| |зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію,|
| |модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом|
| |змішування або розплаву, контролю не підлягає. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 13.|Титанові сплави - це тільки аерокосмічні сплави з|
| |граничним значенням міцності на розрив 900 МПа або більше,|
| |визначеним при температурі 293 К (20 град C). |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 14.|Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення|
| |визначається як скло, що має коефіцієнт температурного|
| | -7 -1 |
| |розширення 1 x 10 К або менше, визначений при|
| |температурі 293 К (20 град. C). |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 15.|Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових|
| |ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних|
| |властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами|
| |рефракції використовується для відбиття, передачі або|
| |поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До|
| |діелектричних шарових покриттів належать ті, що|
| |складаються з чотирьох або більше шарів діелектрика або|
| |шарових "композицій" діелектрик-метал. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 16.|Цементований карбід вольфраму не включає інструментальні|
| |матеріали, які застосовуються для різання та механічної|
| |обробки і складаються з карбіду|
| |вольфраму/(кобальт-нікель), карбіду|
| |титану/(кобальт-нікель), карбіду хрому/нікель-хром і|
| |карбіду хрому/нікель. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 17.|"Технологія", спеціально розроблена для осадження|
| |алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не|
| |підлягає контролю, а саме: накопичувачі на магнітних|
| |дисках і магнітні головки, обладнання для виробництва|
| |разової тари, клапани для кранів, акустичні діафрагми для|
| |гучномовців, деталі двигунів для автомобілів, різальний|
| |інструмент, матриці для пресування та вирубні штампи,|
| |офісне автоматизоване обладнання, мікрофони, медичні|
| |пристрої або пресформи для литва або формування пластмаси,|
| |виготовлені із сплавів з вмістом берилію менше 5|
| |відсотків. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 18.|Карбід кремнію не включає матеріали для виготовлення|
| |різального або формувального інструменту. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 19.|Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні|
| |матеріали, що містять 5 відсотків за вагою або більше|
| |глини чи цементу, незалежно від того, чи є вони окремим|
| |складовим "компонентом", чи входять у керамічні матеріали,|
| |в їх комбінації. |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічні примітки до таблиці |
| "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення|
|покриття", визначаються таким способом: |
|----------------------------------------------------------------|
|a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення|
|зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що|
|покривається, де метал, сплав, "композиційний" матеріал,|
|діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку|
|(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на|
|поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні|
|елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду|
|або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки|
|плазмовим розрядом або променем "лазера". |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. Хімічне осадження з парової фази (CVD)|
| |включає такі процеси: безпакетне нанесення|
| |покриття прямим газовим струменем,|
| |газоциркуляційне хімічне осадження, кероване|
| |зародження центрів конденсації при|
| |термічному осадженні (CNTD) або хімічне|
| |осадження з парової фази (CVD) з|
| |використанням плазми. |
| |2. Пакет означає підкладку (основу),|
| |занурену в порошкову суміш. |
| |3. Газоподібні реагенти, що використовуються|
| |у безпакетному процесі, отримуються за|
| |такими самими базовими реакціями та|
| |параметрами, як і цементація, за винятком|
| |випадку, коли підкладка, на яку наноситься|
| |покриття, не має контакту із сумішшю|
| |порошків. |
|----------------------------------------------------------------|
|b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням (TE-PVD)|
|- це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під тиском|
|менше ніж 0,1 Па, коли джерело теплової енергії використовується|
|для перетворення на пару матеріалу, що наноситься, внаслідок|
|чого частки матеріалу, що випаровується, конденсуються або|
|осаджуються на відповідно розташовану підкладку. |
|Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для|
|створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу.|
|Використання іонних або електронних променів або плазми для|
|активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною|
|модифікацією цієї технології. Використання моніторів для|
|забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини|
|покриття під час процесу може бути характерною особливістю цих|
|процесів. |
|Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання|
|полягає у тому, що: |
|1) при EB-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який|
|формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний|
|промінь; |
|2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити|
|контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу|
|покриття, використовується електричний опір; |
|3) при випаровуванні "лазером" для випаровування матеріалу, що|
|формує покриття, використовується імпульсний або безперервний|
|"лазерний" промінь; |
|4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги|
|використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує|
|покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після|
|миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером).|
|Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та|
|виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та|
|розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама|
|камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що|
|розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; |
|----------------------------------------------------------------|
|Особлива примітка. |Зазначений у підпункті 4 процес не|
| |стосується нанесення покриття довільною|
| |катодною дугою без зміщення напруги. |
|----------------------------------------------------------------|
|5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD|
|процесу, у якому плазмове або іонне дзеркало використовується|
|для іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне|
|зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню|
|складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних|
|реагентів, випаровування твердих матеріалів в камері, а також|
|використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі|
|нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття,|
|є звичайними модифікаціями процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|c. Порошкове цементування - це модифікація методу нанесення|
|покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього|
|покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), яка|
|складається з: |
|1) металевих порошків, які входять до складу покриття (звичайно|
|алюміній, хром, кремній або їх комбінація); |
|2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та |
|3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). |
|Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка|
|нагрівається від 1030 К (+757 град. C) до 1375 К (+1102 град. C)|
|на час, який достатній для нанесення покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|d. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього|
|покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій|
|утворюється і керується плазма, використовує порошок або дріт з|
|матеріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, де|
|формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення|
|може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або|
|високошвидкісною плазмою. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. Низький тиск - це тиск нижче|
| |атмосферного. |
| |2. Високошвидкісна плазма визначається|
| |швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с,|
| |розрахованої при температурі 293 К|
| |(20 град. C) та тиску 0,1 МПа. |
|----------------------------------------------------------------|
|e. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з|
|модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або|
|керамічний порошок з органічною сполучною речовиною суспензовано|
|в рідині та наноситься на підкладку за допомогою напилення,|
|занурення або фарбування з наступним повітряним або пічним|
|сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних|
|властивостей покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|f. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього|
|покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху,|
|коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в напрямку|
|до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається).|
|Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів на|
|поверхні мішені та їх осадження на відповідно розташовану|
|підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. У таблиці наведені відомості тільки щод|
| |тріодного, магнетронного або реактивного|
| |осадження розпиленням, які застосовуються|
| |для збільшення адгезії матеріалу покриття та|
| |швидкості його нанесення, а також щодо|
| |радіочастотного підсилення напилення, яке|
| |використовується під час нанесення|
| |пароутворювальних неметалевих матеріалів для|
| |покриття. |
| |2. Низькоенергетичні іонні промені (менше|
| |ніж 5 КеВ) можуть бути використані для|
| |прискорення (активації) процесу нанесення|
| |покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з|
|модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент|
|іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та|
|імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною|
|імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація|
|здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження|
|або осадження розпилюванням. |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних|
| методів осадження покриття |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна інформація стосовно таблиці технічних засобів осадження|
| покриття використовується у разі потреби. |
|----------------------------------------------------------------|
|1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях"|
|для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці: |
| a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні,|
| наведені нижче: |
| 1) склад розчину у ванні: |
| a) для усунення старого та пошкодженого покриття, продуктів|
| корозії або сторонніх відкладень; |
| b) для приготування чистих підкладок; |
| 2) час оброблення у ванні; |
| 3) температура у ванні; |
| 4) кількість та послідовність циклів миття; |
| b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення ступеня|
| очищення або повноти очисної дози; |
| c) параметри циклів термічного оброблення, наведені нижче: |
| 1) атмосферні параметри: |
| a) склад атмосфери; |
| b) атмосферний тиск; |
| 2) температура термічної обробки; |
| 3) тривалість термічної обробки; |
| d) параметри підготовки підкладок, наведені нижче: |
| 1) параметри піскоструминного очищення: |
