, конструкційних наноструктурованих матеріалів з градієнтним та об'ємним зміцненням, нанодисперсних і наноструктурованих люмінесцентних та сцинтиляційних матеріалів;
- нанотехнологій виготовлення легких, міцних і корозійностійких конструкційних матеріалів для машинобудування та аерокосмічної техніки, захисних покриттів різноманітних конструкцій, нанофотокаталізаторів і вивчення фізичних та хімічних процесів з їх використанням, наносорбентів і нанопористих матеріалів, енергозберігаючих пристроїв з урахуванням досягнень оптоелектроніки та фотовольтаїки;
- колоїдних нанотехнологій виготовлення наноматеріалів різного функціонального призначення;
- оптичних джерел випромінювання (лазери і світлодіоди) на основі наноелектронних структур;
- методів виготовлення апаратури для діагностики і сертифікації наноматеріалів та приладів;
- наноконструкцій, що використовуються для підвищення ефективності біологічно активних речовин;
- порядку проведення оцінки впливу нанотехнологій та наноматеріалів на людину і навколишнє природне середовище;
вивчення питання щодо впливу наноматеріалів на біологічні об'єкти;
утворення:
- центру сертифікації наноматеріалів, наноструктур та приладів;
- у вищих навчальних закладах науково-навчальних центрів підготовки та підвищення кваліфікації фахівців галузі нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів.
Завдання і заходи з виконання Програми наведені у додатку 2.
Очікувані результати, ефективність Програми
Виконання Програми дасть змогу:
розробити нанотехнології для хімічної промисловості, енергетики, лікування найпоширеніших і найнебезпечніших хвороб, а також виготовлення біологічно активних речовин та багатофункціональних пристроїв наноелектроніки;
підготувати:
- нормативно-правові акти, стандарти та сертифікати, що регламентують розроблення і впровадження нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів;
- підручники та навчальні посібники для вищих навчальних закладів з питань щодо розроблення нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів;
утворити у вищих навчальних закладах науково-навчальні центри.
Очікувані результати виконання Програми наведені у додатку 3.
Обсяги та джерела фінансування
Орієнтовний обсяг коштів, необхідних для виконання Програми, становить 1847,1 млн. гривень.
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету та інших джерел.
Додаток 1
до Програми
ПАСПОРТ
Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
1. Концепція Програми схвалена розпорядженням Кабінету Міністрів України від 2 квітня 2009 р.
N 331.
2. Програма затверджена постановою Кабінету Міністрів України від 28 жовтня 2009 р. N 1231.
3. Державний замовник-координатор - Держінформнауки.
( Пункт 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
4. Державні замовники - Держінформнауки та Національна академія наук.
( Пункт 4 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
5. Керівники Програми - перший віце-президент Національної академії наук Шпак А.П. та академік Національної академії наук Находкін М.Г.
6. Виконавці заходів Програми - підприємства, установи та організації національних академій, МОНмолодьспорт, Агентство держмайна, Держінвестпроект і його регіональні центри інноваційного розвитку.
( Пункт 6 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
7. Строк виконання: 2010-2014 роки.
