КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
| від 18 серпня 1998 р. N 1320 Київ |
( Постанова втратила чинність на підставі Постанови КМ N 86 від 28.01.2004 )
Про внесення змін і доповнень до постанови Кабінету Міністрів України від 22 серпня 1996 р. N 1005
( Продовження )
( Частина II )
СПИСОК
товарів подвійного використання
( Частину I див. )
------------------------------------------------------------------
Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА
------------------------------------------------------------------
Номер | Найменування продукції |Код товару
пункту | |за ТН ЗЕД
------------------------------------------------------------------
3.А.2. Електронна апаратура загального
[3А002] призначення, наведена нижче:
3.А.2.а. Записувальна апаратура, наведена нижче, і
спеціально призначена для неї вимірювальна
стрічка:
1. Накопичувачі на магнітній плівці для 852039900
аналогової апаратури, включаючи
накопичувачі з можливістю запису цифрових
сигналів (тобто, що використовують модуль
цифрового запису високої щільності
(HDDR)), які мають одну з наведених нижче
ознак:
а. Смуга частот перевищує 4 МГц на
електронний канал або доріжку;
b. Смуга частот перевищує 2 МГц на
електронний канал або доріжку при
кількості доріжок понад 42; або
с. Помилка непогодження змінної шкали,
виміряна із застосуванням документів
Асоціації електронної промисловості
(EIA) або IRIG, менше +(-) 0,1 мкс;
Примітка Аналогові магнітофони, спеціально створені
для цілей цивільного відео, не вважаються
накопичувачами на плівці.
2. Цифрові відеомагнітофони, які мають з 852110
максимальну роздільну здатність цифрового 852190000
інтерфейсу понад 180 Мбіт/с;
Примітка За пунктом 3.А.2.а.2. контролю не
підлягають цифрові відеомагнітофони,
спеціально спроектовані для телевізійного
запису за стандартами або рекомендаціями
Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU) або
Міжнародної електротехнічної комісії (IEC)
для цивільного телебачення.
3. Накопичувачі на магнітній плівці для з 852110
цифрової апаратури, що використовує методи
спірального сканування або фіксованих
магнітних головок, які мають одну з
наведених нижче ознак:
а. Максимальна пропускна здатність
цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с;
або
b. За технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
Примітка За пунктом 3.А.2.а.3. контролю не
підлягають аналогові накопичувачі на
магнітній плівці, оснащені електронікою для
перетворення в цифровий запис високої
щільності (HDDR) та призначені для запису
тільки цифрових даних.
3.А.2.а. 4. Апаратура з максимальною пропускною 852190000
здатністю цифрового інтерфейсу понад 175
Мбіт/с, призначена для перетворення
цифрових відеомагнітофонів у пристрої
запису даних цифрової апаратури;
5. Цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543
передні реєстратори, які мають усі
наведені нижче ознаки:
а. Швидкість цифрового перетворення, що
дорівнює або вища, ніж 200 млн. операцій
за секунду на розрядність 10 біт або
більше; та
b. Безперервна пропускна здатність
2 Гбіт/с і більше;
Технічна Для цих приладів з паралельною шиною
примітка швидкість безперервної пропускної
здатності є добуток найбільшого обсягу слів
на кількість біт у слові. Безперервна
пропускна здатність - це найвища швидкість,
з якою прилад може виводити дані в
накопичувач без втрати інформації, водночас
підтримуючи швидкість вимірювання та
функцію аналого-цифрового перетворення.
3.А.2.b. "Електронні збірки" "синтезаторів частоти", 854380900
які мають "час перемикання частоти" з
однієї на іншу менш як 1 мс;
3.А.2.с. "Аналізатори сигналів", наведені нижче: 854380900
1. "Аналізатори сигналів", здатні
аналізувати частоти, що перевищують 31 ГГц;
2. "Динамічні аналізатори сигналів" із
"смугою пропускання в реальному масштабі
часу" понад 25,6 кГц.
Примітка За пунктом 3.А.2.с.2. контролю не
підлягають "динамічні аналізатори
сигналів", які використовують тільки
фільтри із смугою пропускання фіксованих
часток.
Фільтри із смугою пропускання фільтрованих
часток, відомі також під назвою октавних
або фракційних октавних фільтрів.