| a) склад часток; |
| b) розмір та форма часток; |
| c) швидкість подачі часток; |
| 2) час та послідовність циклів очищення після|
| піскоструминного очищення; |
| 3) параметри кінцевого оброблення поверхні; |
| 4) використання зв'язувальних для посилення адгезії; |
| e) технічні параметри маскування, наведені нижче: |
| 1) матеріал маски; |
| 2) розміщення маски. |
|----------------------------------------------------------------|
|2. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",|
|які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у|
|таблиці: |
| a) атмосферні параметри, наведені нижче: |
| 1) склад атмосфери; |
| 2) атмосферний тиск; |
| b) часові параметри; |
| c) температурні параметри; |
| d) параметри товщини; |
| e) коефіцієнт параметрів заломлення; |
| f) контроль складу покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|3. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",|
|які використовуються після нанесення покриття на підкладку,|
|зазначену в таблиці: |
| а) параметри дробоструминної обробки, наведені нижче: |
| 1) склад дробу; |
| 2) розмір дробу; |
| 3) швидкість подавання дробу; |
| b) параметри очищення після обробки дробом; |
| c) параметри циклу термічної обробки, наведені нижче: |
| 1) атмосферні параметри: |
| a) склад атмосфери; |
| b) атмосферний тиск; |
| 2) температурно-часові цикли; |
| d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання|
| покритих підкладок. |
|----------------------------------------------------------------|
|4. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях"|
|для визначення технічних засобів, які гарантують якість покриття|
|підкладок, зазначених у таблиці: |
| a) критерії статистичного відбіркового контролю; |
| b) мікроскопічні критерії для: |
| 1) збільшення покриття; |
| 2) рівномірності товщини покриття; |
| 3) цілісності покриття; |
| 4) складу покриття; |
| 5) зчеплення покриття та підкладки; |
| 6) мікроструктури однорідності; |
| c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей|
| (вимірювані як функція довжини хвилі): |
| 1) відбивна властивість; |
| 2) прозорість; |
| 3) поглинання; |
| 4) розсіювання. |
|----------------------------------------------------------------|
|5. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та|
|параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами|
|видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці: |
| a) для хімічного осадження з парової фази (CVD): |
| 1) склад та формування джерела покриття; |
| 2) склад несучого газу; |
| 3) температура підкладки; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 5) контроль газу та маніпулювання деталями; |
| b) для термічного випарювання - фізичного осадження з парової|
| фази (PVD): |
| 1) склад зливка або джерела матеріалу покриття; |
| 2) температура підкладки; |
| 3) склад активного газу; |
| 4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування|
| матеріалу; |
| 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 6) маніпуляція променем та деталлю; |
| 7) параметри "лазера", наведені нижче: |
| a) довжина хвилі; |
| b) щільність потужності; |
| c) тривалість імпульсу; |
| d) періодичність імпульсів; |
| e) джерело; |
| c) для твердофазного осадження: |
| 1) склад обмазки та формування; |
| 2) склад несучого газу; |
| 3) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| d) для плазмового напилення: |
| 1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів; |
| 2) склад та параметри газу, що подається; |
| 3) температура підкладки; |
| 4) параметри потужності плазмової гармати; |
| 5) дистанція напилення; |
| 6) кут напилення; |
| 7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку; |
| 8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями; |
| e) для осадження розпиленням: |
| 1) склад та спосіб виробництва мішені; |
| 2) геометричне регулювання положення деталей та мішені; |
| 3) склад хімічно активного газу; |
| 4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення); |
| 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 6) потужність тріода; |
| 7) маніпулювання деталлю; |
| f) для іонної імплантації: |
| 1) контроль променя та маніпулювання деталлю; |
| 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| швидкості осадження; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| g) для іонного покриття: |
| 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; |
| 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| швидкості осадження; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість |
| випаровування; |
| 6) температура підкладки; |
| 7) параметри електричного зміщення підкладки. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА |
|----------------------------------------------------------------|
|3. |ЕЛЕКТРОНІКА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та|
| |"компонентів", зазначених в позиції 3.A,|
| |інших, аніж описані у позиціях 3.A.1.a.3 -|
| |3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, які спеціально|
| |призначені або мають такі функціональні|
| |характеристики, як і інше обладнання,|
| |визначається контрольним статусом іншого|
| |обладнання. |
| |2. Контрольний статус інтегральних схем,|
| |зазначених в позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9|
| |або 3.A.1.a.12, програми яких не можуть бути|
| |змінені або які призначені для виконання|
| |конкретних функцій для іншого обладнання,|
| |визначається контрольним статусом іншого|
| |обладнання. |
| |3. Контрольний статус обладнання та|
| |"компонентів", зазначених у розділі 3, які|
| |спеціально розроблені або безпосередньо|
| |можуть бути використані для виконання функцій|
| |"захисту інформації", визначається з|