8. Прогнозні обсяги та джерела фінансування
Джерела фінансування | Обсяг фінансування, млн. гривень | У тому числі за роками |
2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 |
Державний бюджет | 1682,3 | 336,35 | 356,25 | 368,15 | 325,7 | 295,85 |
Інші джерела | 164,8 | 24,85 | 35,75 | 41,6 | 32,8 | 29,8 |
Усього | 1847,1 | 361,2 | 392 | 409,75 | 358,5 | 325,65 |
( Додаток 1 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ
N 750 від 13.07.2011 )
Додаток 2
до Програми
ЗАВДАННЯ І ЗАХОДИ
з виконання Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
Найменування завдання | Найменування показника | Значення показника | Найменування заходів | Головний розпорядник бюджетних коштів | Джерела фінансу- вання (держав- ний, місцевий бюджет, інші) | Прогноз- ний обсяг фінан- сових ресур- сів для виконан- ня завдань, млн. гривень | У тому числі за роками |
усьо- го | за роками |
2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 |
Фізика наноструктур |
1. Проведення фундаментальних фізичних досліджень з метою розроблення нанотехнологій та фізичних основ нових приладів, створення наносистем, наноструктур та новітньої елементної бази наноелектроніки і нанофотоніки, виготовлення наноматеріалів | кількість досліджень | 40 | 5 | 7 | 11 | 11 | 6 | 1) проведення досліджень щодо визначення: | | державний бюджет | | | | | | |
фізичного механізму керованого формування та самоорганізації наночастинок, наноструктур та наносистем з метою розроблення фізичних основ нанотехнологій і створення нових функціональних наноматеріалів | Держінформ- науки | | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 |
Національна академія наук | | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 |
Разом | 14 | 2,5 | 3 | 3 | 3 | 2,5 |
механічних та акустичних властивостей наноматеріалів та наноструктур з метою застосування наноелектро- механічних систем під час розроблення багатофункціональних сенсорних технологій | Держінформ- науки | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Національна академія наук | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 |
оптичних властивостей наноматеріалів та механізму взаємодії електромагнітного випромінювання з наноструктурами з метою виготовлення надшвидкодіючих нанофотонних та оптоелектронних пристроїв, діагностики і сертифікації наноматеріалів | Держінформ- науки | | 11,5 | 2,25 | 2,5 | 2,5 | 2,25 | 2 |
Національна академія наук | | 11,5 | 2,25 | 2,5 | 2,5 | 2,25 | 2 |
Разом | 23 | 4,5 | 5 | 5 | 4,5 | 4 |
механізму та процесів маніпуляції атомами, молекулами та наночастинками, зокрема за допомогою світла, механічних, електричних та магнітних нанозондів, з метою розроблення нових методів прецизійної та сканувальної нанодіагностики та нанотехнологій | Держінформ- науки | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Національна академія наук | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 |
надпровідних наноматеріалів та наноструктур, розроблення наноплівкових надпровідних елементів з високою густиною критичного струму для функціональних застосувань та фізичних принципів новітніх квантових приладів | Держінформ- науки | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Національна академія наук | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 |
органічних наноматеріалів та молекулярних нанокомпозитних структур для систем відображення, збереження, обробки та передачі інформації, а також фотоенергетики | Держінформ- науки | | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 |
Національна академія наук | | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 |
Разом | 14 | 2,5 | 3 | 3 | 3 | 2,5 |
надвисокочастотних електрофізичних властивостей напівпровідникових наноструктур, емісійних характеристик наноструктур з метою виготовлення приладів емісійної наноелектроніки, розроблення фізичних принципів генерації та детектування терагерцового електромагнітного випромінювання та наноелектроніки для комунікаційних і інформаційних технологій | Держінформ- науки | | 9 | 1,75 | 2 | 2 | 1,75 | 1,5 |
Національна академія наук | | 9 | 1,75 | 2 | 2 | 1,75 | 1,5 |
