базового логічного елементу" менш як
0,35 нс; або
с. Робоча частота понад 3 ГГц;
11. Цифрові інтегральні схеми, що 854211990
відрізняються від зазначених у пунктах
3.А.1.а.3 - 3.А.1.а.10 та 3.А.1.а.12,
які створені на основі будь-якого
складного напівпровідника і мають одну
з наведених нижче характеристик:
а. Еквівалентна кількість вентилів
понад 300 (у перерахунку на
двовходові); або
b. Частота перемикання понад 1,2 ГГц;
12. Процесори швидкісного перетворення з 8542,
Фур'є (FFT), які мають одну з наведених 8543
нижче ознак:
а. Розрахунковий час виконання
комплексного 1024 - позначкового FFT
менш як 1 мс;
b. Розрахунковий час виконання
комплексного N-позначкового складного
FFT, відмінного від 1024 -
позначкового, менш як N log(2) N/10240 мс,
де N - кількість позначок; або
с. Продуктивність алгоритму "метелик"
понад 5,12 МГц.
3.А.1.b. Прилади мікрохвильового та міліметрового
діапазону, наведені нижче:
1. Електронні вакуумні лампи та катоди,
наведені нижче:
Примітка За пунктом 3.А.1.b.1. контролю не
підлягають лампи, призначені для роботи у
стандартному діапазоні частот Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU), які не
перевищують 31 ГГц.
а. Лампи біжучої хвилі імпульсної або 854049000
безперервної дії, наведені нижче:
1. Які працюють на частотах понад 31 ГГц;
2. Які мають елемент підігріву катоду з
часом від включення до виходу лампи на
номінальну радіочастотну потужність менш
як 3 с;
3. Із сполученими резонаторами або їх
модифікаціями зі "смугою пропускання"
понад 7 відсотків або з піковою потужністю
понад 2,5 кВт;
4. Із спіраллю або її модифікацією, які
мають одну з наведених нижче ознак:
а. "Смуга пропускання" понад 1 октаву
і добуток номінальної середньої
вихідної потужності (в кіловатах) на
максимальну робочу частоту (в ГГц)
перевищує 0,5;
b. "Смуга пропускання" дорівнює 1
октаві або менше, добуток номінальної
середньої вихідної потужності (в
кіловатах) на максимальну робочу
частоту (в ГГц) перевищує 1; або
с. За технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
b. НВЧ-прилади - підсилювачі 854041000
магнетронного типу з коефіцієнтом
підсилення понад 17 дБ;
с. Інтегровані катоди для електронних 854049000
ламп, які мають одну з наведених нижче
ознак:
1. Час від вмикання до виходу на
номінальну емісію менш як 3 с; або
2. "Сумарна густина струму" при
безперервній емісії та штатних умовах
функціонування більш як 5 А/кв.см;
2. Інтегральні схеми або модулі 854049000
мікрохвильового діапазону, які містять
"монолітні інтегральні схеми" і працюють
на частотах понад 3 ГГц;
Примітка За пунктом 3.А.1.b.2. контролю не
підлягають схеми та модулі для
устаткування, розробленого для роботи в
стандартному діапазоні частот Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU), які не
перевищують 31 ГГц.
3. Мікрохвильові транзистори, призначені 854049000
для роботи на частотах, що перевищують
31 ГГц;
4. Мікрохвильові твердотілі підсилювачі, 854049000
які:
а. Працюють на частотах понад 10,5 ГГц і
мають "смугу пропускання" понад
півоктави; або
b. Працюють на частотах понад 31 ГГц;
5. Смугові або загороджувальні фільтри з 854049000
електронним чи магнітним налагодженням,
які мають понад 5 налагоджувальних
резонаторів, що забезпечують
налагодження в смузі частот з
відношенням максимальної та мінімальної
частот 1,5:1 менш як за 10 мкс і мають
одну з наведених нижче ознак:
а. Смуга частот пропускання становить
понад 0,5 відсотка резонансної частоти;
або
b. Смуга заглушення становить менш як
0,5 відсотка резонансної частоти;
6. Мікрохвильові блоки, здатні працювати на 854049000
частотах, що перевищують 31 ГГц;
7. Змішувачі та перетворювачі, спроектовані
для розширення діапазону частоти
обладнання, зазначеного в пунктах
3.А.2.с., 3.А.2.е. або 3.А.2.f., та
виходять за межі, описані в них.
8. Мікрохвильові підсилювачі потужності,
які містять вузли, що підлягають контролю
за пунктом 3.А.1.b., і мають наведені
нижче характеристики:
а. Операційні частоти понад 3 ГГц;
b. Середня щільність вихідної потужності,
яка перевищує 80 Вт/кг; та
с. Об'єм менш як 400 куб. см.
Примітка За пунктом 3.А.1.b.8. контролю не підлягає
обладнання, розроблене або придатне для
роботи на стандартних частотах Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU).