3.А.2.d. Генератори сигналів синтезаторів частот, 854320000
які формують вихідні частоти з керуванням
за параметрами точності, короткочасної та
довгочасної стабільності, на основі або за
допомогою внутрішньої еталонної частоти і
мають одну з наведених нижче ознак:
1. Максимальна синтезована частота
перевищує 31 ГГц;
2. "Час перемикання частоти" з однієї
заданої частоти на іншу менш як 1 мс;
або
3. Фазовий шум однієї бокової смуги (SSB)
краще -(126+20 log(10)F - 20 log(10)f) в
одиницях дБ/Гц, де F - відхилення
робочої частоти в Гц, а f - робоча частота
в МГц;
Примітка За пунктом 3.А.2.d. контролю не підлягає
обладнання, в якому вихідна частота
створюється шляхом додавання або віднімання
частот з двох і більше кварцових генераторів
чи шляхом додавання або віднімання з
наступним множенням результуючої частоти.
3.А.2.е. Мережеві аналізатори з максимальною робочою 854380900
частотою, яка перевищує 40 ГГц;
3.А.2.f. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 852790990
які мають усі наведені нижче характеристики:
1. Максимальну робочу частоту понад
40 ГГц; та
2. Здатні одночасно вимірювати амплітуду та
фазу;
3.А.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну з 854320000
наведених нижче ознак:
1. Довготривала стабільність (старіння)
менше (краще) 1 х 10(-11)/місяць; або
2. За технічними умовами "придатні для
використання в космосі".
Примітка За пунктом 3.А.2.g.1. контролю не підлягають
рубідієві еталони, не- "придатні для
використання в космосі".
3.В. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ
І ВИРОБНИЦТВА
3.В.1. Обладнання для виробництва
[3В001] напівпровідникових приладів або матеріалів,
наведене нижче, і спеціально створені
компоненти та оснащення для них:
3.В.1.а. Обладнання для епітаксійного вирощування,
наведене нижче, "кероване вмонтованою
програмою":
3.В.1.а. 1. Обладнання для епітаксійного вирощування, 841989900
здатне витримувати товщину епітаксійного
шару з відхиленням не більш як 2,5 відсотка
на відстані вздовж пластини 75 мм або
більше;
2. Обладнання хімічного осадження з 841989900
металоорганічної парової фази (MOCVD),
спеціально розроблене для вирощування
кристалів складних напівпровідників за
допомогою хімічних реакцій між матеріалами,
зазначених у пунктах 3.С.3. або 3.С.4;
3. Молекулярно-променеве обладнання 841780100
епітаксійного вирощування, в якому
застосовані газові джерела;
3.В.1.b. Обладнання, "кероване вмонтованою 845610000
програмою", для іонної імплантації, яке має
одну з наведених нижче ознак:
1. Прискорювальна напруга, яка перевищує
200 кеВ;
2. Спеціально спроектоване та оптимізоване
для функціювання при прискорювальній
напрузі менш як 10 кеВ;
3. Здатне до безпосереднього запису; або
4. Здатне до високоенергетичної імплантації
кисню в нагріту "підложку"
напівпровідникового матеріалу.
3.В.1.с. Обладнання, наведене нижче, для сухого 845690000
травлення з використанням анізотропної
плазми, "кероване вмонтованою програмою":
1. З покасетним обробленням пластин та
завантаженням їх через завантажувальні
шлюзи, які мають одну з наведених нижче
характеристик:
а. Магнітний захист; або
b. Електронний циклотронний резонанс (ECR);
2. Обладнання, спеціально спроектоване для
устаткування, яке підлягає контролю за
пунктом 3.В.1.е. та має одну з наведених
нижче характеристик:
а. Магнітний захист; або
b. Електронний циклотронний резонанс.
3.В.1.d. Обладнання, "кероване вмонтованою 845690000
програмою", для хімічного осадження з
парової фази (CDV) та плазмової стимуляції,
наведене нижче:
1. З покасетним обробленням пластин і
подачею їх через завантажувальні шлюзи, які
мають одну з наведених нижче ознак:
а. Магнітний захист; або
b. Електронний циклотронний резонанс;
2. Обладнання, що спроектоване для
апаратури, яке підлягає контролю за пунктом
3.В.1.е. та має будь-яку з наведених нижче
характеристик:
а. Магнітний захист; або
b. Електронний циклотронний резонанс.
3.В.1.e. Багатокамерний центр оброблення 845610000
напівпровідникових пластин з автоматичним 845690000
завантаженням, "керований вмонтованою
програмою", який має усі наведені нижче
ознаки:
1. Інтерфейси для завантаження та
вивантаження пластин, до якого повинно бути
приєднано понад два пристрої технологічного
оброблення напівпровідників; та
2. Призначене для комплексної системи
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин у вакуумі.
