4. У процесі покриття за допомогою катодної дуги
використовується витрачуваний катод з матеріалу, що
формує покриття та створює розряд дуги на поверхні
катода після миттєвого контакту із заземленим
пусковим пристроєм (тригером). Контрольований рух
дуги призводить до ерозії поверхні катоду та
виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути
конічним та розташовуватись по периферії катоду через
ізолятор або сама камера може грати роль аноду. Для
нанесення покриття на підложку, що розташована не на
лінії, використовується зміщення напруги.
Особлива Зазначений у підпункті 4 процес не стосується нанесення
примітка покриття довільною катодною дугою без зміщення напруги.
с. Іонне покриття - це спеціальна модифікація загального
TE-PVD процесу, в якому плазмове або іонне джерело
використовується для іонізації часток, які наносяться як
покриття, а негативне зміщення напруги прикладається до
підложки, що сприяє осадженню складових покриття з плазми.
Введення активних реагентів, випаровування твердих
матеріалів в камері, а також використання моніторів, які
забезпечують вимірювання (в процесі нанесення покриття)
оптичних характеристик та товщини покриття, є звичайними
модифікаціями процесу;
d. Паковна цементація - це модифікація методу нанесення
покриття на поверхню або процес нанесення виключно
зовнішнього покриття, коли підложка занурена в суміш
порошків (пак), яка складається з:
1. Металевих порошків, які входять до складу покриття
(звичайно алюміній, хром, кремній або їх комбінація);
2. Активатора (здебільшого галоїдна сіль); та
3. Інертної пудри, найчастіше - оксиду алюмінію.
Підложка та суміш порошків утримуються всередині
реторти, яка нагрівається до температури від 1030 К (757
(град) С) до 1375 К (1102 (град) С) на час, який достатній
для нанесення покриття;
e. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього
покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), в якій
утворюється і керується плазма, використовує порошок або
дріт з метаріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує на
підложки, де формується інтергрально зв'язане покриття.
Плазмове напилення може грунтуватися на напиленні плазмою
низького тиску або високошвидкісною плазмою під водою.
Особливі 1. Низький тиск - це тиск нижче атмосферного;
примітки 2. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю газу на
зрізі сопла, що перевищує 750 м/с, розрахованої при
температурі 293 К (20 (град) С) та тиску 0,1 Мпа.
f. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з
модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або
керамічний порошок з органічною речовиною, що сполучає,
суспензовано в рідині та наноситься на підложку за
допомогою напилення, занурення або фарбування з наступним
повітряним або пічним сушінням та термічною обробкою для
одержання необхідних властивостей покриття;
g. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього
покриття, який грунтується на феномені передачі кількості
руху, коли позитивні іони прискорюються в електричному полі
в напрямі до поверхні мішені (підложки виробу, що
покривається). Кінетична енергія ударів іонів достатня для
визволення атомів на поверхні мішені та їх осадження на
відповідно розташовану підложку;
Особливі 1. У таблиці наведені відомості тільки щодо тріодного,
примітки магнетронного або реактивного осадження розпиленням,
які застосовуються для збільшення адгезії матеріалу
покриття та швидкості його нанесення, а також щодо
радіочастотного підсилення напилення, яке
використовується під час нанесення пароутворюючих
неметалевих матеріалів для покриття.
2. Низькоенергетичні іонні промені (менше 5 КеВ) можуть
бути використані для прискорення (активації) процесу
нанесення покриття.
h. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з
модифікацією поверхні виробу, в якому легуючий елемент
іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу
та імплантується на поверхню підложки. До процесів з іонною
імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація
здійснюється одночасно під час електронно-променевого
осадження або осадження розпилюванням.
------------------------------------------------------------------
Технічна термінологія, що використовується
в таблиці технічних засобів осадження покриття
------------------------------------------------------------------
Мається на увазі, що технічна інформація стосовно
таблиці технічних засобів осадження покриття
використовується у разі потреби.