| |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2|
| |розділу 5 (Захист інформації). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Якщо виробник або заявник не може визначити|
| |статус контролю за іншим обладнанням, то цей|
| |статус визначається статусом контролю за|
| |інтегральними схемами, зазначеними в позиціях|
| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. Якщо ця|
| |інтегральна схема є "мікросхемою|
| |мікрокомп'ютера" на кремнієвій основі або|
| |мікросхемою мікроконтролера, зазначеними в|
| |позиції 3.A.1.a.3, і має довжину слова|
| |операнда 8 біт або менше, то тоді її статус|
| |контролю визначається відповідно до позиції|
| |3.A.1.a.3. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1. |Електронні "компоненти",| |
|[3A001] |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.a. |Інтегральні мікросхеми| |
| |загального призначення,| |
| |наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або|
| |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна|
| |функція, визначається параметрами,|
| |зазначеними у позиції 3.A.1.a. |
| |2. Інтегральні схеми включають такі типи: |
| |"монолітні інтегральні схеми"; |
| |"гібридні інтегральні схеми"; |
| |" багатокристалічні інтегральні схеми"; |
| |"плівкові інтегральні схеми", включаючи|
| |інтегральні схеми типу кремній на сапфірі; |
| |"оптичні інтегральні схеми". |
|------------------+---------------------------------------------|
| |1) інтегральні схеми,|з 8542 |
| |спроектовані або класифіковані| |
| |виробником як радіаційно| |
| |стійкі для того, щоб витримати| |
| |будь-що з наведеного нижче: | |
| | 5 | |
| |a) загальну дозу - 5 x 10 рад| |
| |(кремній) або вище; | |
| |b) межу потужності дози| |
| | 8 | |
| |- 5 x 10 рад| |
| |(кремній)/секунда або вище; | |
| |c) флюенс (інтегральна густота| |
| |потоку) нейтронів (еквівалент| |
| | 13| |
| |1 Ме-В) 5 x 10 | |
| |нейтронів/кв.см або вище на| |
| |кремнії, або його еквівалент| |
| |для інших матеріалів | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до|
| |структур метал-діелектрик-напівпровідник|
| |(MIS). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) "мікросхеми|з 8542 |
| |мікропроцесора", "мікросхеми| |
| |мікрокомп'ютера", мікросхеми| |
| |мікроконтролера, інтегральні| |
| |схеми пам'яті, виготовлені із| |
| |складного напівпровідника,| |
| |перетворювачі з аналогової| |
| |форми у цифрову, перетворювачі| |
| |з цифрової форми в аналогову,| |
| |електрооптичні або "оптичні| |
| |інтегральні схеми", призначені| |
| |для "оброблення сигналів",| |
| |логічні пристрої з| |
| |експлуатаційним | |
| |програмуванням, інтегральні| |
| |схеми нейронної мережі,| |
| |інтегральні схеми на| |
| |замовлення, для яких не відома| |
| |або функція, або стан контролю| |
| |обладнання, у якому буде| |
| |використана інтегральна схема,| |
| |процесори швидкого| |
| |перетворення Фур'є (FFT),| |
| |програмована постійна пам'ять| |
| |із стиранням електричним| |
| |струмом (EEPROMs), імпульсна| |
| |пам'ять або статична пам'ять з| |
| |довільною вибіркою (SRAMs),| |
| |які мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) працездатні при температурі| |
| |навколишнього середовища понад| |
| |398 К (+125 град. C); | |
| |b) працездатні при температурі| |
| |навколишнього середовища нижче| |
| |218 К (-55 град. C); | |
| |c) працездатні за межами| |
| |діапазону температур| |
| |навколишнього середовища від| |
| |218 К (-55 град. C) до 398 К| |
| |(+125 град. C); | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.a.2 контролю не|
| |підлягають інтегральні схеми, що|
| |використовуються в цивільних автомобілях або|
| |залізничних поїздах. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) "мікросхеми|з 8542 |
| |мікропроцесора", "мікросхеми| |
| |мікрокомп'ютера" і мікросхеми| |
| |мікроконтролерів, які| |
| |виготовлені з| |
| |напівпровідникових з'єднань та| |
| |працюють з тактовою частотою| |
| |понад 40 МГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори|
| |цифрових сигналів, цифрові матричні процесори|
| |і цифрові співпроцесори. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) інтегральні схеми пам'яті,|з 8542 |
| |виготовлені на основі| |
| |напівпровідникових з'єднань; | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) інтегральні схеми|з 8542 |
| |аналого-цифрових та| |
| |цифро-аналогових | |
| |перетворювачів, наведені| |
| |нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) аналого-цифрові| |
| |перетворювачі, які мають одну| |
| |з таких ознак: | |
| |1) роздільна здатність 8 біт| |
| |або більше, але менше ніж 10| |
| |біт при швидкості виведення| |
| |даних більше ніж 500 млн. слів| |
| |за секунду; | |
| |2) роздільна здатність 10 біт| |
| |або більше, але менше ніж 12| |
| |біт при швидкості виведення| |
| |даних більше ніж 200 млн. слів| |
| |за секунду; | |
| |3) роздільна здатність 12 біт| |
| |при швидкості виведення даних| |
| |більше ніж 50 млн. слів за| |
| |секунду; | |
| |4) роздільна здатність більше| |
| |ніж 12 біт, але дорівнює або| |
| |менше 14 біт, при швидкості| |
| |виведення даних більше ніж 5| |
| |млн. слів за секунду; | |
| |5) роздільна здатність більше| |
| |ніж 14 біт при швидкості| |
| |виведення даних більше ніж| |
| |1 млн. слів за секунду; | |
| |b) цифро-аналогові| |
| |перетворювачі з роздільною| |
| |здатністю 12 біт або більше та| |
| |"часом установлення" менше ніж| |
| |10 нс; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|Технічні примітки.|1. Роздільна здатність n біт| |
| | n | |
| |відповідає 2 рівням| |
| |квантування. | |
| |2. Кількість біт у виведеному| |
| |слові дорівнює роздільній| |
| |здатності аналого-цифрового| |
| |перетворювача. | |
| |3. Швидкість виведення даних є| |