3.А.1.с. Прилади на акустичних хвилях, наведені
нижче, та спеціально спроектовані для них
компоненти:
1. Прилади на поверхневих акустичних хвилях 854160000
і акустичних хвилях у тонкій "підложці"
(тобто прилади для "оброблення сигналів",
що використовують пружні хвилі в
матеріалі), які мають одну з наведених
нижче ознак:
а. Несуча частота перевищує 2,5 ГГц;
b. Несуча частота перевищує 1 ГГц, але не
більше 2,5 ГГц, і мають одну з наведених
нижче ознак:
1. Частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми напрямку перевищує 55 дБ;
2. Добуток максимального часу затримки
(в мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(в МГц) понад 100;
3. "Миттєва ширина смуги частот" понад
250 МГц; або
4. Затримка поширення перевищує 10 мкс;
або
с. Несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або
менше і має одну з наведених нижче
характеристик:
1. Добуток максимального часу затримки
(в мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(в МГц) понад 100;
2. Затримка поширення перевищує 10 мкс;
або
3. Частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми напрямку перевищує 55 дБ та
ширина смуги частот понад 50 МГц;
2. Прилади на об'ємних акустичних хвилях 854160000
(тобто прилади для "оброблення сигналів",
які використовують пружні хвилі в
матеріалі), забезпечують безпосереднє
"оброблення сигналів" на частотах понад 1
ГГц;
3. Акустооптичні прилади "оброблення 854160000
сигналів", які використовують взаємодію між
акустичними хвилями (об'ємними чи
поверхневими) і світловими хвилями, що
забезпечує безпосереднє "оброблення
сигналів" або зображення, включаючи аналіз
спектра, кореляцію або згортку;
3.А.1.d. Електронні прилади або схеми, які містять 854280000
елементи, виготовлені з "надпровідних"
матеріалів, спеціально спроектовані для
роботи при температурах нижчих від
"критичної температури" хоча б для однієї з
"надпровідних" складових і мають одну з
наведених нижче ознак:
1. Наявність електромагнітного підсилення:
а. На частотах, що дорівнюють або нижче
ніж 31 ГГц, з рівнем шумів нижче 0,5 дБ;
або
b. На частотах понад 31 ГГц;
2. Наявність струмових перемикачів для
цифрових схем, які використовують
"надпровідні" вентилі, де добуток часу
затримки на вентиль (у секундах) і
розсіювання потужності на вентиль (у
ватах) нижче ніж 10(-14) Дж; або
3. Забезпечення селекції частоти на всіх
діапазонах частот з використанням
резонансних контурів з добротністю понад
10000;
3.А.1.е. Прилади високої енергії, наведені нижче:
1. Батареї та фотоелектричні батареї,
наведені нижче:
Примітка За пунктом 3.А.1.е.1. контролю не
підлягають батареї об'ємом 27 куб. см і
менше (наприклад, стандартні вугільні
елементи або батареї R 14).
а. Первинні елементи і батареї з щільністю 850619900
енергії понад 480 Вт х год/кг, за
технічними умовами придатні для роботи в
діапазоні температур від 243 К
(-30(град)С) і нижче до 343 К (+70(град)С)
і вище;
b. Підзаряджувальні елементи і батареї з 850619900
щільністю енергії понад 150 Вт/кг після 75
циклів заряду-розряду при струмі розряду,
що дорівнює С/5 год (тут С - номінальна
ємність в ампер-годинах), під час роботи в
діапазоні температур від 253 К
(-20(град)С) і нижче до 333 К (+60(град)С)
і вище;
Технічна Щільність енергії розраховується множенням
примітка середньої потужності у ватах (добуток
середньої напруги у вольтах і середнього
струму в амперах) на тривалість циклу
розрядження в годинах, при якому напруга на
розімкнутих клемах падає до 75 відсотків
номіналу, і діленням цього добутку на
загальну масу елемента (чи батареї) в
кілограмах.
3.А.1.е. 1.с. Батареї, за технічними умовами 850619900
"придатні для використання в космосі" та
радіаційно стійкі батареї на
фотоелектричних елементах з питомою
потужністю понад 160 Вт/кв. м при
робочій температурі 301 К (+28(град) С)
і вольфрамовому джерелі, яке нагріте до
2800 К (+2527(град)С) і створює
енергетичну освітленість 1 кВт/кв. м;
2. Накопичувачі великої енергії, наведені
нижче:
а. Накопичувачі енергії з частотою 850619900
повторення менш як 10 Гц (одноразові 850780900
накопичувачі), що мають усе наведене
нижче:
1. Номінальну напругу не менш як 5 кВ;
2. Густину енергії не менш як
250 Дж/кг; та
3. Загальну енергію не менш як 25 кДж;
b. Накопичувачі енергії з частотою 850619900
повторення 10 Гц і більше (багаторазові 850780900
накопичувачі), які мають усе наведене
нижче:
1. Номінальну напругу не менш як 5 кВ,
2. Щільність енергії не менш як 50
Дж/кг;
3. Загальну енергію не менш як 100 Дж;
та
4. Кількість циклів заряду-розряду не
менше 10000;
3. "Надпровідні" електромагніти та 850519900
соленоїди, спеціально спроектовані на
повний заряд або розряд менше, ніж за 1
секунду, які мають усе, наведене нижче:
Примітка За пунктом 3.А.1.е.3. контролю не
підлягають "надпровідні" електромагніти або
соленоїди, спеціально спроектовані для
медичної апаратури магніторезонансної
томографії (MRI).
а. Максимальну енергію під час розряду,
що перевищує 10 кДж за першу секунду;
b. Внутрішній діаметр струмопровідних
обмоток понад 250 мм; та
с. Номінальну магнітну індукцію понад
8 Т або "сумарну густина струму" в
обмотці понад 300 А/кв.мм;
3.А.1.f. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 903180310
положення вала в код, які мають усе
наведене нижче:
1. Роздільність краще 1/265000 від повного
діапазону (18 біт); або
2. Точність краще ніж +(-) 2,5 кут/секунду.
( Продовження Списку див. у Частинах II та III )