1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в
"технологіях" для попереднього оброблення "підложок",
зазначених у таблиці:
а. Параметри хімічного зняття покриття та очищення у
ванні:
1. Склад розчину у ванні:
a. Для усунення старого та пошкодженого покриття,
продуктів корозії або сторонніх відкладень;
b. Для приготування чистих підложок;
2. Час оброблення у ванні;
3. Температура у ванні;
4. Кількість та послідовність циклів миття;
b. Візуальні та макроскопічні критерії для визначення
ступеня очищення або повноти очисної дози;
c. Параметри циклів термічного оброблення:
1. Атмосферні параметри:
a. Склад атмосфери;
b. Атмосферний тиск;
2. Температура термічної обробки;
3. Тривалість термічної обробки;
d. Параметри підготовки підложок:
1. Параметри піскоструминного очищення:
a. Склад часток;
b. Розмір та форма часток;
c. Швидкість подачі часток;
2. Час та послідовність циклів очищення після
піскоструминного очищення;
3. Параметри кінцевого оброблення поверхні;
e. Технічні параметри маскування:
1. Матеріал маски;
2. Розміщення маски;
2. Спеціальна термінологія, що застосовується в
"технологіях", які забезпечують якість покриття, для
засобів, зазначених у таблиці:
a. Атмосферні параметри, наведені нижче:
1. Склад атмосфери;
2. Атмосферний тиск;
b. Часові параметри;
c. Температурні параметри;
d. Параметри товщини;
e. Коефіцієнт параметрів заломлення;
3. Спеціальна термінологія, що застосовується в
"технологіях", які використовуються після нанесення
покриття на підложку, зазначену в таблиці:
a. Параметри дробоструминної обробки:
1. Склад дробу;
2. Розмір дробу;
3. Швидкість подачі дробу;
b. Параметри очищення після обробки дробом;
c. Параметри циклу термічної обробки;
1. Атмосферні параметри;
a. Склад атмосфери;
b. Атмосферний тиск;
2. Температурно-часові цикли;
d. Візуальні та макроскопічні критерії під час приймання
покритих підложок;
4. Спеціальна термінологія, що застосовується в
"технологіях" для визначення технічних засобів, які
гарантують якість покриття підложок, зазначених в
таблиці:
a. Критерії статистичного відбіркового контролю;
b. Мікроскопічні критерії для:
1. Збільшення;
2. Рівномірності товщини покриття;
3. Цілісності покриття;
4. Складу покриття;
5. Зчеплення покриття та підложки;
6. Мікроструктури однорідності;
c. Критерії для оцінки оптичних властивостей:
1. Відбивна властивість;
2. Прозорість;
3. Поглинання;
4. Розсіювання.
5. Спеціальна термінологія, що застосовується в
"технологіях" та параметрах, пов'язаних із
специфічним покриттям та з процесами
видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці:
a. Для хімічного осадження з газової фази:
1. Склад та формування джерела покриття;
2. Склад несучого газу;
3. Температура підложки;
4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
5. Контроль газу та маніпулювання деталями;
b. Для термічного випарювання - фізичного
осадження з парової фази:
1. Склад зливка або джерела матеріалу покриття;
2. Температура підложки;
3. Склад активного газу;
4. Швидкість подачі зливків або швидкість
випаровування матеріалу;
5. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
6. Маніпуляція променем та деталлю;
7. Параметри "лазера":
a. Довжина хвилі;
b. Щільність потужності;
c. Тривалість імпульсу;
d. Періодичність імпульсів;
e. Джерело;
f. Орієнтація підложки;
c. Для твердофазного осадження:
1. Склад обмазки та формування;
2. Склад несучого газу;
3. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
d. Для плазмового напилення:
1. Склад порошку, підготовка та розподіл
розмірів;
2. Склад та параметри газу, що подається;
3. Температура підложки;
4. Параметри потужності плазмової гармати;
5. Дистанція напилення;
6. Кут напилення;
7. Склад покривного газу, тиск та швидкість
потоку;
8. Контроль за гарматою та маніпуляцією
деталями;
e. Для осадження розпиленням:
1. Склад та спосіб виробництва мішені;
2. Геометричне регулювання положення деталей та
мішені;
3. Склад хімічно активного газу;
4. Високочастотне підмагнічування (електричне
зміщення);
5. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
6. Потужність тріода;
7. Маніпулювання деталлю;
f. Для іонної імплантації:
1. Контроль променю та маніпулювання деталлю;
2. Елементи конструкції джерела іонів;
3. Техніка контролю за іонним променем та
параметрами швидкості осадження;
4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
g. Для іонного покриття:
1. Контроль за променем та маніпулюванням
деталлю;
2. Елементи конструкції джерела іонів;
3. Техніка контролю за іонним променем та
параметрами швидкості осадження;
4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;
5. Швидкість подачі покривного матеріалу та
швидкість випаровування;
6. Температура підложки;
7. Параметри електричного зміщення підложки.