Разом | 18 | 3,5 | 4 | 4 | 3,5 | 3 |
2) вивчення магнітних властивостей наноматеріалів і наноструктур з метою їх застосування у спінтроніці та нанорозмірних елементах пам'яті для інформаційних технологій | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Національна академія наук | | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75 | 0,5 |
Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 |
Разом за напрямом "Фізика наноструктур" | | -"- | 101 | 19 | 23 | 23 | 20 | 16 |
у тому числі | Держінформ- науки | | 50,5 | 9,5 | 11,5 | 11,5 | 10 | 8 |
Національна академія наук | | 50,5 | 9,5 | 11,5 | 11,5 | 10 | 8 |
Технології напівпровідникових наноструктур |
2. Розроблення технологій отримання напівпровід- никових наноструктур | кількість розроблених нанотехнологій | 4 | | 1 | 1 | 1 | 1 | 1) проведення досліджень щодо процесів формування наноструктурованих об'єктів на поверхні напівпровідників 2 6 А В методами хімічного травлення та синтезу нанорозмірних напівпровідникових матеріалів хімічним способом | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 1,8 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,3 | 0,2 |
Національна академія наук | | 1,8 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,3 | 0,2 |
Разом | 3,6 | 0,8 | 0,8 | 1 | 0,6 | 0,4 |
2) розроблення: | | -"- | | | | | | |
-"- | 3 | | 1 | 1 | 1 | | нанотехнологій отримання методом молекулярно- променевої епітаксії нанорозмірних структур (квантових точок Ge на Si і SiOx, вертикально інтегрованих систем квантових точок тощо) та проведення досліджень їх оптичних і електрофізичних властивостей для виготовлення на їх основі елементів сонячних батарей, фотоприймачів інфрачервоного діапазону та елементів пам'яті | Держінформ- науки | | 2,8 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,5 | 0,5 |
Національна академія наук | | 2,8 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,5 | 0,5 |
Разом | 5,6 | 1,2 | 1,2 | 1,2 | 1 | 1 |
кількість розроблених методів | 6 | | 1 | 2 | 2 | 1 | лазерних методів формування та модифікації наноструктур елементарних напівпровідників та благородних металів з керованими оптичними та люмінесцентними властивостями | Держінформ- науки | | 1,8 | 0,4 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,2 |
Національна академія наук | | 1,8 | 0,4 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,2 |
Разом | 3,6 | 0,8 | 1 | 0,8 | 0,6 | 0,4 |
кількість розроблених нанотехнологій | 2 | | | | 1 | 1 | нанотехнологій створення нанорозмірних германієвих структур на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів | Держінформ- науки | | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 |
Національна академія наук | | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 |
Разом | 2,4 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,4 | 0,2 |
кількість розроблених методів | 7 | | 2 | 2 | 2 | 1 | методів створення джерел випромінювання надвисокої частоти у терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових 3 5 структур А В з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 |
Разом | 3 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,5 | 0,4 |
-"- | 3 | 1 | 1 | 1 | | | методів ефективного нанолітографічного, в тому числі інтерференційного, створення наноструктур | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 |
Разом | 3 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,5 | 0,4 |
кількість розроблених нанотехнологій | 3 | | 1 | 1 | 1 | | високоефективних низькотемпературних плазмових нанотехнологій створення наноструктурованих шарів карбіду кремнію для захисту поверхні високовольтних діодів типу 4HSiC НВЧ pin | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 |
-"- | 2 | | | | 1 | 1 | нанотехнологій створення наноструктур методом сканувальної зондової мікроскопії з електропровідним алмазним вістрям | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 |
-"- | 5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | нанотехнологій виготовлення та дослідження властивостей нанопорошків ітрій- алюмінієвих гранатів та перовскитів, активованих рідкісноземельними та перехідними іонами, та створення на їх основі нанокерамічних матеріалів для пристроїв оптоелектроніки нового покоління | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 |
