середньої вихідної потужності (у
кВт) на максимальну робочу частоту
(у ГГц) становить понад 0,5;
b) "смуга пропускання" дорівнює 1
октаві або менше і добуток
номінальної, середньої вихідної
потужності (у кВт) на максимальну
робочу частоту (у ГГц) становить
понад 1;
c) за технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
b) НВЧ-прилади - підсилювачі магнетронного 8540 71 00 00
типу з коефіцієнтом підсилення
понад 17 дБ;
c) інтегровані катоди для електронних ламп, 8540 79 00 00
які виробляють густину струму при
безперервній емісії, за штатних умов
експлуатації, понад 5 A/см (в ступ. 2);
2) інтегральні схеми або модулі 8542
мікрохвильового діапазону, що мають наведені
нижче характеристики:
a) містять "монолітні інтегральні схеми", що
мають один або більше активних елементів
схеми;
b) працюють на частотах понад 3 ГГц;
Примітки. 1) Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не
підлягають схеми або модулі для
обладнання, призначеного або нормованого
для роботи у будь-якій смузі частот, що
відповідає наведеним нижче
характеристикам:
a) не перевищує 31 ГГц;
b) є "виділеною Міжнародним союзом
електрозв'язку (ITU)" для надання
послуг радіозв'язку, але не для
радіовизначення.
2) Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не
підлягає обладнання радіомовних
супутників, призначене або нормоване для
роботи в діапазоні частот від 40,5 до
42,5 ГГц.
3.A.1.b. 3) мікрохвильові транзистори, призначені для 8541
роботи на частотах понад 31 ГГц;
4) мікрохвильові твердотільні підсилювачі, 8543
які:
a) працюють на частотах понад 10,5 ГГц і
мають "смугу пропускання" понад
півоктави; або
b) працюють на частотах понад 31 ГГц;
5) смугові або загороджувальні фільтри з 8529
електронним або магнітним налагодженням, які
мають понад 5 налагоджувальних резонаторів,
що забезпечують налагодження в смузі частот,
з відношенням максимальної та мінімальної
частот 1,5:1 менше ніж за 10 мкс і мають
одну з наведених нижче характеристик:
a) смуга частот пропускання становить понад
0,5 відсотка резонансної частоти;
b) смуга заглушення становить менше ніж
0,5 відсотка резонансної частоти;
6) мікрохвильові блоки, здатні працювати на 8529
частотах понад 31 ГГц;
7) змішувачі та перетворювачі, спроектовані
для розширення діапазону частоти обладнання,
зазначеного в позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.e або
3.A.2.f, та не відповідають характеристикам,
що наведені в них;
8) мікрохвильові підсилювачі потужності, які
містять вузли, що підлягають контролю згідно
з позицією 3.A.1.b, і мають наведені нижче
характеристики:
a) операційні частоти понад 3 ГГц;
b) середня щільність вихідної потужності
понад 80 Вт/кг; та
c) об'єм менше ніж 400 см (в ступ. 3)
Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не
підлягає обладнання, призначене або
нормоване для роботи у будь-якій смузі
частот, що є "виділеною Міжнародним союзом
електрозв'язку (ITU)" для надання послуг
радіозв'язку, але не для радіовизначення.