------------------------------------------------------------------
Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА
------------------------------------------------------------------
Номер | Найменування продукції |Код товару
пункту | |за ТН ЗЕД
------------------------------------------------------------------
3. ЕЛЕКТРОНІКА
3.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ
Примітки 1. Статус контролю за обладнанням та
компонентами, зазначеними в пункті 3.A.,
що відрізняються від описаних в пунктах
3.A.1.a.3. - 3.A.1.a.10. або 3.A.1.a.12.,
які спеціально спроектовані або мають
такі функціональні характеристики, як і
інше обладнання, визначається статусом
контролю за іншим обладнанням.
2. Статус контролю за інтегральними схемами
зазначеними в пунктах 3.A.1.a.3.-
3.A.1.a.9. або 3.A.1.a.12., програми яких
не можуть бути змінені, або спроектовані
для виконання конкретних функцій для
іншого обладнання, визначається статусом
контролю за іншим обладнанням.
Особлива У разі коли виробник або заявник не може
примітка визначити статус контролю за іншим
обладнанням, цей статус визначається
статусом контролю за інтегральними схемами,
зазначеними в пунктах 3.A.1.a.3. - 3.A.1.a.9
або 3.A.1.a.12.
Якщо ця інтегральна схема є "мікросхемою
мікрокомп'ютера" на кремнієвій основі або
мікросхемою мікроконтролера, зазначеними в
пункті 3.A.1.a.3. і має довжину слова
операнда 8 біт або менше, тоді її статус
контролю визначається відповідно до пункту
3.A.1.a.3.
3.A.1. Електронні компоненти, наведені нижче:
[3A001]
3.A.1.a. Інтегральні мікросхеми загального
призначення, наведені нижче:
Примітки 1. Статус контролю за готовими пластинами
або напівфабрикатами, на яких відтворена
конкретна функція, визначається за
параметрами, зазначеними у пункті
3.A.1.a.
2. Поняття "інтегральні схеми" включає такі
типи:
"монолітні інтегральні схеми";
"гібридні інтегральні схеми";
"багатокристалічні інтегральні схеми";
"плівкові інтегральні схеми", включаючи
інтегральні схеми типу кремній на
сапфірі;
"оптичні інтегральні схеми".
3.A.1.a. 1. Інтегральні схеми, спроектовані або з 854211
атестовані як радіаційно зміцнені для з 854219
того, щоб витримати будь-що з наведеного
нижче:
a. Загальну дозу - 5х10(3) рад (кремній)
чи вище; або
b. Одиночну дозу - 5х10(6) рад (кремній)
чи вище;
2. "Мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми з 854211
мікрокомп'ютера", мікросхеми
мікроконтролера, інтегральні схеми
пам'яті, виготовлені із складного
напівпровідника, перетворювачі з
аналогової форми у цифрову, перетворювачі
з цифрової форми в аналогову,
електрооптичні або "оптичні інтегральні
схеми", призначені для "оброблення
сигналів", вентильні матриці з
експлуатаційним програмуванням, логічні
матриці з експлуатаційним програмуванням,
інтегральні схеми нейронної мережі,
інтегральні схеми на замовлення, для яких
або невідома функція, або стан контролю
обладнання, у якому буде використана
інтегральна схема, невідомий, процесори
швидкого перетворення Фур'є (FFT),
програмована постійна пам'ять з
електричним стиранням (EEPROMs),
імпульсна пам'ять або статична пам'ять з
довільною вибіркою (SRAMs), які мають
будь-яку з наведених нижче характеристик:
a. Працездатні при температурі
навколишнього природного середовища
понад 398 К (+125 (град) С);
b. Працездатні при температурі
навколишнього природного середовища
нижче 218 К (-55 (град) С); або
c. Працездатні за межами діапазону
температур навколишнього природного
середовища від 218К (-55 (град) С) до
398 К (+125 (град) С).