-"- | 3 | | | 1 | 1 | 1 | нанотехнологій компонентів наноелектронних приладів на основі групи тринітридів | Держінформ- науки | | 1,75 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 |
Національна академія наук | | 1,75 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 |
Разом | 3,5 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,7 |
-"- | 2 | | | | 1 | 1 | нанотехнологій створення епітаксійних структур для діодів Гана на основі 3 5 сполук А В із застосуванням глибокої очистки джерела методом парофазної епітаксії | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 |
-"- | 3 | | | 1 | 1 | 1 | нанотехнологій виготовлення наноструктурованих кремній- карбонізованих матеріалів та розроблення на їх основі світловипромінюючих елементів у широкому діапазоні довжини хвиль | Держінформ- науки | | 2 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
Національна академія наук | | 2 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
Разом | 4 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 |
кількість розроблених програмних продуктів | 8 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 | програмних продуктів нового покоління для використання під час технологічних процесів | Держінформ- науки | | 1,35 | 0,2 | 0,25 | 0,275 | 0,3 | 0,325 |
Національна академія наук | | 1,35 | 0,2 | 0,25 | 0,275 | 0,3 | 0,325 |
Разом | 2,7 | 0,4 | 0,5 | 0,55 | 0,6 | 0,65 |
кількість розроблених нанотехнологій | 10 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | нанотехнологій об'ємних нанокристалічних матеріалів для кріогенної і аерокосмічної техніки, машино- і авіабудування та впровадження їх у дослідне виробництво | Держінформ- науки | | 2 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
Національна академія наук | | 2 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
| | | | | | | |
Разом | 4 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 |
-"- | 2 | | | 1 | 1 | | економічних нанотехнологій формування багатошарових резонансно-тунельних структур "діелектрик - нанокластер - "діелектрик" з урахуванням принципу керованої самоорганізації | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 |
-"- | 1 | | | | 1 | | нітридних сполук елементів третьої групи з використанням технології радикало- променевої епітаксії | Держінформ-| | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 науки |
Національна академія наук | | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 |
Разом | 2,4 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,4 | 0,2 |
кількість розроблених методів | 5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 3) виготовлення функціональних біонаноматеріалів для адаптивних сенсорних систем та їх використання під час проведення моніторингу високотехнологічних процесів у біотехнології, медицині та навколишньому природному середовищі | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 |
Національна академія наук | | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 |
Разом | | | 2,4 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,4 | 0,2 |
Разом за завданням 2 | | -"- | 55,2 | 11,7 | 12 | 12,05 | 10,3 | 9,15 |
у тому числі | Держінформ- науки | | 27,6 | 5,85 | 6 | 6,025 | 5,15 | 4,575 |
Національна академія наук | | 27,6 | 5,85 | 6 | 6,025 | 5,15 | 4,575 |
3. Створення та впровадження у виробництво новітньої елементної бази приладів для терагерцового діапазону шляхом створення наноструктур на основі традиційних напівпровід- ників та наноматеріалів | кількість розроблених нанотехнологій | | | | | | | 1) розроблення: | | | | | | | | |
13 | 1 | 1 | 3 | 5 | 3 | нанотехнологій виготовлення систем і обладнання для діапазону частот 200-600 ГГц та впровадження їх у виробництво | Держінформ- науки | державний бюджет | 7 | 0,55 | 1,25 | 1,7 | 1,8 | 1,7 |
Національна академія наук | державний бюджет | 7 | 0,55 | 1,25 | 1,7 | 1,8 | 1,7 |
інші джерела | 4 | | 0,6 | 1 | 1,2 | 1,2 |
Разом | 18 | 1,1 | 3,1 | 4,4 | 4,8 | 4,6 |
