КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 31 серпня 2011 р. N 908 Київ |
Про внесення змін до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355
Кабінет Міністрів України
постановляє:
Внести до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р.
N 1355 "Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки" (Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що додаються.
Прем'єр-міністр України | М.АЗАРОВ |
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908
ЗМІНИ,
що вносяться до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 ( 1355-2007-п )
1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012".
1) у назві
Програми цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":
в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.," замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн.,";
абзац третій виключити;
у додатку 1:
у назві та пункті 6 додатка цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:
"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";
"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
Джерела фінансування | Обсяг фінансування | У тому числі за роками |
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 |
Державний бюджет | 69,8 | 15,35 | 16,25 | 15,1 | 13,3 | 9,8 |
Інші джерела | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1 |
Усього | 90,9 | 20,35 | 21,25 | 20,1 | 18,3 | 10,9"; |
у додатку 2:
графи "Значення показника" та "У тому числі за роками" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
Найменування завдання | Найменування показника | Значення показника | Найменування заходу | Головний розпорядник бюджетних коштів | Джерела фінансу- вання | Прогнозний обсяг фінансових ресурсів для виконання завдань, млн. гривень | У тому числі за роками |
усього | за роками |
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 |
2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки | дослідно- конструкторські роботи | 2 | 1 | | 1 | | | 1) розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів | Національна академія наук | державний бюджет | 4,41 | 1,15 | 1,27 | 1,09 | 0,9 | |
| нові види матеріалів | 2 | | 1 | | 1 | | | | | | | | | |
| дослідно- конструкторські роботи | 1 | 1 | | | | | 2) розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. | | -"- | 5,25 | 1,5 | 1,4 | 1,25 | 1,1 | |
| технологічні регламенти | 1 | | | 1 | | | Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів | | | | | | | | |
| дослідно- конструкторські роботи | 3 | 1 | | 1 | | 1 | 3) розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно- промислової ділянки і виготовлення | | державний бюджет | 22,9 | 3,1 | 3,5 | 3,4 | 3,1 | 9,8 |
| технології світового рівня | 3 | | 1 | | 1 | 1 | | | | | | | | |
| технологічні регламенти | 2 | | | | | 2 | | | | | | | | |
| | | | | | | | підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем, світлодіодів тощо | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1 |
| | | | | | | | | разом | | 31 | 4,85 | 5,25 | 5,15 | 4,8 | 10,9 |
| дослідно- конструкторські роботи | 2 | 1 | | 1 | | | 4) розроблення іонно-плазмової технології одержання кристалічних плівок SiC на кремнієвих і сапфірових підкладках для створення фотоперетворюючих приладів авіаційної і атомної | | державний бюджет | 1,52 | 0,4 | 0,46 | 0,35 | 0,31 | |
| технології світового рівня | 1 | | 1 | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | промисловості. Виготовлення та натурні випробування макетів | | | | | | | | |
| | | | | | | | ультрафіолетових сенсорів у широкому діапазоні термічних та радіаційних дій | | | | | | | | |
Разом за завданням 2 | | | | | | | | | | | 42,18 | 7,9 | 8,38 | 7,84 | 7,16 | 10,9 |
у тому числі | | | | | | | | | | державний бюджет | 34,08 | 6,15 | 6,63 | 6,09 | 5,41 | 9,8 |
| | | | | | | | | | інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1"; |
позицію "Усього за Програмою" викласти у такій редакції:
"Усього за Програмою | | | | | | | | | | | 90,9 | 20,35 | 21,25 | 20,1 | 18,3 | 10,9 |
у тому числі | | | | | | | | | | державний бюджет | 69,8 | 15,35 | 16,25 | 15,1 | 13,3 | 9,8 |
| | | | | | | | | | інші | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1"; |
у додатку 3:
графу "Значення показників" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
"Найменування завдання | Найменування показника | Значення показників |
усього | у тому числі за роками |
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 |
2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки | дослідно- конструкторські роботи | 8 | 4 | | 3 | | 1 |
технології світового рівня | 4 | | 2 | | 1 | 1 |
технологічні регламенти | 3 | | | 1 | | 2 |
нові види матеріалів | 2 | | 1 | | 1"; | |
позицію "Усього" викласти у такій редакції:
"Найменування завдання | Найменування показника | Значення показників |
усього | у тому числі за роками |
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 |
Усього | дослідно- конструкторські роботи | 33 | 15 | 8 | 8 | 1 | 1 |
технології світового рівня | 27 | 2 | 5 | 12 | 7 | 1 |
технологічні регламенти | 22 | 3 | 3 | 7 | 7 | 2 |
нові види матеріалів | 8 | | 1 | 3 | 4 | |
| нові види приладів | 7 | 1 | | 1 | 5". | |