3. "Мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми
мікрокомп'ютера" і мікросхеми
мікроконтролерів, які мають одну з
наведених нижче ознак:
Примітка За пунктом 3.A.1.a.2 контролю не підлягають
інтегральні схеми, що використовуються в
цивільних автомобілях або залізничних
локомотивах.
Примітка У пункті 3.A.1.a.3. зазначено цифрові
сигнальні процесори, цифрові матричні
процесори і цифрові співпроцесори.
а. "Сукупна теоретична продуктивність" 854211870
("CTP") 260 мільйонів теоретичних
операцій за секунду (Мегатопсів) або
більше та математичні співпроцесори з
шиною даних 32 біта або більше;
b. Виготовлені з композиційного з 8542
напівпровідника та які працюють з
тактовою частотою понад 40 Мгц; або
c. Більше ніж з однією шиною даних або 854211760
контролю чи з послідовним 854211550
комунікаційним портом для зовнішнього 854211720
з'єднування в паралельному процесі із
швидкістю передачі, що перевищує 2,5
Мбайта/с;
4. Інтегральні схеми пам'яті, виготовлені на
основі напівпровідникових з'єднань.
5. Інтегральні схеми аналого-цифрових та з 854211,
цифро-аналогових перетворювачів, наведені 854220
нижче:
a. Аналого-цифрові перетворювачі, які
мають одну з таких ознак:
1. Розрядність 8 біт або більше, але
менш як 12 біт з повним часом
перетворення до максимальної
розрядності менш як 10 нс;
2. Розрядність 12 біт та повний час
перетворення до максимальної
розрядності менш як 200 нс; або
3. Розрядність понад 12 біт з повним
часом перетворення до максимальної
розрядності менш як 2 мкс;
b. Цифро-аналогові перетворювачі з
розрядністю 12 біт або більше та
"часом установлювання" менш як 10 нс.
6. Електронно-оптичні або "оптичні з 854219
інтегральні схеми" для "оброблення
сигналів", які мають усі наведені нижче
ознаки:
a. Один внутрішній "лазерний" діод або
більше;
b. Один внутрішній світлочутливий елемент
або більше; та
c. Оптичні хвильоводи;
7. Програмовані у користувача 854211300
матриці логічних елементів, які мають
одну з наведених нижче характеристик:
a. Еквівалентна кількість вентилів понад
30000 (в переліку на двовходові); або
b. Типовий "час затримки розповсюдження
базового логічного елементу" менш як
0,4 нс;
8. Програмовані у користувача 854211910
матриці логічних елементів, які мають
одну з наведених нижче характеристик:
a. Еквівалентна кількість вентилів понад
30000 (в переліку на двовходові);
b. Частота перемикання перевищує 133 МГц;
9. Інтегральні схеми для нейронних мереж; з 854219
10. Інтегральні схеми на замовлення, для з 854219
яких функція призначення невідома, або
контрольний статус обладнання, в якому
будуть використовуватися інтегральні
схеми, невідомі виробнику, які мають
одну з наведених нижче характеристик:
а. Кількість виводів понад 208;
b. Типовий "час затримки розповсюдження
базового логічного елементу" менш як
0,35 нс; або
с. Робоча частота понад 3 ГГц;
11. Цифрові інтегральні схеми, що 854211990
відрізняються від зазначених у пунктах
3.А.1.а.3 - 3.А.1.а.10 та 3.А.1.а.12,
які створені на основі будь-якого
складного напівпровідника і мають одну
з наведених нижче характеристик:
а. Еквівалентна кількість вентилів
понад 300 (у перерахунку на
двовходові); або
b. Частота перемикання понад 1,2 ГГц;
12. Процесори швидкісного перетворення з 8542,
Фур'є (FFT), які мають одну з наведених 8543
нижче ознак:
а. Розрахунковий час виконання
комплексного 1024 - позначкового FFT
менш як 1 мс;
b. Розрахунковий час виконання
комплексного N-позначкового складного
FFT, відмінного від 1024 -
позначкового, менш як N log(2) N/10240 мс,
де N - кількість позначок; або
с. Продуктивність алгоритму "метелик"
понад 5,12 МГц.