Примітка За пунктом 3.В.1.е. контролю не підлягають
автоматичні робототехнічні системи
завантаження пластин, не призначених для
роботи у вакуумі.
3.В.1.f. Обладнання літографії, "кероване вмонтованою 900922900
програмою", наведене нижче:
1. Обладнання багаторазового суміщення та
експонування для оброблення пластин методами
фотооптичної або рентгенівської літографії,
яке має будь-яку з наведених нижче
характеристик:
а. Наявність джерела освітлення з довжиною
хвилі коротшою ніж 400 нм; або
b. Спроможність виробляти зразки з
мінімально визначеним типовим розміром
0,7 мкм або менше;
Примітка Мінімальний визначений типовий розмір можна
розрахувати за рівнянням:
(довжина хвилі випромінювання світла в мк) х (К фактор)
MRF = -------------------------------------------------------
цифрова апертура
де К фактор = 0,7, а MRF - мінімальний
визначений типовий розмір.
3.В.1.f. 2. Обладнання, спеціально призначене для 845610000
виробництва шаблонів або оброблення
напівпровідникових приладів з використанням
сфокусованого електронного пучка, що
відхиляється, іонного пучка або "лазерного"
пучка, які мають будь-яку з наведених нижче
характеристик:
а. Розмір плями менш як 0,2 мкм;
b. Здатність виробляти малюнок з
мінімальними дозволеними проектними
нормами менш як 1 мкм; або
с. Точність суміщення краще +(-) 0,2 мкм
(3 сигма);
3.В.1.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 901090000
інтегральних схем, що підлягають контролю за
пунктом 3.А.1.;
3.В.1.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 901090000
шаром.
3.В.2. Обладнання для випробувань, "кероване 903180390
[3В002] вмонтованою програмою", спеціально
призначене для випробувань готових
(оброблених) або напівфабрикатних
(необроблених) напівпровідникових приладів,
наведене нижче, і спеціально створені
компоненти та аксесуари до нього:
3.В.2.а. Для вимірювання S-параметрів транзисторних
приладів на частотах понад 31 ГГц;
3.В.2.b. Для випробувань інтегральних мікросхем та їх
збірок, здатне виконувати функціональне
тестування (за таблицями істинності) з
частотою тестування рядків понад 60 МГц;
Примітка За пунктом 3.В.2.b. контролю не підлягає,
апаратура, спеціально призначена для
випробувань:
1. "Електронних збірок" або класу
"електронних збірок" для побутової або
ігрової електронної апаратури;
2. Електронних компонентів, "електронних
збірок" або інтегральних схем, які не
підлягають експортному контролю.
3.В.2.с. Для випробувань мікрохвильових інтегральних
схем на частотах, що перевищують 3 ГГц;
Примітка За пунктом 3.В.2.с. контролю не підлягає
обладнання, спеціально спроектоване для
випробувань мікрохвильових інтегральних схем
для устаткування, за технічними умовами
призначеного або придатного для роботи в
стандартному діапазоні Міжнародного союзу
електрозв'язку (ITU) на частотах, які не
перевищують 31 ГГц.
3.В.2.d. Електронно-променеві системи, спроектовані
для функціонування з енергією 3 кеВ або
нижче, або "лазерні" променеві системи для
безконтактного зондування заживлених
напівпровідникових приладів, які мають
будь-яку з наведених нижче характеристик:
1. Стробоскопічний режим із затіненням
променя або з детекторним стробуванням; та
2. Електронний спектрометр для вимірювання
напруги менш як 0,5 В.
Примітка За пунктом 3.В.2.d контролю не підлягають
скануючі електронні мікроскопи, крім
спеціально призначених та оснащених для
безконтактного зондування заживлених
напівпровідникових приладів.
3.С. МАТЕРІАЛИ
3.С.1. Гетероепітаксійні матеріали, які складаються 381800900
[3С001] з "підложки" та кількох послідовно нанесених
епітаксійних шарів, які мають будь-яку з
наведених нижче складових:
а. Кремній;
b. Германій; або
с. Сполуки III/V на основі галію або індію.
Примітка Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні
або складні монокристалічні продукти,
складені з елементів IIIA (А3) та VA (В5)
груп періодичної системи елементів
Менделеєва (наприклад, арсенід галію,
арсенід галію-алюмінію, фосфід індію тощо).