3.A.1.c. Прилади на акустичних хвилях, наведені
нижче, та спеціально спроектовані для них
компоненти:
1) прилади на поверхневих акустичних хвилях 8541 60 00 00
і акустичних хвилях у тонкій підкладці
(тобто прилади для "оброблення сигналів", що
використовують пружні хвилі в матеріалі),
які мають одну з наведених нижче
характеристик:
a) несуча частота понад 2,5 ГГц;
b) несуча частота понад 1 ГГц, але не більше
2,5 ГГц, і мають одну з наведених нижче
характеристик:
1) частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми направленості понад 55 дБ;
2) добуток максимального часу затримки (у
мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(у МГц) понад 100;
3) "миттєва ширина смуги частот" понад
250 МГц;
4) затримка поширення понад 10 мкс;
c) несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або
менше і має одну з наведених нижче
характеристик:
1) добуток максимального часу затримки (у
мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(у МГц) понад 100;
2) затримка поширення понад 10 мкс;
3) частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми направленості понад 55 дБ та
ширина смуги частот понад 50 МГц;
2) прилади на об'ємних акустичних хвилях 8541 60 00 00
(тобто прилади для "оброблення сигналів",
які використовують пружні хвилі в
матеріалі), що забезпечують безпосереднє
"оброблення сигналів" на частотах
понад 1 ГГц;
3) акустооптичні прилади "оброблення 8541 60 00 00
сигналів", які використовують взаємодію між
акустичними хвилями (об'ємними чи
поверхневими) і світловими хвилями, що
забезпечує безпосереднє "оброблення
сигналів" або зображення, включаючи аналіз
спектра, кореляцію або згортку
3.A.l.d. Електронні прилади або схеми, які містять 8542 50 00 00
елементи, виготовлені з "надпровідних"
матеріалів, спеціально спроектовані для
роботи при температурах нижчих від
"критичної температури" хоча б для однієї з
"надпровідних" складових і мають одну з
наведених нижче характеристик:
1) наявність струмових перемикачів для
цифрових схем, які використовують
"надпровідні" вентилі, де добуток часу
затримки на вентиль (у секундах) і
розсіювання потужності на вентиль (у
ватах) нижче ніж 10 (в ступ. -14) Дж;
2) забезпечення селекції частоти на всіх
діапазонах частот з використанням
резонансних контурів з добротністю
понад 10000
3.A.1.e. Прилади високої енергії, наведені нижче:
1) батареї та фотоелектричні батареї,
наведені нижче:
Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не
підлягають батареї об'ємом 27 см (в ступ. 3)
або менше (наприклад, стандартні вугільні
елементи або батареї R14).
a) первинні елементи і батареї із щільністю з 8506 60,
енергії понад 480 Вт х год./кг, які за 8506 80,
технічними умовами придатні для роботи в 8540 10 10 00
діапазоні температур нижчих від
243 K (-30 град. C) і вищих від
343 K (4-70 град. C);
b) підзаряджувальні елементи і батареї із з 8506 60,
щільністю енергії понад 150 Вт х год./кг 8506 80,
після 75 циклів заряду-розряду при струмі 8540 10 10 00
розряду, що дорівнює C/5 год. (де C -
номінальна ємність в а х год.), під час
роботи в діапазоні температур нижчих
від 253 K (-20 град. C) і вищих від
333 K (+60 град. C);
Технічна Щільність енергії розраховується множенням
примітка. середньої потужності у ватах (добуток
середньої напруги у вольтах і середнього
струму в амперах) на тривалість циклу
розрядження в годинах, за якого напруга на
розімкнутих клемах падає до 75 відсотків
номіналу, і діленням цього добутку на
загальну масу елемента (або батареї) в
кілограмах.
с) батареї, за технічними умовами "придатні з 8506 60,
для використання в космосі" та радіаційно 8506 80,
стійкі батареї на фотоелектричних 8540 10 10 00
елементах з питомою потужністю понад
160 Вт/м (в ступ. 2) при робочій
температурі 301 K (+28 град. C) і
вольфрамовому джерелі, яке нагріте
до 2800 K (+2527 град. C) і
створює енергетичну освітленість
1 кВт/м (в ступ. 2);
3.A.1.e. 2) накопичувачі великої енергії, наведені з 8506 60,
нижче: 8506 80,
a) накопичувачі енергії з частотою 8540 10 10 00
повторення менше ніж 10 Гц (одноразові
накопичувачі), що мають усі наведені
нижче характеристики:
1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ;
2) густину енергії не менше ніж
250 Дж/кг; та
3) загальну енергію не менше
ніж 25 кДж;
b) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,
повторення 10 Гц і більше (багаторазові 8506 80,
накопичувачі), які мають усі наведені 8540 10 10 00
нижче характеристики: з 8507 80
1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ,
2) щільність енергії не менше
ніж 50 Дж/кг;
3) загальну енергію не менше
ніж 100 Дж; та
4) кількість циклів заряду-розряду не
менше ніж 10000;
3) "надпровідні" електромагніти та 8505 19 90 00
соленоїди, спеціально спроектовані на повний
заряд або розряд менше ніж за 1 секунду, які
мають усі наведені нижче характеристики:
Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не
підлягають "надпровідні" електромагніти або
соленоїди, спеціально спроектовані для
медичної апаратури магніторезонансної
томографії (MRI).