3.А.1.b. Прилади мікрохвильового та міліметрового
діапазону, наведені нижче:
1. Електронні вакуумні лампи та катоди,
наведені нижче:
Примітка За пунктом 3.А.1.b.1. контролю не
підлягають лампи, призначені для роботи у
стандартному діапазоні частот Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU), які не
перевищують 31 ГГц.
а. Лампи біжучої хвилі імпульсної або 854049000
безперервної дії, наведені нижче:
1. Які працюють на частотах понад 31 ГГц;
2. Які мають елемент підігріву катоду з
часом від включення до виходу лампи на
номінальну радіочастотну потужність менш
як 3 с;
3. Із сполученими резонаторами або їх
модифікаціями зі "смугою пропускання"
понад 7 відсотків або з піковою потужністю
понад 2,5 кВт;
4. Із спіраллю або її модифікацією, які
мають одну з наведених нижче ознак:
а. "Смуга пропускання" понад 1 октаву
і добуток номінальної середньої
вихідної потужності (в кіловатах) на
максимальну робочу частоту (в ГГц)
перевищує 0,5;
b. "Смуга пропускання" дорівнює 1
октаві або менше, добуток номінальної
середньої вихідної потужності (в
кіловатах) на максимальну робочу
частоту (в ГГц) перевищує 1; або
с. За технічними умовами "придатні для
використання в космосі";
b. НВЧ-прилади - підсилювачі 854041000
магнетронного типу з коефіцієнтом
підсилення понад 17 дБ;
с. Інтегровані катоди для електронних 854049000
ламп, які мають одну з наведених нижче
ознак:
1. Час від вмикання до виходу на
номінальну емісію менш як 3 с; або
2. "Сумарна густина струму" при
безперервній емісії та штатних умовах
функціонування більш як 5 А/кв.см;
2. Інтегральні схеми або модулі 854049000
мікрохвильового діапазону, які містять
"монолітні інтегральні схеми" і працюють
на частотах понад 3 ГГц;
Примітка За пунктом 3.А.1.b.2. контролю не
підлягають схеми та модулі для
устаткування, розробленого для роботи в
стандартному діапазоні частот Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU), які не
перевищують 31 ГГц.
3. Мікрохвильові транзистори, призначені 854049000
для роботи на частотах, що перевищують
31 ГГц;
4. Мікрохвильові твердотілі підсилювачі, 854049000
які:
а. Працюють на частотах понад 10,5 ГГц і
мають "смугу пропускання" понад
півоктави; або
b. Працюють на частотах понад 31 ГГц;
5. Смугові або загороджувальні фільтри з 854049000
електронним чи магнітним налагодженням,
які мають понад 5 налагоджувальних
резонаторів, що забезпечують
налагодження в смузі частот з
відношенням максимальної та мінімальної
частот 1,5:1 менш як за 10 мкс і мають
одну з наведених нижче ознак:
а. Смуга частот пропускання становить
понад 0,5 відсотка резонансної частоти;
або
b. Смуга заглушення становить менш як
0,5 відсотка резонансної частоти;
6. Мікрохвильові блоки, здатні працювати на 854049000
частотах, що перевищують 31 ГГц;
7. Змішувачі та перетворювачі, спроектовані
для розширення діапазону частоти
обладнання, зазначеного в пунктах
3.А.2.с., 3.А.2.е. або 3.А.2.f., та
виходять за межі, описані в них.
8. Мікрохвильові підсилювачі потужності,
які містять вузли, що підлягають контролю
за пунктом 3.А.1.b., і мають наведені
нижче характеристики:
а. Операційні частоти понад 3 ГГц;
b. Середня щільність вихідної потужності,
яка перевищує 80 Вт/кг; та
с. Об'єм менш як 400 куб. см.
Примітка За пунктом 3.А.1.b.8. контролю не підлягає
обладнання, розроблене або придатне для
роботи на стандартних частотах Міжнародного
союзу електрозв'язку (ITU).