3.С.2. Матеріали резистів і "підложки", наведені
[3С002] нижче, покриті резистами, що підлягають
контролю:
3.С.2.а. Позитивні резисти, призначені для 854140990
напівпровідникової літографії, спеціально
пристосовані для використання з довжиною
хвилі менш як 370 нм;
3.С.2.b. Усі резисти, призначені для використання під 854140990
час експонування електронними та іонними
пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/кв.мм або
краще;
3.С.2.с. Усі резисти, призначені для використання під 854140990
час експонування рентгенівськими променями,
з чутливістю 2,5 мДж/кв.мм або краще;
3.С.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 854140990
формування малюнка, включаючи силіційовані
резисти.
Примітка Методи силіціювання - це процеси, які
включають оксидування поверхні резисту для
підвищення якості мокрого та сухого
проявлення.
3.С.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:
[3С003]
3.С.3.а. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, 293100900
галію чи індію, які мають чистоту металевої
основи понад 99,999 відсотків;
3.С.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та 293100900
органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту
основи неорганічного елемента понад 99,999
відсотків.
Примітка За пунктом 3.С.3. підлягають контролю тільки
ті сполуки, металеві, частково металеві або
неметалеві елементи яких безпосередньо
пов'язані з вуглецем органічної частки
молекули.
3.С.4. Гідриди фосфору, миш'яку чи сурми, які мають 284890000
[3С004] чистоту понад 99,999 відсотків навіть після 285000100
розведення інертними газами або воднем.
Примітка За пунктом 3.С.4. контролю не підлягають
гідриди, що містять 20 відсотків або більше
молей інертних газів чи водню.
3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D001] створене для "розроблення" або "виробництва"
обладнання, що підлягає контролю за пунктами
3.А.1.b. - 3.А.1.g. або 3.В.
3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D002] створене для "використання" в обладнанні,
"керованому вмонтованою програмою", що
підлягає контролю за пунктом 3.В.
3.D.3. "Програмне забезпечення" для систем з 8524
[3D003] автоматизованого проектування (CAD),
створене для напівпровідникових приладів або
інтегральних схем, які мають одну з
наведених нижче ознак:
3.D.3.а. Правила проектування або правила перевірки
(верифікації) схем;
3.D.3.b. Моделювання схем за їх фізичною топологією;
або
3.D.3.с. Імітатори літографічних процесів для
проектування.
Технічна Імітатор літографічних процесів - це пакет
примітка "програмного забезпечення", який
використовується на етапі проектування для
визначення послідовності операцій
літографії, травлення та осадження з метою
втілення маскувальних шаблонів у конкретні
топологічні малюнки провідників,
діелектриків або напівпровідникового
матеріалу.
Примітка За пунктом 3.D.3. контролю не підлягає
"програмне забезпечення", спеціально
створене для опису принципових схем,
логічного моделювання, розкладення або
маршрутизації, перевірки топології або
розмноження шаблонів.
Особлива Бібліотеки, проектні атрибути або супутні
примітка дані для проектування напівпровідникових
приладів чи інтегральних схем розглядаються
як "технологія".
3.Е. ТЕХНОЛОГІЯ
3.Е.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,
[3Е001] загальних приміток для "розроблення" або 3706,8524,
"виробництва" обладнання або матеріалів, що 490199000
підлягають контролю за пунктами 3.А., 3.В. 490600000
або 3.С.
Примітки 1. Код "технології" за ТН ЗЕД визначається
кодом носія, на якому вона передається.
2. За пунктом 3.Е.1. контролю не підлягає
"технологія для "розроблення" або
"виробництва":
а. Мікрохвильових транзисторів, що
працюють на частотах нижче ніж 31 ГГц;
b. Інтегральних схем, що підлягають
контролю за пунктами 3.А.1.а.3. -
3.А.1.а.12 і мають усі наведені нижче
ознаки:
1. Використовують "технології" 1 мкм або
вище; та
2. Не містять багатошарових структур.
Особлива Термін "багатошарові структури" у підпункті
примітка b.2. примітки 2 не включає прилади, які
містять максимум два шари металу та два
шари полікремнію.
