Найменування науково-технічного проекту | Найменування установи, відповідальної за реалізацію проекту | Орієнтовний обсяг фінансування, усього | У тому числі за роками |
2007 | 2008 |
1. ФІЗИКА НАНОСТРУКТУР |
1. Фізичні механізми впливу деформаційних полів на самоорганізоване формування напівпровідникових наноструктур і варіювання цих полів для керування характеристиками наноструктур | Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук | 600 | 200 | 400 |
2. Теоретичні і експериментальні дослідження випромінювальних процесів у кремнієвих та германієвих наноструктурах | -"- | 750 | 150 | 600 |
3. Дослідження закономірностей самоскладання та електронних характеристик плівкових органічних та композитних наноструктур для розроблення фізичних основ створення і функціонування молекулярно- електронних схем | Інститут фізики Національної академії наук | 1100 | 300 | 800 |
4. Розроблення методу керування магнітними та транспортними властивостями наноструктурних феромагнітних манганітів та кобальтитів зовнішнім тиском і варіацією розміру наночасток | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 1800 | 500 | 1300 |
5. Теоретичне та експериментальне дослідження просторового надрозподілу зображень віддалених джерел випромінювання світла у металодіелектричних наноструктурах | Львівська філія науково- виробничого концерну "Наука" | 1200 | 300 | 900 |
6. Створення математичної моделі синтезу наноструктур, нанотрубок та електронного транспорту в них | державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ | 1200 | 350 | 850 |
7. Теоретичні та експериментальні дослідження структури, транспорту електронів та нелінійно-оптичних властивостей у композитних наноструктурних матеріалах на основі металевих острівцевих плівок | Інститут фізики Національної академії наук | 500 | 100 | 400 |
8. Дослідження електрофізичних параметрів сегнетоелектричних матеріалів та наноструктур теплових сенсорів | Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут" | 1000 | 300 | 700 |
9. Дослідження функціональних властивостей наномасштабних структур у сильноградієнтних магнітних полях | Інститут магнетизму Національної академії наук та МОН | 600 | 100 | 500 |
| Разом | 8750 | 2300 | 6450 |
2. ТЕХНОЛОГІЯ НАНОСТРУКТУР |
10. Розроблення базової технології отримання гетероструктур A3B5 для оптоелектронних приладів на основі масивів квантових точок з використанням модифікуючого впливу рідкісноземельного елемента на процеси зародкоутворення | науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів | 800 | 200 | 600 |
11. Розроблення нанотехнологій лазерного структурування мікрорельєфу поверхні для зменшення тертя деталей машин і механізмів | -"- | 400 | 50 | 350 |
12. Створення функціональних п'єзоелектричних матеріалів для одержання плівкових MEMS-структур у складі наноелектронних комірок | Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут" | 700 | 200 | 500 |
13. Оптимізація теплових режимів потужних надвисокочастотних та світловипромінювальних приладів на базі GaN-наноструктур | Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук | 600 | 200 | 400 |
14. Розроблення методів модифікації характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних сполук A2B6 для потреб оптичної електроніки і медицини | -"- | 500 | 150 | 350 |
15. Фізичні дослідження та розроблення технологічних основ високоефективних діодів міліметрового та субміліметрового діапазонів на базі + + + + n -n-n та n -i-n епітаксійних гетероструктур, виготовлених з новітніх широкозонних матеріалів | -"- | 1000 | 250 | 750 |
16. Дослідження залежності структурних та електрофізичних характеристик наногетероструктур на основі A3B5 від умов їх отримання | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 400 | 100 | 300 |
17. Розроблення технології отримання чутливих середовищ для діагностики та дослідження субмікронних (нанорозмірних) магнітних неоднорідностей магнітних полів у магнітних, напівпровідникових та надпровідних структурах у широкому інтервалі температур | науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів | 1200 | 200 | 1000 |
18. Розроблення технології створення та дослідження фізичних процесів у крупноформатних матричних фотоприймачах довгохвильового інфрачервоного випромінювання, а також методів зчитування та обробки інформації з таких матриць | Львівська філія науково- виробничого концерну "Наука" | 2100 | 400 | 1700 |
19. Дослідження електронної структури та електронних властивостей металічного моношару на поверхні високотемпературного надпровідника методом фотоелектронної спектроскопії з кутовою роздільною здатністю | Інститут металофізики Національної академії наук | 500 | 100 | 400 |
| Разом | 8200 | 1850 | 6350 |
3. ДІАГНОСТИКА НАНОСТРУКТУР |
20. Створення методів локальної діагностики структурних та електронних властивостей приладових наноструктур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 2250 | 700 | 1550 |
21. Діагностика нанорозмірних структур та розроблення на їх базі основ технології виготовлення приладів обробки інформації нового покоління | Київський національний університет імені Тараса Шевченка | 1300 | 400 | 900 |
22. Діагностика руйнування об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом | Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут" | 300 | 50 | 250 |