a) максимальну енергію під час розряду понад
10 кДж за першу секунду;
b) внутрішній діаметр струмопровідних
обмоток понад 250 мм; та
c) номінальну магнітну індукцію понад 8 T
або "сумарну густину струму" в обмотці
понад 300 A/мм (в ступ. 2)
3.A.1.f. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 9031 80 31 10,
положення вала в код, які мають будь-яку з 9031 80 31 90,
наведених нижче характеристик: 8502 40
1) роздільність краще 1/265000 від повного
діапазону (18 біт);
2) точність краще ніж +(-) 2,5 кут/с
3.A.2. Електронна апаратура загального призначення,
[3A002] наведена нижче:
3.A.2.a. Записуюча апаратура, наведена нижче, і 8520 32 99 00
спеціально призначена для неї вимірювальна
стрічка:
1) накопичувачі на магнітній плівці для
аналогової апаратури, включаючи накопичувачі
з можливістю запису цифрових сигналів
(тобто, що використовують модуль цифрового
запису високої щільності (HDDR)), які мають
одну з наведених нижче характеристик:
a) смуга частот понад 4 МГц на електронний
канал або доріжку;
b) смуга частот понад 2 МГц на електронний
канал або доріжку при кількості доріжок
понад 42; або
c) помилка непогодження змінної шкали,
виміряна із застосуванням документів
Асоціації електронної промисловості
(EIA) або EIRIG, менше ніж +0,1 мкс;
Примітка. Аналогові магнітофони, спеціально створені
для цілей цивільного відео, не вважаються
накопичувачами на плівці.
2) цифрові відеомагнітофони, які мають з 8521 10,
максимальну роздільну здатність цифрового 8521 90 00 00
інтерфейсу понад 360 Мбіт/с;
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не
підлягають цифрові стрічкові
відеомагнітофони, спеціально спроектовані
для телевізійного запису з використанням
форми сигналу, що може включати форму
стисненого сигналу за стандартами або
рекомендаціями Міжнародного союзу
електрозв'язку (ITU), Міжнародної
електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно-
та телевізійних інженерів (SMPTE),
Європейського союзу радіомовлення (EBU) або
Інституту інженерів-спеціалістів в галузі
електротехніки та електроніки (IEEE), для
цивільного телебачення.
3) накопичувачі на магнітній плівці для з 8521 10
цифрової апаратури, що використовує методи
спірального сканування або фіксованих
магнітних головок, які мають одну з
наведених нижче характеристик:
a) максимальна пропускна здатність цифрового
інтерфейсу понад 175 Мбіт/с;
b) за технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не
підлягають аналогові накопичувачі на
магнітній плівці, оснащені електронікою для
перетворення в цифровий запис високої
щільності (HDDR) та призначені для запису
тільки цифрових даних.
3.A.2.a. 4) апаратура з максимальною пропускною 8521 90 00 00
здатністю цифрового інтерфейсу понад
175 Мбіт/с, призначена для перетворення
цифрових відеомагнітофонів у пристрої запису
даних цифрової апаратури;
5) цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543
перехідні реєстратори, які мають усі
наведені нижче характеристики:
a) швидкість цифрового перетворення, що
дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій
за секунду на розрядність 10 біт або
більше;
b) безперервна пропускна здатність 2 Гбіт/с
і більше
Технічна Для цих приладів з паралельною шиною
примітка. швидкість безперервної пропускної здатності
є добуток найбільшого обсягу слів на
кількість біт у слові.
Безперервна пропускна здатність - це найвища
швидкість, з якою прилад може виводити дані
в накопичувач без втрати інформації та
водночас підтримувати швидкість вимірювання
та функцію аналого-цифрового перетворення.