3.Е.2. Інші "технології" для "розроблення" або з 3705,
[3Е002] "виробництва": 3706,8524,
3.Е.2.а. Вакуумних мікроелектронних приладів; 490199000
490600000
3.Е.2.b. Напівпровідникових приладів на
гетероструктурах, таких як транзистори з
високою рухомістю електронів (НЕМТ),
біполярні транзистори на гетероструктурі
(НВТ), приладів з квантовими ямами або
приладів на надрешітках;
3.Е.2.с. "Надпровідних" електронних приладів;
3.Е.2.d. "Підложки" плівок алмазу для електронних
компонентів.
------------------------------------------------------------------
Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ
------------------------------------------------------------------
Номер | Найменування продукції |Код товару
пункту | |за ТН ЗЕД
------------------------------------------------------------------
4. КОМП'ЮТЕРИ
Примітки 1. Комп'ютери, супутнє обладнання та
"програмне забезпечення", що
використовуються в мережах зв'язку або в
"локальних мережах", підлягають контролю з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині
1 розділу 5 (Зв'язок).
2. Комп'ютери, супутнє обладнання та
"програмне забезпечення", що виконують
функції криптографії, криптоаналізу або
інших видів захисту інформації у мережах
зв'язку або в обчислювальних мережах, або
такі, що обмежують електромагнітну
сумісність (ЕМС), підлягають контролю з
урахуванням критеріїв, зазначених у частині
2 розділу 5 (Захист інформації).
Особливі 1. Блоки управління, які безпосередньо через
примітки магістралі або канали з'єднуються з блоками
центральних процесорів, "оперативна пам'ять"
або контролери дисків не розглядаються як
телекомунікаційне обладнання, зазначене в
частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
2. Статус контролю "програмного
забезпечення", спеціально призначеного для
комутації пакетів, визначається з
урахуванням критеріїв, зазначених у розділі
5.D.1. (Зв'язок).
4.А. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ
4.А.1. Електронні комп'ютери і супутнє обладнання, з 8471
[4А001] наведені нижче, та "електронні збірки" і
спеціально призначені для них компоненти:
4.А.1.а. Спеціально призначені і мають будь-яку з
наведених нижче характеристик:
1. Розраховані для функціонування при
температурі навколишнього середовища нижче
228 К (-45(град)С) або понад
358 К (85(град)С);
Примітка За пунктом 4.А.1.а.1. контролю не підлягають
комп'ютери, спеціально призначені для
використання в цивільних автомобілях або
поїздах.
2. Стійкі до радіації з параметрами, вищими
ніж будь-який з наведених нижче:
а. Загальна доза - 5 х 10(3) рад (Si);
b. Доза випромінювання, що викликає збій -
5 х 10(6) рад (Si)/с; або
с. Одиничний збій - 1 х 10(-7)
похибка/біт/день.
4.А.1.b. Мають характеристики або виконують функції,
які перевищують межі, зазначені у частині 2
розділу 5 (Захист інформації).
4.А.2. "Гібридні комп'ютери", наведені нижче, з 847110
[4А002] "електронні збірки" та спеціально призначені
для них компоненти:
4.А.2.а. Що містять в собі "цифрові комп'ютери", які
підлягають контролю за пунктом 4.А.3;
4.А.2.b. Що містять в собі аналого-цифрові
перетворювачі, які мають усі наведені нижче
характеристики:
1. 32 канали або більше; та
2. Роздільна здатність 14 біт (плюс знаковий
біт) або більше зі швидкістю 200000
перетворень за секунду або більше;
4.А.3. "Цифрові комп'ютери", "електронні збірки" і
[4А003] супутнє обладнання до них, наведене нижче,
та спеціально призначені для них компоненти:
Примітки 1. Пункт 4.А.3. включає наведене нижче:
а. Векторні процесори;
b. Матричні процесори;
с. Процесори цифрових сигналів;
d. Логічні процесори;
е. Обладнання для "поліпшення якості
зображення";
f. Обладнання для "оброблення сигналів".
2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів"
та супутнього обладнання, описаного у пункті
4.А.3., визначається на підставі статусу
контролю за робочими характеристиками інших
систем або обладнання у разі, коли:
а. "Цифрові комп'ютери" або супутнє
обладнання мають істотне значення для
роботи іншого обладнання або систем;
b. "Цифрові комп'ютери" або супутнє
обладнання, яке не є "основним елементом"
інших систем або обладнання; та
с. "Технологія" для "цифрових комп'ютерів"
та супутнього обладнання, що належить до
них, регулюється пунктом 4.Е.