у тому числі | державний бюджет | 14 | 1,1 | 2,5 | 3,4 | 3,6 | 3,4 |
інші джерела | 4 | | 0,6 | 1 | 1,2 | 1,2 |
2 | | | 1 | 1 | | нанотехнологій виготовлення потужних джерел випромінювання у терагерцевому діапазоні на основі міждолинного переносу носіїв заряду в багатошарових наноструктурах на основі тринітридів | Держінформ- науки | державний бюджет | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
Національна академія наук | державний бюджет | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
інші джерела | 1 | | 0,1 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
Разом | 5 | 0,4 | 1 | 1,2 | 1,2 | 1,2 |
у тому числі | державний бюджет | 4 | 0,4 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 |
інші джерела | 1 | | 0,1 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
4 | | | 1 | 2 | 1 | мембранних нанотехнологій створення елементної бази джерел випромінювання у терагерцовому діапазоні частот як елементів інтегральних схем на основі високоомних наноструктурованих шарів карбіду кремнію | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
Національна академія наук | | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
Разом | 4 | 0,4 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 |
1 | | | 1 | | | широкодіапазонного рефлектометра для вимірювання параметрів наноструктурних діелектричних матеріалів і біологічних середовищ у терагерцовому діапазоні із застосуванням лампи зворотної хвилі і низькобар'єрних напівпровідникових структур | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 1,3 | 0,45 | 0,45 | 0,4 | | |
Національна академія наук | | 1,3 | 0,45 | 0,45 | 0,4 | | |
Разом | 2,6 | 0,9 | 0,9 | 0,8 | | |
| | | | | | | 2) розроблення та впровадження: | | | | | | | | |
кількість розроблених типономіналів активних елементів і функціональних модулів терагерцового діапазону | 5 | | 1 | 1 | 1 | 2 | нанотехнологій виготовлення високоефективних фосфід-індієвих діодів Гана для терагерцового діапазону на основі епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами і катодними контактами, які випромінюють "гарячі" електрони | Держінформ- науки | державний бюджет | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
Національна академія наук | державний бюджет | 2 | 0,2 | 0,45 | 0,45 | 0,45 | 0,45 |
інші джерела | 2 | 0,3 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | 0,3 |
Разом | 6 | 0,7 | 1,3 | 1,5 | 1,3 | 1,2 |
у тому числі | державний бюджет | 4 | 0,4 | 0,9 | 0,9 | 0,9 | 0,9 |
інші джерела | 2 | 0,3 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | 0,3 |
кількість розроблених типономіналів активних елементів терагерцового діапазону | 7 | 1 | 1 | 1 | 1 | 3 | нанотехнологій виготовлення потужних транзисторів надвисоких частот (4-10 ГГц) з використанням наноструктурованих епітаксійних шарів нітриду галію та твердих розчинів на його основі | Держінформ- науки | державний бюджет | 2,5 | 0,1 | 0,5 | 0,5 | 0,7 | 0,7 |
Національна академія наук | державний бюджет | 2,5 | 0,1 | 0,1 | 0,5 | 0,7 | 0,7 |
інші джерела | 3 | | 0,5 | 0,5 | 1 | 1 |
Разом | 8 | 0,2 | 1,5 | 1,5 | 2,4 | 2,4 |
у тому числі | державний бюджет | 50 | 0,2 | 1 | 1 | 1,4 | 1,4 |
інші джерела | 3 | | 0,5 | 0,5 | 1 | 1 |
кількість розроблених типономіналів активних елементів терагерцового діапазону | | | | | | | 3) створення: | | державний бюджет | | | | | | |
2 | | 1 | 1 | | | напівпровідникових наноструктур з розподіленими параметрами в терагерцовому діапазоні та виготовлення на їх основі джерел і підсилювачів з підвищеною вихідною потужністю | Держінформ- науки | | 1,5 | | 0,75 | 0,75 | | |
Національна академія наук | | 1,5 | | 0,75 | 0,75 | | |
Разом | 3 | | 1,5 | 1,5 | | |
2 | | 1 | 1 | | | джерел електромагнітних коливань терагерцового діапазону на основі 3 5 сполук нітридів А В та їх гетероструктур | Держінформ- науки | | 1 | 0,3 | 0,35 | 0,35 | | |
Національна академія наук | | 1 | 0,3 | 0,35 | 0,35 | | |
Разом | 2 | 0,6 | 0,7 | 0,7 | | |
-"- | 1 | | | | 1 | | 4) виготовлення: | | | | | | | | |