3.A.2.b. "Електронні збірки" "синтезаторів частоти", з 8543,
які мають "час перемикання частоти" з однієї 8570 10 90 00
на іншу менше ніж 1 мс
3.A.2.c. "Аналізатори сигналів", наведені нижче: з 8543,
1) "аналізатори сигналів", здатні 8570 10 90 00
аналізувати частоти понад 31 ГГц;
2) "динамічні аналізатори сигналів" із
"шириною смуги частот у реальному
масштабі часу" понад 500 кГц
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.c.2 контролю не
підлягають "динамічні аналізатори сигналів",
які використовують тільки фільтри із смугою
пропускання фіксованих частот (відомі також
під назвою октавних або фракційних октавних
фільтрів).
3.A.2.d. Генератори сигналів синтезаторів частот, які 8543 20 00 00
формують вихідні частоти з керуванням за
параметрами точності, короткочасної та
довгочасної стабільності, на основі або за
допомогою внутрішньої еталонної частоти і
мають одну з наведених нижче характеристик:
1) максимальна синтезована частота
понад 31 ГГц;
2) "час перемикання частоти" з однієї
заданої частоти на іншу менше ніж 1 мс;
3) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB)
краще - (126 + 20 log(10) F - 20 log(10) f)
в одиницях дБ/Гц, де F - відхилення робочої
частоти в Гц, а f - робоча частота в МГц
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не
підлягає обладнання, у якому вихідна частота
створюється шляхом додавання або віднімання
частот з двох або більше кварцових
генераторів чи шляхом додавання або
віднімання, з наступним множенням
результуючої частоти.
3.A.2.e. Мережеві аналізатори з максимальною робочою з 8543,
частотою понад 40 ГГц 8470 10 90 00
3.A.2.f. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 8527 90 98 00
які мають усі наведені нижче характеристики:
1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц;
2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та
фазу
3.A.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну з 8543 20 00 00
наведених нижче характеристик:
1) довготривала стабільність (старіння)
менше (краще) 1 х 10 (в ступ. -11)/місяць;
2) за технічними умовами "придатні для
використання в космосі"
Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не
підлягають рубідієві еталони, не "придатні
для використання в космосі".
3.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ
І ВИРОБНИЦТВА
3.B.1. Обладнання для виробництва
[3B001] напівпровідникових приладів або матеріалів,
наведене нижче, і спеціально створені
компоненти та оснащення для них:
3.B.1.a. Обладнання для епітаксійного вирощування,
наведене нижче, "кероване вмонтованою
програмою":
1) обладнання для епітаксійного вирощування, з 8419 89
здатне витримувати товщину епітаксійного
шару з відхиленням не більше
ніж 2,5 відсотка на відстані вздовж
пластини 75 мм або більше;
2) обладнання хімічного осадження з з 8419 89
металоорганічної парової фази (MOCVD),
спеціально розроблене для вирощування
кристалів складних напівпровідників за
допомогою хімічних реакцій між
матеріалами, зазначених у позиціях 3.C.3
або 3.C.4;
3) молекулярно-променеве обладнання 8417 80 10 00
епітаксійного вирощування, у якому
застосовані газові або твердотільні
джерела
3.B.1.b. Обладнання, "кероване вмонтованою 8456 10 10 00,
програмою", для іонної імплантації, яке має 8456 10 90 00
одну з наведених нижче характеристик:
1) енергетика пучка (прискорювальна напруга)
понад 1 МеВ;
2) спеціально спроектоване та оптимізоване
для функціонування при енергетиці пучка
(прискорювальній напрузі) менше
ніж 2 кеВ;
3) здатне до безпосереднього запису;
4) здатне до високоенергетичної імплантації
кисню в нагріту підкладку
напівпровідникового матеріалу
3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого з 8456 99,
травлення з використанням анізотропної 8456 91 00 00
плазми, "кероване програмою, що зберігається
в пам'яті":
1) з покасетним обробленням пластин та
завантаженням їх через завантажувальні
шлюзи, які мають одну з наведених нижче
характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм
або менше з точністю
+(-) 5 % (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/см (в ступ. 2) з
вимірюваним розміром частки більше ніж
0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, спеціально спроектоване для
устаткування, яке підлягає контролю за
позицією 3.B.1.e та має одну з наведених
нижче характеристик:
a) призначене або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм
або менше з точністю
+(-) 5 % (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/см (в ступ. 2) з
вимірюваним розміром частки більше ніж
0,1 мм у діаметрі
3.B.l.d. Обладнання, "кероване вмонтованою з 8456 99,
програмою", для хімічного осадження з 8456 91 00 00
парової фази (CDV) та плазмової стимуляції,
наведене нижче:
1) з покасетним обробленням пластин і
подачею їх через завантажувальні шлюзи,
які мають одну з наведених нижче
характеристик:
a) призначене відповідно до технічних
умов виробника або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм
або менше з точністю
+(-) 5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/см (в ступ. 2) з
вимірюваним розміром частки більше ніж
0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, що спроектоване для
апаратури, яке підлягає контролю згідно з
позицією 3.B.1.e та має будь-яку з
наведених нижче характеристик:
a) призначене відповідно до технічних
умов виробника або оптимізоване для
створення критичних розмірів 0,3 мкм
або менше з точністю
+(-) 5% (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж
0,04 частки/см (в ступ. 2) з
вимірюваним розміром частки більше ніж
0,1 мм у діаметрі
3.B.1.e. Багатокамерний центр оброблення 8456 10 10 00,
напівпровідникових пластин з автоматичним 8456 10 90 00,
завантаженням, "керований вмонтованою з 8456 99,
програмою", який має усі наведені нижче 8456 91 00 00
характеристики:
1) інтерфейси для завантаження та
вивантаження пластин, до яких повинно
бути приєднано понад два пристрої
технологічного оброблення
напівпровідників;
2) призначений для комплексної системи
послідовного багатопозиційного оброблення
пластин у вакуумі
Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не
підлягають автоматичні робототехнічні
системи завантаження пластин, не призначених
для роботи у вакуумі.
3.B.1.f. Обладнання літографії, "кероване вмонтованою 9009 22 90 00
програмою", наведене нижче:
1) обладнання багаторазового суміщення та
експонування (безпосередньо на підкладці)
або обладнання із крокового сканування
для оброблення пластин методами
фотооптичної або рентгенівської
літографії, яке має будь-яку з наведених
нижче характеристик:
a) наявність джерела освітлення з
довжиною хвилі коротшою ніж 350 нм;
b) спроможність виробляти зразки з
мінімальним визначеним типовим
розміром 0,35 мкм або менше;
Технічна Мінімальний визначений типовий розмір можна
примітка. розрахувати за формулою:
(довжина хвилі випромінювання світла в мк) х (K фактор)
MRF= ---------------------------------------------------------
цифрова апертура
де K фактор = 0,7, a MRF - мінімальний
визначений типовий розмір.
3.B.l.f. 2) обладнання, спеціально призначене для
виробництва шаблонів або оброблення
напівпровідникових приладів з
використанням сфокусованого електронного
пучка, що відхиляється, іонного пучка або
"лазерного" пучка, які мають будь-яку з
наведених нижче характеристик:
a) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;
b) здатність виробляти малюнок з
мінімальними дозволеними проектними
нормами менше ніж 1 мкм;
c) точність суміщення краще +(-) 0,2 мкм
(3 сигма)
3.B.l.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 9010 90 10 00,
інтегральних схем, що підлягають контролю 9010 90 90 00
згідно з позицією 3.A.1
3.B.l.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 9010 90 10 00,
шаром. 9010 90 90 00
3.B.2. Обладнання для випробувань, "кероване 9031 80 39 10,
[3B002] вмонтованою програмою", спеціально 9031 80 39 90
призначене для випробувань готових
(оброблених) або напівфабрикатних
(необроблених) напівпровідникових приладів,
наведене нижче, і спеціально створені
компоненти та аксесуари до нього:
3.B.2.a. Для вимірювання S-параметрів транзисторних
приладів на частотах понад 31 ГГц
3.B.2.b. Для випробувань інтегральних мікросхем та їх
збірок, здатне виконувати функціональне
тестування (за таблицями істинності) з
частотою тестування рядків понад 333 МГц
Примітка. Згідно з позицією 3.B.2.b контролю не
підлягає апаратура, спеціально призначена
для випробувань:
1) "електронних збірок" або класу
"електронних збірок" для побутової або
ігрової електронної апаратури;
2) електронних компонентів, "електронних
збірок" або інтегральних схем, які не
підлягають експортному контролю;
3) запам'ятовуючі пристрої.