23. Розроблення діагностичного вимірювального комплексу для визначення параметрів нанокомпонентів волоконно-оптичних ліній зв'язку | Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут" | 800 | 200 | 600 |
24. Розроблення методів діагностики наноструктур у процесі виробництва та створення на їх основі сучасної діагностичної лабораторії загального користування | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 6500 | 1800 | 4700 |
25. Мікрохвильова діагностика та модифікація матеріалів у нанотехнологіях | Харківський національний університет радіоелектроніки МОН | 600 | 100 | 500 |
26. Розроблення програмно-апаратного комплексу для дослідження електричних та оптичних характеристик світлодіодних випромінювачів видимого діапазону | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 1700 | 450 | 1250 |
27. Розроблення методу підвищення розподільної здатності атомно-силової мікроскопії шляхом створення позиційно- чутливої матриці фоточутливих елементів із спеціальною топологією міжз'єднань | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 1600 | 400 | 1200 |
28. Розроблення методики отримання карт кластерів на гранях зростаючого кристалу методом дифракції відбитих електронів з просторовою розподільною здатністю 10 нанометрів та менше | Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут" | 250 | 50 | 200 |
29. Розроблення та дослідження інфрачервоних детекторів на основі квантово-розмірних структур SiGe/Si, Ge/Si | науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів | 1000 | 200 | 800 |
| Разом | 16300 | 4350 | 11950 |
4. НАНОЕЛЕКТРОНІКА ТА НАНОФОТОНІКА |
30. Синтез та властивості багатофункціональних люмінофорів на основі активованих нанокристалів діелектриків | Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук | 1300 | 390 | 910 |
31. Розроблення фізичних принципів функціонування та основ технології формування ланцюжків кубітів, їх виготовлення та дослідження | державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ | 1650 | 450 | 1200 |
32. Створення та дослідження багатошарових тонкоплівкових наноперіодичних структур з високотемпературних надпровідних купратів для новітніх пасивних пристроїв надвисокочастотної електроніки з наднизькими втратами | Інститут металофізики Національної академії наук | 750 | 150 | 600 |
33. Розроблення та дослідження спеціалізованих високотемпературних надпровідних сквидів постійного струму на основі наногетероструктур для підсилення сигналів високих частот | державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ | 1600 | 400 | 1200 |
34. Створення елементної бази прототипів багатоелементних приймальних та генеруючих елементів терагерцового діапазону | Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук | 750 | 150 | 600 |
35. Розроблення та створення однофотонного інфрачервоного детектора на основі тонкоплівкових надпровідникових наноструктур | державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ | 2200 | 500 | 1700 |
36. Розроблення інфрачервоних випромінювачів на багатошарових молекулярно-променево- епітаксійних структурах на основі Cd Hg Te з x 1-x нанорозмірними активними шарами | науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів | 800 | 200 | 600 |
37. Дослідження та розроблення шляхів створення елементів надвисокочастотних інтегральних схем міліметрового та терагерцового діапазонів на основі мікро- і нанокристалічних шарів синтетичного алмазу завтовшки 20-100 мікрометрів | державний науково- дослідний інститут "Оріон" Мінпромполітики, м. Київ | 300 | 70 | 230 |
38. Дослідження та створення джерел надвисокочастотного випромінювання в субміліметровому діапазоні на базі багатошарових напівпровідникових структур, у тому числі на основі GaAs/AlAs, Ga/Al двобар'єрних квантових наноструктур | -"- | 420 | 90 | 330 |
39. Дослідження можливості створення надпотужних джерел надвисокочастотних коливань на основі високопольових механізмів лавинної іонізації та міждолинного переносу носіїв у GaN | -"- | 180 | 50 | 130 |
40. Розроблення та створення сучасної нанотехнологічної лабораторної лінії з виготовлення наноструктурних елементів на базі російсько-українського технологічного модуля Nanofab | науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ | 9000 | 2400 | 6600 |
41. Розроблення та дослідження напівпровідникових над'яскравих світлодіодів на основі квантоворозмірних гетероструктур InGaN | -"- | 3500 | 800 | 2700 |
42. Розроблення та дослідження фоточутливих елементів на основі GaN та вимірювальних приладів ультрафіолетового діапазону на їх базі | Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут" | 800 | 200 | 600 |
43. Низькотемпературні наноелектронні пристрої для проведення спектрального аналізу електромагнітних сигналів на основі джозефсонівських гетероструктур субмікронного розміру | державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ | 2800 | 500 | 2300 |
44. Створення детекторів квантового стану на основі явища суперпозиції у фазових та зарядових кубітах | Харківський національний університет радіоелектроніки МОН | 700 | 150 | 550 |
| Разом | 26750 | 6500 | 20250 |
УСЬОГО за переліком | 60000 | 15000 | 45000 |