двоканального радіометричного приймача з активним підсвічуванням з використанням активних і пасивних напівпровідникових наноструктр для генерації та детектування сигналів у довгохвильовій частині терагерцового діапазону | Держінформ- науки | державний бюджет | 1,5 | | | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
Національна академія наук | державний бюджет | 1,5 | | | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
інші джерела | 0,5 | 0,1 | 0,1 | 0,1 | 0,1 | 0,1 |
Разом | 3,5 | 0,1 | 0,1 | 1,1 | 1,1 | 1,1 |
у тому числі | державний бюджет | 3 | | | 1 | 1 | 1 |
інші джерела | 0,5 | 0,1 | 0,1 | 0,1 | 0,1 | 0,1 |
4 | | 2 | 2 | | | пристроїв керування амплітудою сигналів у діапазоні частот 200-400 ГГц | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 0,8 | 0,3 | 0,25 | 0,25 | | |
Національна академія наук | | 0,8 | 0,3 | 0,25 | 0,25 | | |
Разом | 1,6 | 0,6 | 0,5 | 0,5 | | |
Разом за завданням 3 | 53,7 | 5 | 11,5 | 14,1 | 11,7 | 11,4 |
у тому числі | Держінформ- науки | державний бюджет | 21,6 | 2,3 | 4,9 | 5,8 | 4,35 | 4,25 |
Національна академія наук | державний бюджет | 21,6 | 2,3 | 4,9 | 5,8 | 4,35 | 4,25 |
інші джерела | 10,5 | 0,4 | 1,7 | 2,5 | 3 | 2,9 |
4. Виготовлення наноматеріалів, компонентів та електронних датчиків для приладо- та машинобудування, біотехно- логічного і фармацевтичного виробництва | кількість розроблених нанотехнологій | 3 | | 1 | 1 | | 1 | 1) виготовлення та впровадження у виробництво захисних покриттів на основі високоомних наноструктурованих шарів карбіду кремнію для забезпечення високого рівня надійності твердотільних потужних приладів для діапазону надвисоких частот | Держінформ- науки | державний бюджет | 1,5 | 0,1 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 |
Національна академія наук | державний бюджет | 1,5 | 0,1 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,35 |
інші джерела | 0,5 | | 0,1 | 0,1 | 0,2 | 0,1 |
Разом | 3,5 | 0,2 | 0,8 | 0,8 | 0,9 | 0,8 |
у тому числі | державний бюджет | 3 | 0,2 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,7 |
інші джерела | 0,5 | | 0,1 | 0,1 | 0,2 | 0,1 |
-"- | 2 | | | 1 | | 1 | 2) розроблення нанотехнологій виготовлення елементів потужних комутуючих інтегральних схем сантиметрового і міліметрового діапазону на основі наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
Національна академія наук | | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
Разом | 2 | 0,1 | 0,4 | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
-"- | 4 | | | 1 | 1 | 2 | 3) розроблення та впровадження у виробництво: | | | | | | | | |
нанотехнологій виготовлення високостабільних багатофункціональних високотемпературних сенсорів на основі наноструктурованих шарів карбіду кремнію | | державний бюджет | | | | | | |
Держінформ- науки | | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
Національна академія наук | | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
Разом | | | 2 | 0,1 | 0,4 | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
3 | | | 1 | 1 | 1 | високоефективних плазмових нанотехнологій формування наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні активних елементів для діапазону надвисоких частот | Держінформ- науки | державний бюджет | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
Національна академія наук | державний бюджет | 1 | 0,05 | 0,2 | 0,25 | 0,25 | 0,25 |
інші джерела | 0,5 | | 0,1 | 0,3 | 0,1 | |
Разом | 2,5 | 0,1 | 0,5 | 0,8 | 0,6 | 0,5 |
у тому числі | державний бюджет | 2 | 0,1 | 0,4 | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
інші джерела | 0,5 | | 0,1 | 0,3 | 0,1 | |
Разом за завданням 4 | | | 10 | 0,5 | 2,1 | 2,6 | 2,5 | 2,3 |
у тому числі | Держінформ- науки | державний бюджет | 4,5 | 0,25 | 0,95 | 1,1 | 1,1 | 1,1 |
Національна академія наук | державний бюджет | 4,5 | 0,25 | 0,95 | 1,1 | 1,1 | 1,1 |
інші джерела | 1 | | 0,2 | 0,4 | 0,3 | 0,1 |
Разом за напрямом "Технології напівпровідникових наноструктур" | 118,9 | 17,2 | 25,6 | 28,75 | 24,5 | 22,85 |
у тому числі | Держінформ- науки | державний бюджет | 53,7 | 8,4 | 11,85 | 12,925 | 10,6 | 9,925 |
Національна академія наук | державний бюджет | 53,7 | 8,4 | 11,85 | 12,925 | 10,6 | 9,925 |
інші джерела | 11,5 | 0,4 | 1,9 | 2,9 | 3,3 | 3 |