Технічна Для цілей цієї позиції частота тестування
примітка. рядків дорівнює максимальній частоті
цифрового режиму випробувального стенду.
Тому вона є еквівалентом найвищої швидкості
передачі даних, яку може забезпечити стенд у
немультиплексному режимі. Її також називають
швидкістю тестування, максимальною цифровою
частотою або максимальною цифровою
швидкістю.
3.B.2.c. Для випробувань мікрохвильових інтегральних
схем, що контролюються згідно з позицією
3.A.1.b.2.
3.C. МАТЕРІАЛИ
3.C.1 Гетероепітаксійні матеріали, які складаються 3818 00 90 00
[3C001] з підкладки та кількох послідовно нанесених
епітаксійних шарів, які мають будь-яку з
наведених нижче складових:
а) кремній;
b) германій;
c) карбід кремнію;
d) сполуки III/V на основі галію або індію.
Технічна Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні
примітка. або складні монокристалічні продукти,
складені з елементів ПIA (A3) та VA (B5)
груп періодичної системи елементів
Менделєєва (наприклад, арсенід галію,
арсенід галію-алюмінію, фосфід індію тощо).
3.C.2. Матеріали резистів і підкладки, наведені
[3C002] нижче, покриті резистами, що підлягають
контролю:
3.C.2.a. Позитивні резисти, призначені для 8541 40 99 00
напівпровідникової літографії, спеціально
пристосовані для використання з довжиною
хвилі менше ніж 350 нм
3.C.2.b. Усі резисти, призначені для використання під 8541 40 99 00
час експонування електронними та
іонними пучками, з чутливістю
0,01 мкКл/мм (в ступ. 2) або краще
3.C.2.c. Усі резисти, призначені для використання під 8541 40 99 00
час експонування рентгенівськими променями,
з чутливістю 2,5 мДж/мм (в ступ. 2) або
краще
3.C.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 8541 40 99 00
формування малюнка, уключаючи силіційовані
резисти
Технічна Методи силіціювання - це процеси, які
примітка. включають оксидування поверхні резисту для
підвищення якості мокрого та сухого
проявлення.
3.C.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:
[3C003]
3.C.3.a. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, з 2931 00 95,
галію або індію, які мають чистоту металевої 2931 00 95 00
основи понад 99,999 відсотка
3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та з 2931 00 95
органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту
основи неорганічного елемента понад 99,999
відсотка
Примітка. Згідно з позицією 3.C.3 підлягають контролю
тільки ті сполуки, металеві, частково
металеві або неметалеві елементи яких
безпосередньо пов'язані з вуглецем
органічної частки молекули.
3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку або сурми, які 2848 00 00 00,
[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотка навіть 2850 00 10 00
після розведення інертними газами або воднем
Примітка. Згідно з позицією 3.C.4 контролю не
підлягають гідриди, що містять 20 відсотків
або більше молей інертних газів чи водню.
3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D001] створене для "розроблення" або "виробництва"
обладнання, що підлягає контролю згідно з
позиціями 3.A.1.b - 3.A.1.g або 3.B
3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524
[3D002] створене для "використання" в обладнанні,
"керованому вмонтованою програмою", що
підлягає контролю згідно з позицією 3.B
3.D.3. "Програмне забезпечення" для систем з 8524
[3D003] автоматизованого проектування (CAD), що має
усі наведені нижче характеристики:
3.D.3.a. Призначене для "розроблення"
напівпровідникових пристроїв або
інтегральних схем
3.D.3.b. Призначене для виконання або використання
будь-чого з наведеного нижче:
1) правил проектування або правил перевірки
(верифікації) схем;
2) моделювання схем за їх фізичною
топологією;
3) імітаторів літографічних процесів для
проектування
Технічна Імітатор літографічних процесів - це пакет
примітка. "програмного забезпечення", який
використовується на етапі проектування для
визначення послідовності операцій
літографії, травлення та осадження з метою
втілення маскувальних шаблонів у конкретні
топологічні малюнки провідників,
діелектриків або напівпровідникового