3.А.1.с. Прилади на акустичних хвилях, наведені
нижче, та спеціально спроектовані для них
компоненти:
1. Прилади на поверхневих акустичних хвилях 854160000
і акустичних хвилях у тонкій "підложці"
(тобто прилади для "оброблення сигналів",
що використовують пружні хвилі в
матеріалі), які мають одну з наведених
нижче ознак:
а. Несуча частота перевищує 2,5 ГГц;
b. Несуча частота перевищує 1 ГГц, але не
більше 2,5 ГГц, і мають одну з наведених
нижче ознак:
1. Частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми напрямку перевищує 55 дБ;
2. Добуток максимального часу затримки
(в мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(в МГц) понад 100;
3. "Миттєва ширина смуги частот" понад
250 МГц; або
4. Затримка поширення перевищує 10 мкс;
або
с. Несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або
менше і має одну з наведених нижче
характеристик:
1. Добуток максимального часу затримки
(в мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"
(в МГц) понад 100;
2. Затримка поширення перевищує 10 мкс;
або
3. Частотне заглушення бокових пелюстків
діаграми напрямку перевищує 55 дБ та
ширина смуги частот понад 50 МГц;
2. Прилади на об'ємних акустичних хвилях 854160000
(тобто прилади для "оброблення сигналів",
які використовують пружні хвилі в
матеріалі), забезпечують безпосереднє
"оброблення сигналів" на частотах понад 1
ГГц;
3. Акустооптичні прилади "оброблення 854160000
сигналів", які використовують взаємодію між
акустичними хвилями (об'ємними чи
поверхневими) і світловими хвилями, що
забезпечує безпосереднє "оброблення
сигналів" або зображення, включаючи аналіз
спектра, кореляцію або згортку;
3.А.1.d. Електронні прилади або схеми, які містять 854280000
елементи, виготовлені з "надпровідних"
матеріалів, спеціально спроектовані для
роботи при температурах нижчих від
"критичної температури" хоча б для однієї з
"надпровідних" складових і мають одну з
наведених нижче ознак:
1. Наявність електромагнітного підсилення:
а. На частотах, що дорівнюють або нижче
ніж 31 ГГц, з рівнем шумів нижче 0,5 дБ;
або
b. На частотах понад 31 ГГц;
2. Наявність струмових перемикачів для
цифрових схем, які використовують
"надпровідні" вентилі, де добуток часу
затримки на вентиль (у секундах) і
розсіювання потужності на вентиль (у
ватах) нижче ніж 10(-14) Дж; або
3. Забезпечення селекції частоти на всіх
діапазонах частот з використанням
резонансних контурів з добротністю понад
10000;
3.А.1.е. Прилади високої енергії, наведені нижче:
1. Батареї та фотоелектричні батареї,
наведені нижче:
Примітка За пунктом 3.А.1.е.1. контролю не
підлягають батареї об'ємом 27 куб. см і
менше (наприклад, стандартні вугільні
елементи або батареї R 14).
а. Первинні елементи і батареї з щільністю 850619900
енергії понад 480 Вт х год/кг, за
технічними умовами придатні для роботи в
діапазоні температур від 243 К
(-30(град)С) і нижче до 343 К (+70(град)С)
і вище;
b. Підзаряджувальні елементи і батареї з 850619900
щільністю енергії понад 150 Вт/кг після 75
циклів заряду-розряду при струмі розряду,
що дорівнює С/5 год (тут С - номінальна
ємність в ампер-годинах), під час роботи в
діапазоні температур від 253 К
(-20(град)С) і нижче до 333 К (+60(град)С)
і вище;
Технічна Щільність енергії розраховується множенням
примітка середньої потужності у ватах (добуток
середньої напруги у вольтах і середнього
струму в амперах) на тривалість циклу
розрядження в годинах, при якому напруга на
розімкнутих клемах падає до 75 відсотків
номіналу, і діленням цього добутку на
загальну масу елемента (чи батареї) в
кілограмах.
3.А.1.е. 1. с. Батареї, за технічними умовами 850619900
"придатні для використання в космосі" та
радіаційно стійкі батареї на
фотоелектричних елементах з питомою
потужністю понад 160 Вт/кв. м при
робочій температурі 301 К (+28(град) С)
і вольфрамовому джерелі, яке нагріте до
2800 К (+2527(град)С) і створює