Діагностика наноструктур |
5. Розроблення методів виготовлення апаратури для діагностики та сертифікації наноматеріалів, наноструктур | кількість розроблених методів | | | | | | | 1) розроблення методів: | | державний бюджет | | | | | | |
27 | 4 | 6 | 6 | 5 | 6 | виготовлення апаратури для проведення високороздільної нанозондової, електронно- мікроскопічної, електронно- спектроскопічної, рентгенівської, оптичної, масспектрометричної, акустичної, електрофізичної, магнітної та високочастотної діагностики наноматеріалів, наноструктур та аморфних сплавів | Держінформ- науки | | 21 | 5 | 4 | 4 | 4 | 4 |
Національна академія наук | | 54 | 12 | 12 | 12 | 10 | 8 |
Разом | 75 | 17 | 16 | 16 | 14 | 12 |
15 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | субмікронного топографування та проведення паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки | Держінформ- науки | | 7 | 2 | 2 | 1 | 1 | 1 |
Національна академія наук | | 16,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 | 3,5 | 5,5 |
Разом | 23,5 | 4,5 | 4,5 | 3,5 | 4,5 | 6,5 |
10 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | надчутливої поверхнево- підсиленої діагностики молекулярних, біологічних і колоїдних наносистем для потреб каталізу, медицини, фармакології та захисту навколишнього природного середовища | Національна академія наук | | 7,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 |
14 | 3 | 3 | 3 | 2 | 3 | нанозондової літографії та наноманіпуляцій для наноелектроніки і нанобіосенсорики (наноструктур та їх об'єднання з мікроструктурами, створеними електронно-зондовою літографією та фотолітографією) | Держінформ- науки | | 2,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
Національна академія наук | | 2,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 |
Разом | 5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
16 | 3 | 4 | 3 | 3 | 3 | діагностики деградаційних процесів та прогнозування надійності наноструктурованих матеріалів і нанорозмірних структур у разі їх використання в екстремальних умовах | Держінформ- науки | | 12,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 |
Національна академія наук | | 24,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 | 5,5 | 5,5 |
Разом | 37 | 7 | 7 | 7 | 8 | 8 |
Разом за завданням 5 | | державний бюджет | 148 | 31 | 30 | 29 | 29 | 29 |
у тому числі | Держінформ- науки | | 43 | 10 | 9 | 8 | 8 | 8 |
Національна академія наук | | 105 | 21 | 21 | 21 | 21 | 21 |
6. Утворення центру сертифікації наноматеріалів, наноструктур та приладів, у тому числі для забезпечення екологічної безпеки | кількість утворених підрозділів | | | | | | | 1) утворення підрозділів: | | -"- | | | | | | |
6 | 1 | 2 | 2 | 1 | | сканувальної зондової мікроскопії | Держінформ- науки | | 1,5 | 1 | 0,5 | | | |
Національна академія наук | | 1,5 | 1 | 0,5 | | | |
Разом | 3 | 2 | 1 | | | |
1 | 1 | | | | | високороздільної рентгенівської дифрактометрії | Національна академія наук | | 1 | | 1 | | | |
2 | | 2 | | | | дифузно- динамічної комбінованої дифрактометрії | -"- | | 10 | 3 | 2 | 2 | 1 | 2 |
1 | | | 1 | | | раманівсько- люмінесцентної субмікронної спектроскопії | -"- | | 1 | | 1 | | | |
1 | | | 1 | | | масспектро- метричного аналізу | Держінформ- науки | | 1,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | | |
Національна академія наук | | 1,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | | |
| | | | | | Разом | 2,5 | 0,5 | 0,5 | 1,5 | | |
1 | | | | 1 | | вимірювального комплексу експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів | Держінформ- науки | | 1 | | 0,5 | 0,5 | | |
Національна академія наук | | 1 | | 0,5 | 0,5 | | |
Разом | 2 | | 1 | 1 | | |
Разом за завданням 6 | | державний бюджет | 19,5 | 5,5 | 6,5 | 4,5 | 1 | 2 |
у тому числі | Держінформ- науки | | 4 | 1,5 | 1,5 | 1 | | |
Національна академія наук | | 15,5 | 4 | 5 | 3,5 | 1 | 2 |
Разом за напрямном "Діагностика наноструктур" | | -"- | 167,5 | 36,5 | 36,5 | 33,5 | 30 | 31 |
у тому числі | Держінформ- науки | | 47 | 11,5 | 10,5 | 9 | 8 | 8 |
Національна академія наук | | 120,5 | 25 | 26 | 24,5 | 22 | 23 |