Особлива Статус контролю за обладнанням, спеціально
примітка призначеним для "оброблення сигналів" або
"поліпшення якості зображення" або
спеціально призначеним для іншого обладнання
з функціями, обмеженими функціональним
призначенням іншого обладнання, визначається
статусом контролю іншого обладнання, навіть
якщо воно перевищує критерій "основного
елемента";
Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або
супутнього обладнання для телекомунікаційних
систем визначається з урахуванням критеріїв,
зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
4.А.3.а. Призначені або модифіковані для забезпечення з 847120
"відмовостійкості";
Примітка Стосовно пункту 4.А.3.а. "цифрові
комп'ютери" та супутнє обладнання не
вважаються призначеними або модифікованими
для забезпечення "відмовостійкості", якщо в
них використовується будь-яке з наведеного
нижче:
1. Алгоритми виявлення або виправлення
помилок, які зберігаються в "оперативній
пам'яті";
2. Взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів"
такий, що у разі відмови активного
центрального процесора очікувальний процесор
(який одночасно стежить за діями
центрального процесора) може забезпечити
продовження функціонування системи;
3. Взаємозв'язок двох центральних процесорів
через канали передачі даних або з
використанням пам'яті загального призначення
такий, що забезпечує можливість одному з них
виконувати іншу роботу, поки другий не
відмовить, тоді перший центральний процесор
бере його роботу на себе, щоб продовжити
функціонування системи; або
4. Синхронізація двох центральних
процесорів, виконана через "програмне
забезпечення" таким чином, що перший
центральний процесор розпізнає, коли
відмовляє другий центральний процесор і бере
на себе виконання його завдання.
4.А.3.b. "Цифрові комп'ютери", які мають "сукупну з 847120
теоретичну продуктивність" ("СТР") понад
2000 Мегатопсів;
4.А.3.с. "Електронні збірки", спеціально призначені з 847120
або модифіковані для підвищення
продуктивності "обчислювальних елементів"
шляхом об'єднання "обчислювальних
елементів" таким чином, що "сукупна
теоретична продуктивність" перевищує межу,
зазначену в пункті 4.А.3.b.;
Примітка 1. За пунктом 4.А.3.с. підлягають контролю
лише "електронні збірки" та запрограмовані
взаємозв'язки, які не перевищують меж,
зазначених у пункті 4.А.3.b., у разі
постачання їх у вигляді необ'єднаних
"електронних збірок". Контролю не підлягають
"електронні збірки", які за своєю
конструкцією придатні тільки для
використання як супутнє обладнання, яке
підлягає контролю згідно з пунктами
4.А.3.d., 4.А.3.е. або 4.А.3.f.
2. За пунктом 4.А.3.с. контролю не
підлягають "електронні збірки", спеціально
призначені для виробу або цілого ряду
виробів, які в своїй максимальній
конфігурації не перевищують межу, зазначену
в пункті 4.А.3.b.
4.А.3.d. Графічні акселератори або графічні з 847120
співпроцесори, в яких швидкість обчислення з 847192
"інтенсивності тривимірних векторів" 854380900
перевищує 3000000;
4.А.3.е. Обладнання, що здійснює аналого-цифрові з 8542
перетворення, які перевищують межі,
зазначені у пункті 3.А.1.а.5.;
4.А.3.f. Обладнання, що містить у своєму складі 852520900
"термінальне інтерфейсне обладнання", 854380900
характеристики якого перевищують межі,
зазначені у пункті 5.А.1.b.3.;
Примітки У пункті 4.А.3.f. поняття "термінальне
інтерфейсне обладнання" включає інтерфейси
"локальних мереж" та інші інтерфейси
зв'язку. Інтерфейси "локальних мереж"
оцінюються як "контролери доступу до
мережі".
4.А.3.g. Обладнання, спеціально призначене для 852520900
забезпечення зовнішніх з'єднань "цифрових 854380900
комп'ютерів" або супутнє обладнання, що дає
змогу здійснити зв'язок зі швидкістю
передачі даних понад 80 Мбайт/с.
Примітка За пунктом 4.А.3.g. контролю не підлягає
обладнання внутрішнього з'єднання (наприклад
плати, шини тощо) або обладнання пасивного
з'єднання.
4.А.4. Комп'ютери, наведені нижче і спеціально з 8471
[4А004] призначене супутнє обладнання, "електронні
збірки" та компоненти для них:
4.А.4.а. "Комп'ютери із систолічною матрицею";
4.А.4.b. "Нейронні комп'ютери";
4.А.4.с. "Оптичні комп'ютери".
4.В. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